-
למה סיליקון כל כך קשה אבל כל כך שביר?
סיליקון הוא גביש אטומי, שהאטומים שלו מחוברים זה לזה באמצעות קשרים קוולנטיים, ויוצרים מבנה רשת מרחבי. במבנה זה, הקשרים הקוולנטיים בין האטומים הם כיווניים מאוד ובעלי אנרגיית קשר גבוהה, מה שגורם לסיליקון להראות קשיות גבוהה כשהוא מתנגד לכוחות חיצוניים...קרא עוד -
מדוע דפנות צד מתכופפות במהלך איכול יבש?
חוסר אחידות בהפצצת יונים איכול יבש הוא בדרך כלל תהליך המשלב השפעות פיזיקליות וכימיות, שבו הפצצת יונים היא שיטת איכול פיזיקלית חשובה. במהלך תהליך האיכול, זווית הפגיעה וחלוקת האנרגיה של היונים עשויות להיות לא אחידות. אם הפגיעה ביונים...קרא עוד -
מבוא לשלוש טכנולוגיות CVD נפוצות
שקיעת אדים כימית (CVD) היא הטכנולוגיה הנפוצה ביותר בתעשיית המוליכים למחצה לשקיעת מגוון חומרים, כולל מגוון רחב של חומרי בידוד, רוב חומרי המתכת וחומרי סגסוגות מתכת. CVD היא טכנולוגיית הכנת שכבה דקה מסורתית. עקרונותיה...קרא עוד -
האם יהלום יכול להחליף התקני מוליכים למחצה אחרים בעלי הספק גבוה?
כאבן הפינה של מכשירים אלקטרוניים מודרניים, חומרי מוליכים למחצה עוברים שינויים חסרי תקדים. כיום, יהלום מראה בהדרגה את הפוטנציאל הגדול שלו כחומר מוליך למחצה מהדור הרביעי, בזכות תכונותיו החשמליות והתרמיות המצוינות ויציבותו תחת תנאים קיצוניים...קרא עוד -
מהו מנגנון הפלנריזציה של CMP?
Dual-Damascene היא טכנולוגיית תהליך המשמשת לייצור חיבורי מתכת במעגלים משולבים. זוהי פיתוח נוסף של תהליך דמשק. על ידי יצירת חורים וחריצים בו זמנית באותו שלב תהליך ומילוי שלהם במתכת, הייצור המשולב של...קרא עוד -
גרפיט עם ציפוי TaC
א. חקירת פרמטרים בתהליך 1. מערכת TaCl5-C3H6-H2-Ar 2. טמפרטורת שיקוע: על פי הנוסחה התרמודינמית, מחושב שכאשר הטמפרטורה גבוהה מ-1273K, אנרגיית גיבס החופשית של התגובה נמוכה מאוד והתגובה יחסית שלמה. התוצאה האמיתית...קרא עוד -
תהליך גידול גבישי סיליקון קרביד וטכנולוגיית ציוד
1. טכנולוגיית גידול גבישי SiC PVT (שיטת סובלימציה), HTCVD (CVD בטמפרטורה גבוהה), LPE (שיטת הפאזה הנוזלית) הן שלוש שיטות נפוצות לגידול גבישי SiC; השיטה המוכרת ביותר בתעשייה היא שיטת PVT, ויותר מ-95% מגבישי ה-SiC היחידים גדלים באמצעות PVT...קרא עוד -
הכנה ושיפור ביצועים של חומרים מרוכבים מסיליקון פחמן נקבובי
סוללות ליתיום-יון מתפתחות בעיקר לכיוון צפיפות אנרגיה גבוהה. בטמפרטורת החדר, חומרי אלקטרודה שלילית מבוססי סיליקון יוצרים סגסוגת עם ליתיום ליצירת מוצר עשיר בליתיום, פאזה Li3.75Si, עם קיבולת ספציפית של עד 3572 מיליאמפר/גרם, שהיא גבוהה בהרבה מהתיאוריה...קרא עוד -
חמצון תרמי של סיליקון גבישי יחיד
היווצרות סיליקון דו-חמצני על פני השטח של סיליקון נקראת חמצון, ויצירת סיליקון דו-חמצני יציב ודביק מאוד הובילה להולדתה של טכנולוגיית המעגלים המישוריים המשולבים בסיליקון. למרות שישנן דרכים רבות לגדל סיליקון דו-חמצני ישירות על פני השטח של סיליקון...קרא עוד
- English
- French
- German
- Portuguese
- Spanish
- Russian
- Japanese
- Korean
- Arabic
- Irish
- Greek
- Turkish
- Italian
- Danish
- Romanian
- Indonesian
- Czech
- Afrikaans
- Swedish
- Polish
- Basque
- Catalan
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- Albanian
- Amharic
- Armenian
- Azerbaijani
- Belarusian
- Bengali
- Bosnian
- Bulgarian
- Cebuano
- Chichewa
- Corsican
- Croatian
- Dutch
- Estonian
- Filipino
- Finnish
- Frisian
- Galician
- Georgian
- Gujarati
- Haitian
- Hausa
- Hawaiian
- Hebrew
- Hmong
- Hungarian
- Icelandic
- Igbo
- Javanese
- Kannada
- Kazakh
- Khmer
- Kurdish
- Kyrgyz
- Latin
- Latvian
- Lithuanian
- Luxembou..
- Macedonian
- Malagasy
- Malay
- Malayalam
- Maltese
- Maori
- Marathi
- Mongolian
- Burmese
- Nepali
- Norwegian
- Pashto
- Persian
- Punjabi
- Serbian
- Sesotho
- Sinhala
- Slovak
- Slovenian
- Somali
- Samoan
- Scots Gaelic
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- Ukrainian
- Urdu
- Uzbek
- Vietnamese
- Welsh
- Xhosa
- Yiddish
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur