SiC-Beschichtung Graphit MOCVD Waferträger, Graphit-Susceptoren fir SiC-Epitaxie,
Kuelestoff liwwert Susceptoren, Graphit Susceptoren, Graphitschachten, SiC Epitaxie, Wafer Susceptoren,
CVD-SiC Beschichtung huet d'Charakteristike vun enger eenheetlecher Struktur, engem kompakten Material, héijer Temperaturbeständegkeet, Oxidatiounsbeständegkeet, héijer Rengheet, Säure- a Alkaliresistenz an organesche Reagenzien, mat stabile physikaleschen a chemeschen Eegeschaften.
Am Verglach mat héichreine Graphitmaterialien fänkt Graphit bei 400°C un ze oxidéieren, wat zu engem Pulververloscht duerch Oxidatioun féiert, wat zu Ëmweltverschmotzung vun Peripheriegeräter a Vakuumkammeren féiert, an d'Onreinheeten an der héichreiner Ëmwelt erhéicht.
Wéi och ëmmer, kann d'SiC-Beschichtung physikalesch a chemesch Stabilitéit bei 1600 Grad behalen, si gëtt wäit an der moderner Industrie benotzt, besonnesch an der Hallefleederindustrie.
Eis Firma bitt SiC-Beschichtungsprozessdéngschter mat der CVD-Method op der Uewerfläch vu Graphit, Keramik an aner Materialien un, sou datt speziell Gaser, déi Kuelestoff a Silizium enthalen, bei héijer Temperatur reagéieren, fir héichreine SiC-Moleküle ze kréien, déi sech op der Uewerfläch vun de beschichtete Materialien ofsetzen an doduerch eng SIC-Schutzschicht bilden. Déi entstane SIC ass fest un d'Graphitbasis gebonnen, wat der Graphitbasis speziell Eegeschafte gëtt, wouduerch d'Uewerfläch vum Graphit kompakt, porositéitsfräi, héichtemperaturbeständeg, korrosiounsbeständeg an oxidationsbeständeg ass.
Applikatioun:
Haaptmerkmale:
1. Oxidatiounsbeständegkeet bei héijen Temperaturen:
D'Oxidatiounsbeständegkeet ass ëmmer nach ganz gutt bei Temperaturen bis zu 1700 °C.
2. Héich Rengheet: duerch chemesch Gasoflagerung ënner héijer Temperaturchloréierungsbedingung hiergestallt.
3. Erosiounsbeständegkeet: héich Häert, kompakt Uewerfläch, fein Partikelen.
4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenzien.
Haaptspezifikatioune vu CVD-SIC Beschichtungen:
| SiC-CVD | ||
| Dicht | (g/cc)
| 3.21 |
| Biegefestigkeit | (Mpa)
| 470 |
| Thermesch Expansioun | (10-6/K) | 4
|
| Wärmeleitfäegkeet | (W/mK) | 300 |
Liwwerfäegkeet:
10000 Stéck/Stécker pro Mount
Verpackung & Liwwerung:
Verpackung: Standard & staark Verpackung
Polybeutel + Këscht + Karton + Palette
Hafen:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Liwwerzäit:
| Quantitéit (Stécker) | 1 – 1000 | >1000 |
| Geschätzte Zäit (Deeg) | 15 | Ze verhandelen |
-
Grafitheizung Siliziumkarbid (SiC) SiC Beschichtung...
-
Personnaliséiert Grafitheizung fir Hallefleiter Si ...
-
Personnaliséiert Metallschmelz SIC Ingotform, Silizium ...
-
Personnaliséiert Silizium SIC Form Silizium SSIC RBSIC ...
-
CVD SiC beschichtete Kuelestoff-Kuelestoff-Komposit FCKW Boots...
-
CVD Sic Beschichtung CC Kompositstang, Siliziumkarbid ...
-
Gold a Sëlwer Gossform Silikonform, Si ...
-
Mechanesch Kuelestoffgrafit Bushing Rings, Silikon ...
-
Laanglieweg SIC beschichtete Grafitheizung fir MOCVD ...
-
Héichtemperaturbeständeg, haltbar Silikonstang...
-
Héichqualitativ Siliziumstang, Sic-Stang fir d'Veraarbechtung...
-
CVD Sic Beschichtung Kuelestoff-Kuelestoff Kompositform
-
Kuelestoff-Kuelestoff-Kompositplack mat SiC-Beschichtung





