SiC kouch grafit MOCVD Wafer carriers, Sisèpteur grafit pou SiC Epitaksi,
Sisèpteur pou founiti kabòn, Sisèpteur grafit, Plato grafit, Epitaksi SiC, Sisèpteur wafer,

Kouch CVD-SiC a gen karakteristik estrikti inifòm, materyèl kontra enfòmèl ant, rezistans tanperati ki wo, rezistans oksidasyon, pite segondè, rezistans asid ak alkali ak reyaktif òganik, ak pwopriyete fizik ak chimik ki estab.

Konpare ak materyèl grafit ki gen gwo pite, grafit la kòmanse okside nan 400C, sa ki pral lakòz yon pèt poud akòz oksidasyon, sa ki pral lakòz polisyon anviwònman an nan aparèy periferik yo ak chanm vakyòm yo, epi ogmante enpurte nan anviwònman ki gen gwo pite a.

Sepandan, kouch SiC ka kenbe estabilite fizik ak chimik nan 1600 degre, Li lajman itilize nan endistri modèn, espesyalman nan endistri semi-kondiktè.

Konpayi nou an bay sèvis pwosesis kouch SiC pa metòd CVD sou sifas grafit, seramik ak lòt materyèl, pou gaz espesyal ki gen kabòn ak silikon reyaji nan tanperati ki wo pou jwenn molekil SiC ki gen gwo pite. Molekil sa yo depoze sou sifas materyèl ki kouvri yo, pou fòme yon kouch pwoteksyon SIC. SIC ki fòme a byen kole ak baz grafit la, sa ki bay baz grafit la pwopriyete espesyal, kidonk fè sifas grafit la konpak, san porosit, rezistan a tanperati ki wo, korozyon ak oksidasyon.

Aplikasyon:

Karakteristik prensipal yo:

1. Rezistans oksidasyon tanperati ki wo:

Rezistans oksidasyon an toujou trè bon lè tanperati a rive jiska 1700 C.

2. Pite segondè: fèt pa depo vapè chimik anba kondisyon klorinasyon tanperati ki wo.

3. Rezistans ewozyon: gwo dite, sifas kontra enfòmèl ant, patikil amann.

4. Rezistans korozyon: asid, alkali, sèl ak reyaktif òganik.

Espesifikasyon prensipal kouch CVD-SIC yo:

Kapasite Pwovizyon:

10000 Moso/Moso pa Mwa
Anbalaj ak livrezon:
Anbalaj: Anbalaj estanda ak solid
Sak poli + bwat + katon + palèt
Pò:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Tan livrezon: