Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptorest instrumentum sustentatorium et calefaciens specialiter designatum ad substrata semiconductoria tenenda et calefacienda in processibus fabricationis sicut depositionis vel epitaxiae adhibitum.

Structura eius plerumque cylindricam vel paulum dolii formam habet, superficiem autem plurima loculos vel suggesta ad crustulas ponendas habet, et, pro ratione calefactionis, forma solida vel cava esse potest.

Functiones principales susceptoris dolii epitaxialis:

1. Ferculum Oblatae et Moderatio Temperaturae
Superficies susceptoris multis loculis laminarum (velut hexagonalibus vel octogonalibus) designata est, quae 6-15 laminas simul sustinere possunt. Alta conductivitas thermalis graphiti altae puritatis (120-150W/mK) celerem translationem caloris praestat, una cum functione rotationis (5-20 RPM), unde deviatio temperaturae superficiei laminae <± 1 ℃ et uniformitas crassitudinis strati epitaxialis <1%.

2. Directionis fluxus gasis reactantis optimizatio
Microstructura superficiei susceptoris effectum strati limitis frangere potest, distributionem uniformem gasorum reactionis (velut SiH4, NH3) permittens et constantiam celeritatis depositionis emendans.

3. Protectio contra pollutionem et corrosionem
Substrata graphita prona sunt decompositioni et impuritates metallicas (velut Fe, Ni) temperaturis altis emittunt, dum stratum SiC CVD 100μm crassum densam impedimentum formare potest ad volatilizationem graphitae reprimendam, unde fit ut proportio vitiorum in lamella <0.1 defectus/cm² sit.

Applicationes:
-Praesertim ad accretionem epitaxialem silicii adhibetur
-Etiam applicabilis ad epitaxiam aliarum materiarum semiconductorum sicut GaAs, InP, etc.

VET Energy graphitum altae puritatis cum obductione CVD-SiC ad stabilitatem chemicam augendam utitur:

1. Materia graphitae altae puritatis
Alta conductivitas thermalis: conductivitas thermalis graphiti triplo maior est quam silicii, quae celeriter calorem a fonte calefactionis ad crustulam transferre et tempus calefactionis breviare potest.
Robur mechanicum: Pressio isostatica graphiti densitas ≥ 1.85 g/cm³, temperaturas altas supra 1200℃ sine deformatione tolerare potest.

2. Obductio SiC CVD
Stratum β-SiC in superficie graphiti per depositionem vaporis chemici (CVD) formatur, puritate ≥ 99.99995%, error uniformitatis crassitudinis strati minor quam ±5% est, et asperitas superficialis minor quam Ra0.5um.

3. Augmentum effectus:
Resistentia corrosionis: gasa valde corrosiva, ut Cl2, HCl, etc., resistere potest, et vitam epitaxiae GaN in ambitu NH3 triplicare potest.
Stabilitas thermalis: Coefficiens expansionis thermalis (4.5 × 10⁻⁶/℃) graphito congruit, ne rimae ob fluctuationes temperaturae inducantur.
Duritia et Resistentia Attritionis: Duritia Vickers ad 28 GPa pervenit, quae decies altior est quam graphiti et periculum scalpturarum in lamella minuere potest.