SiC ծածկույթ գրաֆիտային ենթաշերտից կիսահաղորդչային SiC ծածկված գրաֆիտ կրիչների համար

Կարճ նկարագրություն:

 


  • Ծագման վայրը.Չժեցզյան, Չինաստան (Մայրցամաք)
  • Մոդելի համարը:Նավակ3004
  • Քիմիական բաղադրությունը:SiC ծածկված գրաֆիտ
  • Ճկման ուժ:470 ՄՊա
  • Ջերմային ջերմահաղորդություն:300 W/mK
  • Որակը:Կատարյալ
  • Գործառույթ:CVD-SiC
  • Դիմում:Կիսահաղորդիչ /Ֆոտովոլտաիկ
  • Խտությունը:3,21 գ/ք
  • Ջերմային ընդլայնում.4 10-6/Կ
  • Մոխիր: <5 ppm
  • Նմուշ:Հասանելի է
  • HS կոդը:6903100000
  • Ապրանքի մանրամասն

    Ապրանքի պիտակներ

    ապրանքի նկարագրությունը

    CVD-SiC ծածկույթն ունի միատեսակ կառուցվածքի, կոմպակտ նյութի, բարձր ջերմաստիճանի դիմադրության, օքսիդացման դիմադրության, բարձր մաքրության, թթու և ալկալային դիմադրության և օրգանական ռեագենտի բնութագրերը՝ կայուն ֆիզիկական և քիմիական հատկություններով:

    Համեմատած բարձր մաքրության գրաֆիտի նյութերի հետ՝ գրաֆիտը սկսում է օքսիդանալ 400C ջերմաստիճանում, ինչը կհանգեցնի օքսիդացման պատճառով փոշու կորստի, ինչը կհանգեցնի շրջակա միջավայրի աղտոտմանը ծայրամասային սարքերին և վակուումային խցիկներին և կբարձրացնի բարձր մաքրության միջավայրի կեղտը:

    Այնուամենայնիվ, SiC ծածկույթը կարող է պահպանել ֆիզիկական և քիմիական կայունությունը 1600 աստիճանով, Այն լայնորեն օգտագործվում է ժամանակակից արդյունաբերության մեջ, հատկապես կիսահաղորդչային արդյունաբերության մեջ:

    Մեր ընկերությունը տրամադրում է SiC ծածկույթի գործընթացի ծառայություններ CVD մեթոդով գրաֆիտի, կերամիկայի և այլ նյութերի մակերևույթի վրա, որպեսզի ածխածին և սիլիցիում պարունակող հատուկ գազերը արձագանքեն բարձր ջերմաստիճանում՝ ստանալով բարձր մաքրության SiC մոլեկուլներ, ծածկված նյութերի մակերեսին նստած մոլեկուլներ, SIC պաշտպանիչ շերտի ձևավորում:Ձևավորված SIC-ը ամուր կապված է գրաֆիտի հիմքի հետ՝ տալով գրաֆիտի հիմքին հատուկ հատկություններ, այդպիսով գրաֆիտի մակերեսը դարձնելով կոմպակտ, ծակոտկենությունից զերծ, բարձր ջերմաստիճանի դիմադրություն, կոռոզիոն դիմադրություն և օքսիդացման դիմադրություն:

    Դիմում:

    2

    Հիմնական հատկանիշները:

    1. Բարձր ջերմաստիճանի օքսիդացման դիմադրություն.

    օքսիդացման դիմադրությունը դեռ շատ լավ է, երբ ջերմաստիճանը հասնում է 1700 C-ի:

    2. Բարձր մաքրություն. պատրաստված է քիմիական գոլորշիների նստեցմամբ բարձր ջերմաստիճանի քլորացման պայմաններում:

    3. Էրոզիայի դիմադրություն՝ բարձր կարծրություն, կոմպակտ մակերես, մանր մասնիկներ:

    4. Կոռոզիոն դիմադրություն՝ թթու, ալկալի, աղ և օրգանական ռեակտիվներ:

    CVD-SIC ծածկույթների հիմնական բնութագրերը.

    SiC-CVD

    Խտություն

    (գ/cc)

    3.21

    Ճկման ուժ

    (Mpa)

    470 թ

    Ջերմային ընդլայնում

    (10-6/K)

    4

    Ջերմային ջերմահաղորդություն

    (W/mK)

    300

    Մատակարարման հնարավորություն:

    10000 հատ/կտոր ամսական
    Փաթեթավորում և առաքում.
    Փաթեթավորում: Ստանդարտ և ամուր փաթեթավորում
    Պոլի պայուսակ + տուփ + ստվարաթղթե + ծղոտե ներքնակ
    Նավահանգիստ:
    Նինգբո/Շենժեն/Շանհայ
    Կատարման ժամանակ:

    Քանակ (հատ) 1 – 1000 > 1000
    Էստ.Ժամանակ (օր) 15 Բանակցելու համար

  • Նախորդը:
  • Հաջորդը:

  • WhatsApp առցանց զրույց!