Սիլիցիումի կարբիդով պատված գրաֆիտային հիմք կիսահաղորդիչների համար, MOCVD ընկալիչ

SiC ծածկույթով ընկալիչների հիմնական առանձնահատկությունները՝

1. Բարձր ջերմաստիճանի օքսիդացման դիմադրություն.Դիմացկուն է մինչև 1700℃ ջերմաստիճանի, ինչը այն դարձնում է հարմար ծայրահեղ մշակման պայմանների համար։

2. Բարձր մաքրություն և ջերմային միատարրություն.Ապահովում է կայուն արդյունքներ, կարևոր էMOCVD ընկալիչներև այլ ճշգրիտ կիրառություններ։

3. Գերազանց կոռոզիոն դիմադրություն.Դիմացկուն է թթուների, ալկալիների, աղերի և տարբեր օրգանական ռեակտիվների նկատմամբ։

4. Բարձրացված մակերեսային կարծրություն.Կոմպակտ մակերես՝ մանր մասնիկներով, որոնք ապահովում են ավելի բարձր ամրություն և երկարակեցություն։

5. Երկարացված ծառայության ժամկետը.Մշակված է կայուն աշխատանքի համար, գերազանցելով ստանդարտ սիլիցիումի կարբիդով պատված սուսեպտորներին դժվար մշակման միջավայրերում։

Որպես առաջատար արտադրող, VET Energy-ն մասնագիտանում է անհատականացված գրաֆիտի ևսիլիցիումի կարբիդային արտադրանքտարբեր ծածկույթների տարբերակներով, այդ թվում՝SiC ծածկույթ, TaC ծածկույթ, ապակե ածխածնային ծածկույթև պիրոլիտիկ ածխածնային ծածկույթ։ Մենք հպարտությամբ սպասարկում ենք կիսահաղորդչային և ֆոտովոլտային արդյունաբերությունները՝ մատակարարելով սիլիցիումի կարբիդով պատված գրաֆիտային ընկալիչներ, որոնք բավարարում են կոնկրետ շահագործման պահանջները։

Մեր տեխնիկական թիմը, որը փորձ ունի տեղական առաջատար հետազոտական ​​հաստատություններից, նվիրված է զարգացող կարիքների համար նյութական լուծումների առաջխաղացմանը։SiC-ով պատված գրաֆիտային ընկալիչշուկա։ Մեր արտոնագրված գործընթացի միջոցով VET Energy-ն մշակել է եզակի տեխնոլոգիա, որը զգալիորեն բարելավում է սիլիցիումի կարբիդային ծածկույթի և հիմքի միջև կապի ամրությունը՝ նվազեցնելով անջատման ռիսկը և բարձրացնելով երկարաժամկետ հուսալիությունը։