Pite poud SiC a pral afekte dirèkteman kalite ak pèfòmans kristal sèl SiC ki grandi pa metòd PVT a, epi matyè premyè pou prepare poud SiC yo se poud Si ki gen gwo pite ak poud C ki gen gwo pite, epi pite poud C a pral afekte dirèkteman pite poud SiC a.
Matyè premyè yo itilize nan pwodiksyon toner anjeneral gen ladan yo grafit flokon, kok petwòl ak lank wòch mikrokristalin. Plis pite grafit la wo, se plis valè itilizasyon an wo. Metòd pou pirifye grafit yo ka divize an metòd fizik ak metòd chimik. Metòd pou pirifye fizik yo gen ladan flotasyon ak pirifye tanperati ki wo, epi metòd pou pirifye chimik yo gen ladan metòd asid-baz, metòd asid idroflorik ak metòd griye klorid. Pami yo, metòd pou pirifye tanperati ki wo a ka itilize pwen fizyon ki wo (3773K) ak pwen ebulisyon grafit la pou reyalize yon pite 4N5 ak pi wo, ki enplike evaporasyon ak emisyon enpurte ak yon pwen ebulisyon ki ba, pou reyalize objektif pirifikasyon an [6]. Teknoloji kle pou toner pite ki wo a se retire tras enpurte yo. Ansanm ak karakteristik pirifikasyon chimik ak pirifikasyon tanperati ki wo, yo adopte yon pwosesis inik konpoze segmenté pou pirifye materyèl toner pite ki wo, epi pite pwodwi a ka plis pase 6N.
Pèfòmans ak karakteristik pwodwi:
1, pite pwodwi a≥99.9999% (6N);
2, estabilite poud kabòn ki gen gwo pite, gwo degre grafitizasyon, mwens enpurte;
3, granularite ak kalite ka Customized selon itilizatè yo.
Itilizasyon prensipal pwodwi a:
■ Sentèz poud SiC ki gen anpil pite ak lòt materyèl carbure sentetik faz solid
■ Kiltive dyaman
■ Nouvo materyèl konduktivite tèmik pou pwodwi elektwonik yo
■ Materyèl katod batri ityòm wo nivo
■ Konpoze metal presye yo se matyè premyè tou
