Tegumenta CVD ad Processum Semiconductorum Provectum
Ad ambitus criticos fabricationis semiconductorum fabricata, nostrae obductiones e Depositione Vaporis Chemici (CVD) e Carburo Silicii (SiC), Carburo Tantali (TaC), et Carbone Pyrolytico (PyC) praebent inertiam chemicam eximiam, stabilitatem thermalem extremam, et puritatem altissimam (< 5 ppm). Ad protegendas substrata graphita et ceramica altae puritatis a plasmate aggressivo, gasibus processuum reactivis, et cyclis thermalibus altis designatae, obductiones nostrae provectae generationem particularum minuunt et vitam componentium significanter extendunt.Epitaxia Silicii/SiC, MOCVD, Corrosio Plasmatis, et Incrementum Monocrystallinumapplicationes.
Impuritates metallicae humiles, per GDMS verificatae, ad contaminationem crustularum in processibus criticis prohibendam.
Structura crystallina densa contra plasmas halogeni (CF₄, NF₃, Cl₂) et gases corrosivos protegit.
Stricta CTE temperatio microfissuras et delaminationem tunicae sub gravibus ictubus thermalibus eliminat.
| Typus Tegumenti | Commodum Technicum Clave | Applicatio Processus Primarii |
|---|---|---|
| Tegumentum SiC CVD | Alta conductivitas thermalis, praestans resistentia erosionis plasmatis | Rasura Sicca, Epitaxia Si, MOCVD, Incrementum Crystallinum |
| Tegumentum CVD TaC | Resistentia temperaturae extremae (>2000°C), impedimentum corrosionis H₂/SiH₄ | Epitaxia SiC, Incrementum PVT SiC Crystallino Singulari |
| Tegumentum PyC | Obsignatio gasis hermetica, superficies carbonis anisotropica ultra-laevigata | Insulatio campi thermalis, CZ Silicium monocrystallinum |
-
Tantalum Carbide Coating Wafer Susceptor
-
SiC Solidum CVD Altae Puritatis Massa
-
Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor
-
Dolium porosum tantali carburo obductum
-
Barrel Susceptor Liquid Phase Epitaxy LPE
-
Anulus Altae Puritatis Tantali Carbido Obductus
-
Anulus Segmenti Graphici Obductus TaC Adhaerens
-
Partes ad mensuram factae cum tegumento carburi tantalii TaC
-
Fabricator operculorum graphito obducto TaC