CVD-coatings voor geavanceerde halfgeleiderverwerking
Onze coatings van siliciumcarbide (SiC), tantaalcarbide (TaC) en pyrolytisch koolstof (PyC), vervaardigd via chemische dampafzetting (CVD), zijn ontwikkeld voor kritische productieomgevingen in de halfgeleiderindustrie en bieden een uitstekende chemische inertheid, extreme thermische stabiliteit en ultrahoge zuiverheid (< 5 ppm). Onze geavanceerde coatings zijn ontworpen om hoogzuivere grafiet- en keramische substraten te beschermen tegen agressief plasma, reactieve procesgassen en hoge thermische cycli. Ze minimaliseren de deeltjesvorming en verlengen de levensduur van componenten aanzienlijk.Silicium/SiC-epitaxie, MOCVD, plasma-etsen en monokristalgroeitoepassingen.
GDMS-geverifieerd laag gehalte aan metaalverontreinigingen om waferverontreiniging in kritische processen te voorkomen.
De dichte kristallijne structuur beschermt tegen halogeenplasma (CF₄, NF₃, Cl₂) en corrosieve gassen.
Strikte controle van de thermische uitzettingscoëfficiënt (CTE) voorkomt microscheurtjes en delaminatie van de coating bij extreme thermische schokken.
| Coatingtype | Belangrijk technisch voordeel | Primaire procesapplicatie |
|---|---|---|
| CVD SiC-coating | Hoge thermische geleidbaarheid, uitstekende weerstand tegen plasma-erosie. | Droogetsen, Si-epitaxie, MOCVD, kristalgroei |
| CVD TaC-coating | Extreem hoge temperatuurbestendigheid (>2000 °C), H₂/SiH₄-corrosiebarrière | SiC-epitaxie, PVT-groei van eenkristallijn SiC |
| PyC-coating | Hermetische gasafdichting, ultraglad anisotroop koolstofoppervlak | Thermische veldisolatie, CZ monokristallijn silicium |
-
Tantaalcarbide Coating Wafer Susceptor
-
Hoogzuiver CVD-vast SiC-bulk
-
Epitaxiale Epi-grafietvat susceptor
-
Poreuze loop met tantaalcarbide coating
-
Vat susceptor voor vloeibare fase-epitaxie LPE
-
Ring met coating van zeer zuiver tantaalcarbide
-
TaC-gecoate grafietsegmentverbindingsring
-
Op maat gemaakte onderdelen met TaC-tantaalcarbidecoating.
-
Fabrikant van TaC-gecoate grafietdeksels