Portadores de wafer MOCVD de grafite com revestimento de SiC, susceptores de grafite para epitaxia de SiC

Descrição curta:

 


  • Local de origem:Zhejiang, China (continente)
  • Número do modelo:Barco3004
  • Composição química:Grafite revestido com SiC
  • Resistência à flexão:470 Mpa
  • Condutividade térmica:300 W/mK
  • Qualidade:Perfeito
  • Função:CVD-SiC
  • Aplicativo:Semicondutor/Fotovoltaico
  • Densidade:3,21 g/cc
  • Expansão térmica:4 10-6/K
  • Cinzas: <5 ppm
  • Amostra:Disponível
  • Código SH:6903100000
  • Detalhes do produto

    Etiquetas de produtos

    Portadores de wafer MOCVD de grafite com revestimento de SiC, susceptores de grafite para epitaxia de SiC,
    Susceptores de fornecimento de carbono, Susceptores de grafite, Bandejas de grafite, Epitaxia de SiC, Susceptores de wafer,

    Descrição do produto

    O revestimento CVD-SiC tem as características de estrutura uniforme, material compacto, resistência a altas temperaturas, resistência à oxidação, alta pureza, resistência a ácidos e álcalis e reagente orgânico, com propriedades físicas e químicas estáveis.

    Comparado com materiais de grafite de alta pureza, o grafite começa a oxidar a 400 °C, o que causará perda de pó devido à oxidação, resultando em poluição ambiental para dispositivos periféricos e câmaras de vácuo, além de aumentar as impurezas do ambiente de alta pureza.

    No entanto, o revestimento de SiC pode manter a estabilidade física e química a 1600 graus. É amplamente utilizado na indústria moderna, especialmente na indústria de semicondutores.

    Nossa empresa fornece serviços de revestimento de SiC pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais, de modo que gases especiais contendo carbono e silício reajam em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza. Essas moléculas são depositadas na superfície dos materiais revestidos, formando uma camada protetora de SIC. O SIC formado é firmemente ligado à base de grafite, conferindo a esta propriedades especiais, tornando a superfície de grafite compacta, livre de porosidade, resistente a altas temperaturas, corrosão e oxidação.

    Aplicativo:

    2

    Principais características:

    1. Resistência à oxidação em alta temperatura:

    a resistência à oxidação ainda é muito boa quando a temperatura chega a 1700 C.

    2. Alta pureza: feito por deposição química de vapor sob condições de cloração de alta temperatura.

    3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.

    4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.

    Principais especificações dos revestimentos CVD-SIC:

    SiC-CVD

    Densidade

    (g/cc)

    3.21

    Resistência à flexão

    (Mpa)

    470

    Expansão térmica

    (10-6/K)

    4

    Condutividade térmica

    (W/mK)

    300

    Capacidade de fornecimento:

    10000 peças por mês
    Embalagem e entrega:
    Embalagem: Embalagem padrão e resistente
    Saco plástico + Caixa + Caixa de papelão + Palete
    Porta:
    Ningbo/Shenzhen/Xangai
    Tempo de espera:

    Quantidade (peças) 1 – 1000 >1000
    Tempo estimado (dias) 15 A ser negociado


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