SiC prevleka grafit MOCVD nosilci rezin, grafitni susceptorji za SiC epitaksijo,
Ogljikovi susceptorji, grafitni susceptorji, grafitni pladnji, SiC epitaksija, susceptorji rezin,

CVD-SiC prevleka ima značilnosti enotne strukture, kompaktnega materiala, visoke temperaturne odpornosti, odpornosti na oksidacijo, visoke čistosti, odpornosti na kisline in alkalije ter organske reagente s stabilnimi fizikalnimi in kemičnimi lastnostmi.

V primerjavi z visoko čistimi grafitnimi materiali grafit začne oksidirati pri 400 °C, kar povzroči izgubo prahu zaradi oksidacije, kar povzroči onesnaževanje okolja s perifernimi napravami in vakuumskimi komorami ter poveča nečistoče v visoko čistem okolju.

Vendar pa lahko prevleka SiC ohrani fizikalno in kemijsko stabilnost pri 1600 stopinjah, zato se pogosto uporablja v sodobni industriji, zlasti v polprevodniški industriji.

Naše podjetje nudi storitve nanašanja SiC s CVD metodo na površino grafita, keramike in drugih materialov, pri čemer posebni plini, ki vsebujejo ogljik in silicij, reagirajo pri visoki temperaturi in ustvarijo molekule SiC visoke čistosti. Molekule se nanesejo na površino prevlečenih materialov in tvorijo zaščitno plast SIC. Nastala SIC se trdno veže na grafitno osnovo, kar ji daje posebne lastnosti. Zaradi tega je površina grafita kompaktna, brez poroznosti, odporna na visoke temperature, korozijo in oksidacijo.

Uporaba:

Glavne značilnosti:

1. Odpornost proti oksidaciji pri visokih temperaturah:

Odpornost proti oksidaciji je še vedno zelo dobra, ko temperatura doseže 1700 °C.

2. Visoka čistost: izdelana s kemičnim nanašanjem iz pare pri visokotemperaturnem kloriranju.

3. Odpornost proti eroziji: visoka trdota, kompaktna površina, drobni delci.

4. Odpornost proti koroziji: kisline, alkalije, soli in organski reagenti.

Glavne specifikacije CVD-SIC premazov:

Zmogljivost dobave:

10000 kosov/kosov na mesec
Pakiranje in dostava:
Pakiranje: Standardno in močno pakiranje
Poli vrečka + škatla + škatla + paleta
Pristanišče:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Dobavni rok: