Etid Ka: Konpozan Grafit Segondè Pite pou Chan Tèmik Monokristalin 32 pous nan Kwasans Silisyòm Kalite N

Entwodiksyon: Defi Chan Tèmik 32 pous nan Kwasans Silisyòm Kalite N ki gen Gwo Efikasite

Pandan endistri fotovoltaik la ap chanje rapidman soti nan PERC tip P pou ale nan TOPCon tip N ak selil solè Heterojunction (HJT), demann pou tranch silikon ki gen pi gwo pite a te monte an flèche. Substra silikon tip N yo mande yon dire lavi transpòtè minorite ki trè wo (jeneralman >300 μs) ak kontaminasyon enpurte metal tranzisyon ki prèske zewo.

Pou ogmante debi, manifaktirè plak silikon yo ap ogmante gwosè kribich yo a 32 pous ak plis ankò. Sepandan, opere nan tanperati ki depase 1,450°C nan yon chan tèmik 32 pous prezante gwo defi enjenyè:

1. Degradasyon tèmik ak asimetri:Gran gradyan tèmik lakòz defòmasyon estriktirèl ak fann nan aparèy chofaj ak pedestal grafit estanda yo.
2. Kontaminasyon Metal Volatil:Eleman enpurte tras yo (Fe, Ni, Cu, V) nan grafit konvansyonèl yo vaporize pandan yon rale kristal pwolonje, yo imigre dirèkteman nan silikon fonn lan epi sa lakòz yon degradasyon grav nan dire lavi transpòtè minorite yo.

Solisyon Jeni: Grafit Izostatik Ultra-Pirifye ak Pwoteksyon SiC CVD

Pou simonte blokaj teknik sa yo, VeTek Semiconductor te deplwaye yon amelyorasyon materyèl konplè nan tout asanblaj chan tèmik 32 pous la, ki gen ladan grafit izostatik dansite wo ki sibi pirifikasyon alojèn nan tanperati ki wo ak kouch pwoteksyon CVD Silisyòm Carbide (SiC).

1. Pirifikasyon Alojèn Pwofon (Kontni Sann ≤ 2-5 ppm)

Grafit endistriyèl estanda gen yon kontni sann ki varye ant 50 ppm ak 200 ppm. A 1,450°C anba vakyòm, eleman tras sa yo evapore. Pwosesis propriétaires nou an pou pirifye gaz alojèn nan gwo tanperati konvèti enpurte metalik an konpoze alojèn temèt (klorid/fliyò) nan tanperati ki pi wo pase 2,400°C.

• Tès spèktrometri mas egzeyat lumineux (GDMS)verifye ke total enpurte metalik yo (Fe, Cr, Ni, Cu, V) redwi a anba 0.5 ppm, pou rive nan yon kontni sann total ≤ 2 ppm.
• Rezilta:Elimine evolisyon gaz metalik anbyen, pwoteje pisin silikon fonn lan kont kontaminasyon pandan plis pase 120 èdtan sik rale kontinyèl.

2. Estrikti grafit izostatik dansite segondè pou estabilite tèmik

Konpozan ki gen ladan aparèy chofaj grafit la, sisèpteur krisèl la, ak barik izolasyon an fabrike ak grafit izostatik ki gen yon dansite wo (1.85 g/cm³), grenn amann (gwosè grenn <10 μm). Presaj izostatik la asire yon ekspansyon tèmik izotropik (CTE) inifòm, sa ki anpeche estrès tèmik lokalize, deformation, ak fann mekanik anba sik tèmik repete.

3. Kouch pwoteksyon CVD Silisyòm Carbide (SiC)

Konpozan kritik ki ekspoze a vapè Silisyòm ak gaz pirifikasyon koroziv yo kouvri ak yon kouch dans 50-80 μm nan Silisyòm Carbide (SiC) Depozisyon Vapè Chimik (CVD).

• Baryè Korozyon:Anpeche reyaksyon chimik dirèk ant vapè silikon temèt (SiO2) ak substrat grafit la (SiO2 + 2C → SiC + CO2), elimine ewozyon sifas ak jenerasyon pousyè kabòn.
• Presizyon Jewometrik:Kenbe jeyometri egzak chan tèmik la sou entèval sèvis 30% pi long.

Done Pèfòmans Mezire ak Validasyon Esè sou Tèren

Yo te fè yon esè konparatif 6 mwa sou teren atravè 50 founo CZ 32 pous nan yon etablisman fabrikasyon plak silikon TOPCon nivo 1. Anba la a se referans pèfòmans ki konpare konpozan grafit estanda yo ak solisyon chan tèmik pirifye VeTek Semiconductor la:

Kesyon yo poze souvan (FAQ)

Konklizyon ak Konsiltasyon Teknik

Amelyorasyon pou konpozan grafit izostatik ultra-pirifye ak pwoteksyon CVD SiC bay yon chemen dirèk ak mezirab pou rezoud blokaj sede ak enpurte nan kwasans silikon monokristalin N-tip 32 pous. Avèk yon amelyorasyon 18% nan sede prensipal la ak yon dire lavi chan tèmik ki pwolonje 30%, manifaktirè waf solè yo ka reyalize yon ROI sibstansyèl.