SiC कोटिंग के साथ कार्बन-कार्बन कम्पोजिट प्लेटवेट-चाइना की ओर से ताकत, तापीय स्थिरता और रासायनिक प्रतिरोध का एक असाधारण मिश्रण प्रदान करता है। यह उन्नत मिश्रित प्लेट उच्च प्रदर्शन के साथ इंजीनियर की गई हैCVD SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) कोटिंग, जो इसे एयरोस्पेस, सेमीकंडक्टर विनिर्माण और उच्च तापमान प्रसंस्करण जैसे उद्योगों में मांग वाले अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाता है। कार्बन-कार्बन कोर उत्कृष्ट तापीय चालकता और ताकत प्रदान करता है, जबकि SiC कोटिंग ऑक्सीकरण और पहनने के खिलाफ बढ़ी हुई सतह सुरक्षा प्रदान करती है।

सीवीडी SiC कोटिंगकार्बन-कार्बन कम्पोजिट प्लेट पर यह सुनिश्चित करता है कि यह संरचनात्मक अखंडता को बनाए रखते हुए 1600 डिग्री सेल्सियस तक के चरम तापमान का सामना कर सकता है। यह इसे उन अनुप्रयोगों के लिए एकदम सही बनाता है जिनमें कठोर परिस्थितियों में सटीकता और स्थायित्व की आवश्यकता होती है। वेट-चाइना प्लेट विशेष रूप से उन प्रक्रियाओं के लिए उपयुक्त है जिनमें शामिल हैंसीवीडी एसआईसीऐसे घटक, जहां रासायनिक निष्क्रियता और उच्च तापीय प्रतिरोध महत्वपूर्ण हैं।

तापमान प्रतिरोध के अलावा,सीवीडी SiC कोटिंगएक सुरक्षात्मक परत जोड़ता है जो संचालन के दौरान टूट-फूट को कम करता है, जिससे उपकरण का जीवन बढ़ता हैकार्बन-कार्बन कम्पोजिट प्लेटवेट-चाइना कम्पोजिट प्लेटों का व्यापक रूप से उच्च तकनीक उद्योगों में उपयोग किया जाता है जहां दीर्घायु और प्रदर्शन प्रमुख कारक हैं, जो विभिन्न उच्च परिशुद्धता अनुप्रयोगों के लिए विश्वसनीय समाधान प्रदान करते हैं।

यह कार्बन-कार्बन कम्पोजिट प्लेट SiC कोटिंग के साथ ऐसे वातावरण के लिए आदर्श है, जिसमें उच्च यांत्रिक शक्ति के साथ-साथ रासायनिक प्रतिरोध की आवश्यकता होती है, जो सबसे चुनौतीपूर्ण औद्योगिक परिस्थितियों में भी स्थिरता सुनिश्चित करता है।