ÀwọnÀwo Àpapọ̀ Erogba-Kabọn Pẹ̀lú Àwọ̀ SiCláti ọ̀dọ̀ àwọn onímọ̀ nípa vet-china, wọ́n ní àdàpọ̀ agbára, ìdúróṣinṣin ooru, àti ìdènà kẹ́míkà tó tayọ. A ṣe àwo onípele tó ga jùlọ yìí pẹ̀lú iṣẹ́ tó ga.Ibora CVD SiC (Silicon Carbide), èyí tí ó mú kí ó dára fún àwọn ohun èlò tó wúlò nínú àwọn ilé iṣẹ́ bíi afẹ́fẹ́, iṣẹ́ semiconductor, àti ṣíṣe iwọ̀n otútù gíga. Ẹ̀rọ carbon-carbon core ń fúnni ní agbára àti agbára ooru tó dára, nígbà tí ìbòrí SiC ń fúnni ní ààbò ojú ilẹ̀ tó dára síi lòdì sí ìfọ́ àti ìbàjẹ́.
ÀwọnIbora CVD SiClórí Àwo Àpapọ̀ Erogba-Kabọn mú un dájú pé ó lè fara da àwọn òtútù líle koko, títí dé 1600°C, nígbàtí ó ń pa ìdúróṣinṣin ìṣètò mọ́. Èyí mú kí ó dára fún àwọn ohun èlò tí ó nílò ìpele àti agbára lábẹ́ àwọn ipò líle koko. Àwo Vet-China dára fún àwọn iṣẹ́ tí ó ní í ṣe pẹ̀lúCVD SiCàwọn èròjà, níbi tí àìfaradà kẹ́míkà àti ìdènà ooru gíga ṣe pàtàkì.
Ni afikun si resistance si iwọn otutu,Ibora CVD SiCfi afikun aabo kan ti o dinku wiwu ati yiya lakoko iṣẹ, ti o mu igbesi aye ti awọn ohun elo naa pọ siÀwo Àpapọ̀ Erogba-KabọnÀwọn àwo àdàpọ̀ ẹranko àti china ni a ń lò ní àwọn ilé iṣẹ́ ìmọ̀-ẹ̀rọ gíga níbi tí gígùn àti iṣẹ́ wọn jẹ́ kókó pàtàkì, tí ó ń fúnni ní àwọn ojútùú tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé fún onírúurú àwọn ohun èlò tí ó péye.
Àwo Àpapọ̀ Erogba-Kabọn yìí pẹ̀lú Àwọ̀ SiC jẹ́ àtàtà fún àwọn àyíká tí ó nílò agbára ẹ̀rọ gíga pẹ̀lú ìdènà kẹ́míkà, èyí tí ó ń rí i dájú pé ó dúró ṣinṣin kódà ní àwọn ipò iṣẹ́ tí ó le jùlọ.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Awọn ohun-ini ti ara ipilẹ ti CVD SiCibora | |
| 性质 / Ohun-ini | 典型数值 / Iye Aṣoju |
| 晶体结构 / Crystal Structure | FCC β alakoso 多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / iwuwo | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Lile | 2500 维氏硬度 (ẹrù 500g) |
| 晶粒大小 / Ọkà SiZe | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Kẹmika Mimọ | 99.99995% |
| 热容 / Agbara Ooru | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Iwọn otutu Sublimation | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Agbara Flexural | 415 MPa RT 4-point |
| Modulus 杨氏模量 / Young's Modul | 430 GPA 4pt tẹ, 1300℃ |
| 导热系数 / Imudara Ooru | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Imugboroosi Gbona(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
VET Energy ni olùpèsè gidi ti àwọn ọjà graphite àti silicon carbide tí a ṣe àdáni pẹ̀lú oríṣiríṣi ìbòrí bíi ìbòrí SiC, ìbòrí TaC, ìbòrí erogba gilasi, ìbòrí erogba pyrolytic, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ, ó lè pèsè oríṣiríṣi àwọn ẹ̀yà ara tí a ṣe àdáni fún ilé iṣẹ́ semiconductor àti photovoltaic.
Ẹgbẹ imọ-ẹrọ wa wa lati awọn ile-iṣẹ iwadii ile oke, o le pese awọn solusan ohun elo ọjọgbọn diẹ sii fun ọ.
A n ṣe agbekalẹ awọn ilana ilọsiwaju nigbagbogbo lati pese awọn ohun elo to ti ni ilọsiwaju diẹ sii, a si ti ṣe agbekalẹ imọ-ẹrọ iyasọtọ ti a fun ni aṣẹ, eyiti o le jẹ ki asopọ laarin ibora ati substrate naa le nipọn ati ki o dinku si fifọ.
Ẹ kí yin káàbọ̀ pẹ̀lú ayọ̀ láti wá sí ilé iṣẹ́ wa, ẹ jẹ́ kí a tún jíròrò rẹ̀!
