ಕೆಲವು ನ್ಯಾನೋಮೀಟರ್ಗಳಷ್ಟು ತೆಳುವಾದ ಅರೆವಾಹಕಗಳ ಪದರಗಳನ್ನು ಒಟ್ಟಿಗೆ ಜೋಡಿಸುವ ಹೊಸ ವಿಧಾನವು ವೈಜ್ಞಾನಿಕ ಆವಿಷ್ಕಾರಕ್ಕೆ ಮಾತ್ರವಲ್ಲದೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳಿಗೆ ಹೊಸ ರೀತಿಯ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗೆ ಕಾರಣವಾಗಿದೆ. ಅಪ್ಲೈಡ್ ಫಿಸಿಕ್ಸ್ ಲೆಟರ್ಸ್ನಲ್ಲಿ ಪ್ರಕಟವಾದ ಫಲಿತಾಂಶವು ಭಾರಿ ಆಸಕ್ತಿಯನ್ನು ಹುಟ್ಟುಹಾಕಿದೆ.
ಲಿಂಕೋಪಿಂಗ್ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದ ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳು ಮತ್ತು ಲಿಯುನಲ್ಲಿನ ವಸ್ತು ವಿಜ್ಞಾನ ಸಂಶೋಧನೆಯ ಸ್ಪಿನ್-ಆಫ್ ಕಂಪನಿಯಾದ ಸ್ವೀಗಾನ್ ನಡುವಿನ ನಿಕಟ ಸಹಯೋಗದ ಫಲಿತಾಂಶವೇ ಈ ಸಾಧನೆ. ಕಂಪನಿಯು ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ನೈಟ್ರೈಡ್ನಿಂದ ಸೂಕ್ತವಾದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಘಟಕಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸುತ್ತದೆ.
ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ನೈಟ್ರೈಡ್, GaN, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಬೆಳಕು-ಹೊರಸೂಸುವ ಡಯೋಡ್ಗಳಿಗೆ ಬಳಸುವ ಅರೆವಾಹಕವಾಗಿದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಇದು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳಂತಹ ಇತರ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಲ್ಲಿಯೂ ಸಹ ಉಪಯುಕ್ತವಾಗಬಹುದು, ಏಕೆಂದರೆ ಇದು ಇತರ ಅನೇಕ ಅರೆವಾಹಕಗಳಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ಮತ್ತು ಪ್ರಸ್ತುತ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಬಲ್ಲದು. ಇವು ಭವಿಷ್ಯದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಘಟಕಗಳಿಗೆ ಪ್ರಮುಖ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಾಗಿವೆ, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ವಿದ್ಯುತ್ ವಾಹನಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸುವವುಗಳಿಗೆ.
ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ನೈಟ್ರೈಡ್ ಆವಿಯನ್ನು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ನ ವೇಫರ್ ಮೇಲೆ ಸಾಂದ್ರೀಕರಿಸಲು ಅನುಮತಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ತೆಳುವಾದ ಲೇಪನವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ. ಒಂದು ಸ್ಫಟಿಕದಂತಹ ವಸ್ತುವನ್ನು ಇನ್ನೊಂದರ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ಬೆಳೆಸುವ ವಿಧಾನವನ್ನು "ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿ" ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ವಿಧಾನವನ್ನು ಅರೆವಾಹಕ ಉದ್ಯಮದಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಏಕೆಂದರೆ ಇದು ರೂಪುಗೊಂಡ ನ್ಯಾನೊಮೀಟರ್ ಫಿಲ್ಮ್ನ ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆ ಮತ್ತು ರಾಸಾಯನಿಕ ಸಂಯೋಜನೆ ಎರಡನ್ನೂ ನಿರ್ಧರಿಸುವಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸ್ವಾತಂತ್ರ್ಯವನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ.
ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ನೈಟ್ರೈಡ್, GaN, ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್, SiC (ಎರಡೂ ಬಲವಾದ ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಬಲ್ಲವು) ಗಳ ಸಂಯೋಜನೆಯು, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಗಳ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಿಗೆ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು ಸೂಕ್ತವೆಂದು ಖಚಿತಪಡಿಸುತ್ತದೆ.
ಆದಾಗ್ಯೂ, ಎರಡು ಸ್ಫಟಿಕದಂತಹ ವಸ್ತುಗಳಾದ ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ನೈಟ್ರೈಡ್ ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ನಡುವಿನ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿನ ಹೊಂದಾಣಿಕೆ ಕಳಪೆಯಾಗಿದೆ. ಪರಮಾಣುಗಳು ಪರಸ್ಪರ ಹೊಂದಿಕೆಯಾಗುವುದಿಲ್ಲ, ಇದು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ನ ವೈಫಲ್ಯಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಇದನ್ನು ಸಂಶೋಧನೆಯಿಂದ ಪರಿಹರಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇದು ತರುವಾಯ ವಾಣಿಜ್ಯ ಪರಿಹಾರಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಯಿತು, ಇದರಲ್ಲಿ ಎರಡು ಪದರಗಳ ನಡುವೆ ಇನ್ನೂ ತೆಳುವಾದ ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ನೈಟ್ರೈಡ್ ಪದರವನ್ನು ಇರಿಸಲಾಯಿತು.
SweGaN ನ ಎಂಜಿನಿಯರ್ಗಳು ತಮ್ಮ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ನಿರೀಕ್ಷಿಸಿದ್ದಕ್ಕಿಂತ ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಕ್ಷೇತ್ರ ಸಾಮರ್ಥ್ಯಗಳನ್ನು ನಿಭಾಯಿಸಬಲ್ಲವು ಎಂದು ಆಕಸ್ಮಿಕವಾಗಿ ಗಮನಿಸಿದರು, ಮತ್ತು ಅವರಿಗೆ ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ಏಕೆ ಎಂದು ಅರ್ಥವಾಗಲಿಲ್ಲ. ಉತ್ತರವನ್ನು ಪರಮಾಣು ಮಟ್ಟದಲ್ಲಿ ಕಾಣಬಹುದು - ಘಟಕಗಳ ಒಳಗೆ ಒಂದೆರಡು ನಿರ್ಣಾಯಕ ಮಧ್ಯಂತರ ಮೇಲ್ಮೈಗಳಲ್ಲಿ.
ಲಿಯು ಮತ್ತು ಸ್ವೆಗಾನ್ನ ಸಂಶೋಧಕರು, ಲಿಯುನ ಲಾರ್ಸ್ ಹಲ್ಟ್ಮನ್ ಮತ್ತು ಜುನ್ ಲು ನೇತೃತ್ವದಲ್ಲಿ, ಅಪ್ಲೈಡ್ ಫಿಸಿಕ್ಸ್ ಲೆಟರ್ಸ್ನಲ್ಲಿ ಈ ವಿದ್ಯಮಾನದ ವಿವರಣೆಯನ್ನು ಪ್ರಸ್ತುತಪಡಿಸುತ್ತಾರೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಳನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳುವ ಇನ್ನೂ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದೊಂದಿಗೆ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸುವ ವಿಧಾನವನ್ನು ವಿವರಿಸುತ್ತಾರೆ.
ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳು ಈ ಹಿಂದೆ ತಿಳಿದಿಲ್ಲದ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿದಿದ್ದಾರೆ, ಅದನ್ನು ಅವರು "ಟ್ರಾನ್ಸ್ಮಾರ್ಫಿಕ್ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಬೆಳವಣಿಗೆ" ಎಂದು ಹೆಸರಿಸಿದ್ದಾರೆ. ಇದು ವಿಭಿನ್ನ ಪದರಗಳ ನಡುವಿನ ಒತ್ತಡವನ್ನು ಪರಮಾಣುಗಳ ಒಂದೆರಡು ಪದರಗಳಲ್ಲಿ ಕ್ರಮೇಣ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಂತೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಇದರರ್ಥ ಅವರು ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ನೈಟ್ರೈಡ್ ಮತ್ತು ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ನೈಟ್ರೈಡ್ ಎಂಬ ಎರಡು ಪದರಗಳನ್ನು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ನಲ್ಲಿ ಬೆಳೆಸಬಹುದು, ಇದರಿಂದಾಗಿ ವಸ್ತುವಿನಲ್ಲಿ ಪದರಗಳು ಪರಸ್ಪರ ಹೇಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿವೆ ಎಂಬುದನ್ನು ಪರಮಾಣು ಮಟ್ಟದಲ್ಲಿ ನಿಯಂತ್ರಿಸಬಹುದು. ಪ್ರಯೋಗಾಲಯದಲ್ಲಿ ಅವರು ವಸ್ತುವು 1800 V ವರೆಗಿನ ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಳನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ ಎಂದು ತೋರಿಸಿದ್ದಾರೆ. ಅಂತಹ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಕ್ಲಾಸಿಕ್ ಸಿಲಿಕಾನ್-ಆಧಾರಿತ ಘಟಕದಾದ್ಯಂತ ಇರಿಸಿದರೆ, ಕಿಡಿಗಳು ಹಾರಲು ಪ್ರಾರಂಭಿಸುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ನಾಶವಾಗುತ್ತದೆ.
"ಸ್ವೀಗಾನ್ ಆವಿಷ್ಕಾರವನ್ನು ಮಾರುಕಟ್ಟೆಗೆ ತರಲು ಪ್ರಾರಂಭಿಸುತ್ತಿರುವುದಕ್ಕೆ ನಾವು ಅವರನ್ನು ಅಭಿನಂದಿಸುತ್ತೇವೆ. ಇದು ಸಮಾಜದಲ್ಲಿ ಸಂಶೋಧನಾ ಫಲಿತಾಂಶಗಳ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಸಹಯೋಗ ಮತ್ತು ಬಳಕೆಯನ್ನು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ. ಕಂಪನಿಯಲ್ಲಿ ಈಗ ಕೆಲಸ ಮಾಡುತ್ತಿರುವ ನಮ್ಮ ಹಿಂದಿನ ಸಹೋದ್ಯೋಗಿಗಳೊಂದಿಗೆ ನಾವು ಹೊಂದಿರುವ ನಿಕಟ ಸಂಪರ್ಕದಿಂದಾಗಿ, ನಮ್ಮ ಸಂಶೋಧನೆಯು ಶೈಕ್ಷಣಿಕ ಪ್ರಪಂಚದ ಹೊರಗೆ ಸಹ ವೇಗವಾಗಿ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ" ಎಂದು ಲಾರ್ಸ್ ಹಲ್ಟ್ಮನ್ ಹೇಳುತ್ತಾರೆ.
ಲಿಂಕೋಪಿಂಗ್ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯ ಒದಗಿಸಿದ ಸಾಮಗ್ರಿಗಳು. ಮೂಲವನ್ನು ಮೋನಿಕಾ ವೆಸ್ಟ್ಮನ್ ಸ್ವೆನ್ಸೆಲಿಯಸ್ ಬರೆದಿದ್ದಾರೆ. ಗಮನಿಸಿ: ಶೈಲಿ ಮತ್ತು ಉದ್ದಕ್ಕೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿ ವಿಷಯವನ್ನು ಸಂಪಾದಿಸಬಹುದು.
ಸೈನ್ಸ್ಡೈಲಿಯ ಉಚಿತ ಇಮೇಲ್ ಸುದ್ದಿಪತ್ರಗಳೊಂದಿಗೆ ಇತ್ತೀಚಿನ ವಿಜ್ಞಾನ ಸುದ್ದಿಗಳನ್ನು ಪಡೆಯಿರಿ, ಪ್ರತಿದಿನ ಮತ್ತು ವಾರಕ್ಕೊಮ್ಮೆ ನವೀಕರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಅಥವಾ ನಿಮ್ಮ RSS ರೀಡರ್ನಲ್ಲಿ ಗಂಟೆಗೊಮ್ಮೆ ನವೀಕರಿಸಿದ ಸುದ್ದಿ ಫೀಡ್ಗಳನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಿ:
ಸೈನ್ಸ್ಡೈಲಿ ಬಗ್ಗೆ ನಿಮ್ಮ ಅಭಿಪ್ರಾಯ ತಿಳಿಸಿ — ನಾವು ಸಕಾರಾತ್ಮಕ ಮತ್ತು ನಕಾರಾತ್ಮಕ ಕಾಮೆಂಟ್ಗಳನ್ನು ಸ್ವಾಗತಿಸುತ್ತೇವೆ. ಸೈಟ್ ಬಳಸುವಾಗ ಏನಾದರೂ ಸಮಸ್ಯೆಗಳಿವೆಯೇ? ಪ್ರಶ್ನೆಗಳಿವೆಯೇ?
ಪೋಸ್ಟ್ ಸಮಯ: ಮೇ-11-2020