Hír

Milyen technikai akadályai vannak a szilícium-karbidnak?
admin által, 2022.05.24-én
A félvezető anyagok első generációját a hagyományos szilícium (Si) és a germánium (Ge) képviseli, amelyek az integrált áramkörök gyártásának alapját képezik. Széles körben használják őket kisfeszültségű, kisfrekvenciás és kis teljesítményű tranzisztorokban és detektorokban. A félvezető termékek több mint 90%-a...
További információ
Hogyan készül a SiC mikropor?
admin által, 2013.05.24-én
A SiC egykristály egy IV-IV. csoportú félvezető vegyület, amely két elemből, Si-ből és C-ből áll, 1:1 sztöchiometrikus arányban. Keménysége a gyémánt után a második. A SiC előállításához használt szilícium-oxid szénredukciós módszere főként a következő kémiai reakcióképleten alapul...
További információ
Hogyan segítik az epitaxiális rétegek a félvezető eszközöket?
admin által, 2013.05.24-én
Az epitaxiális ostya elnevezés eredete Először is, népszerűsítsünk egy rövid koncepciót: az ostyakészítés két fő láncszemet foglal magában: az aljzat előkészítését és az epitaxiális folyamatot. Az aljzat egy félvezető egykristályos anyagból készült ostya. Az aljzat közvetlenül beléphet az ostyagyártásba...
További információ
Bevezetés a kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) vékonyréteg-leválasztási technológiába
admin által, 2006.05.24-én
A kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) egy fontos vékonyréteg-leválasztási technológia, amelyet gyakran használnak különféle funkcionális filmek és vékonyréteg-anyagok előállítására, és széles körben alkalmazzák a félvezetőgyártásban és más területeken. 1. A CVD működési elve A CVD eljárás során egy gázprekurzor (egy vagy...
További információ
A fotovoltaikus félvezetőipar mögött álló „fekete arany” titka: az izosztatikus grafit iránti vágy és függőség
admin által, 2006.05.24-én
Az izosztatikus grafit nagyon fontos anyag a fotovoltaikus elemekben és a félvezetőkben. A hazai izosztatikus grafitgyártó vállalatok gyors térnyerésével a külföldi vállalatok monopóliuma Kínában megtört. A folyamatos független kutatásnak és fejlesztésnek, valamint a technológiai áttöréseknek köszönhetően a ...
További információ
A grafithajók alapvető jellemzőinek feltárása a félvezető kerámiagyártásban
admin által, 2022.04.24-én
A grafithajók, más néven grafithajók, kulcsszerepet játszanak a félvezető kerámiagyártás bonyolult folyamataiban. Ezek a speciális edények megbízható hordozóként szolgálnak a félvezető ostyák számára a magas hőmérsékletű kezelések során, biztosítva a precíz és szabályozott feldolgozást. A ...
További információ
A kemencecső-berendezés belső szerkezetét részletesen ismertetjük.
admin által, 2022.04.24-én
Amint fentebb látható, egy tipikus Az első fele: ▪ Fűtőelem (fűtőtekercs): a kemencecső körül helyezkedik el, általában ellenálláshuzalokból készül, a kemencecső belsejének melegítésére szolgál. ▪ Kvarccső: A forró oxidációs kemence magja, nagy tisztaságú kvarcból készül, amely ellenáll a hőnek...
További információ
A SiC szubsztrát és az epitaxiális anyagok hatása a MOSFET eszközök jellemzőire
admin által, 2016.04.24-én
Háromszög alakú hiba A háromszög alakú hibák a legvégzetesebb morfológiai hibák a SiC epitaxiális rétegeiben. Számos irodalmi jelentés kimutatta, hogy a háromszög alakú hibák kialakulása összefügg a 3C kristályformával. A különböző növekedési mechanizmusok miatt azonban számos...
További információ
SiC szilícium-karbid egykristály növekedése
admin által, 2016.04.24-én
Felfedezése óta a szilícium-karbid széles körű figyelmet kapott. A szilícium-karbid fele részben Si-atomokból, fele részben C-atomokból áll, amelyeket kovalens kötések kötnek össze sp3 hibrid pályákat megosztó elektronpárokon keresztül. Egykristályának alapvető szerkezeti egységében négy Si-atom található...
További információ