SiC poroşokynyň arassalygy, PVT usuly bilen ösdürilip ýetişdirilen SiC ýeke kristalynyň hiline we öndürijiligine gönüden-göni täsir eder, SiC poroşokyny taýýarlamak üçin çig mal ýokary arassa Si tozy we ýokary arassalyk C tozy, C poroşokynyň arassalygy SiC poroşokynyň arassalygyna gönüden-göni täsir eder.
Toner önümçiliginde ulanylýan çig mal, adatça flak grafit, nebit koksy we mikrokristally daş syýa degişlidir. Grafitiň arassalygy näçe ýokary bolsa, ulanyş gymmaty şonça-da ýokarydyr. Grafiti arassalamak usullaryny fiziki usullara we himiki usullara bölmek mümkin. Fiziki arassalama usullary flotasiýa we ýokary temperaturany arassalamak, himiki arassalaýyş usullary bolsa kislota-esas usuly, gidroflor kislotasy we hlorid gowurmak usulyny öz içine alýar. Olaryň arasynda ýokary temperaturany arassalamak usuly, arassalamak maksadyna ýetmek üçin 4N5 we has ýokary arassalygy gazanmak üçin ýokary eriş nokadyny (3773K) we grafitiň gaýnadýan nokadyny ulanyp biler [6]. Highokary arassalyk toneriniň esasy tehnologiýasy yz hapalaryny aýyrmakdyr. Himiki arassalaýyş we ýokary temperaturany arassalamak aýratynlyklary bilen utgaşyp, ýokary arassalaýjy toner materiallarynyň arassalanmagyny gazanmak üçin özboluşly segmentli ýokary temperaturaly termokimiki arassalama prosesi kabul edilýär we önümiň arassalygy 6N-den ýokary bolup biler.
Önümiň öndürijiligi we aýratynlyklary:
1, önümiň arassalygy≥99.9999% (6N);
2, ýokary arassalyk uglerod tozy durnuklylygy, grafitizasiýanyň ýokary derejesi, az hapalar;
3, granular we görnüşi ulanyjylara görä düzüp bolýar.
Önümiň esasy ulanylyşy:
Highokary arassa SiC tozy we beýleki gaty fazaly sintetiki karbid materiallarynyň sintezi
Diam Almaz ösdürip ýetişdiriň
Electronic Elektron önümleri üçin täze ýylylyk geçirijilik materiallary
■ endokary derejeli litiý batareýasynyň katod materialy
■ Gymmat bahaly metal birleşmeleri çig maldyr
