SiC Solidum CVD Altae Puritatis Massa

Imago Insignis SiC Solidi CVD Altae Puritatis

Descriptio Brevis:

Incrementum rapidum crystallorum singularium SiC utens fontibus CVD-SiC (Depositio Vaporis Chemici – SiC) est methodus communis ad materias crystallinas singulares SiC altae qualitatis praeparandas. Hi crystalli singulares in variis applicationibus adhiberi possunt, inter quas sunt machinae electronicae magnae potentiae, machinae optoelectronicae, sensoria, et machinae semiconductrices.

Mitte nobis inscriptionem electronicam Deprime ut PDF

Detalia Producti

Etiquettae Productarum

VET Energy puritatem altissimam adhibet.carburum silicii (SiC)formata per depositionem vaporis chemici(CVD)ut materia prima ad crescendumCrystallae SiCper translationem vaporis physicam (PVT). In PVT, materia prima in... imponitur...crucibulumet in crystallum seminale sublimatum.

Fons altae puritatis requiritur ad fabricandum altae qualitatisCrystallae SiC.

Societas VET Energy in praebendis magnis particularibus SiC pro PVT excellit, quia densitatem maiorem habet quam materia parvarum particularum per combustionem spontaneam gasorum Si et C continentium formata. Dissimilis sinterationi phase solidae vel reactioni Si et C, non requirit fornacem sintering dedicatam vel gradum sintering temporis consumentem in fornace accretionis. Haec materia magnis particularibus ratem evaporationis fere constantem habet, quae uniformitatem inter cursus emendat.

Introductio:
1. Fontem formae CVD-SiC para: Primum, fontem formae CVD-SiC altae qualitatis parare debes, qui plerumque magnae puritatis et altae densitatis est. Hic per depositionem vaporis chemici (CVD) sub condicionibus reactionis aptis praeparari potest.

2. Praeparatio substrati: Substratum idoneum elige ut substratum ad accretionem monocrystalli SiC. Inter materias substrati vulgo adhibitas sunt carburum silicii, nitridum silicii, et cetera, quae bene congruunt cum monocrystallo SiC crescente.

3. Calefactio et sublimatio: Fontem lateris CVD-SiC et substratum in fornacem altae temperaturae pone et condiciones sublimatio aptas praebe. Sublimatio significat fontem lateris, alta temperatura, directe a statu solido ad vaporem mutare, et deinde in superficie substrati recondensare ad crystallum singularem formandum.

4. Temperatio moderanda: Per sublimationis processum, gradiens temperaturae et distributio temperaturae accurate moderandae sunt ut sublimatio fontis saxei et incrementum crystallorum singularum promoveatur. Temperatio apta qualitatem crystalli et celeritatem incrementi idealem consequi potest.

5. Atmosphaerae moderatio: Per sublimationis processum, atmosphaera reactionis etiam moderanda est. Gas iners altae puritatis (velut argon) plerumque ut gas vector adhibetur ad pressionem et puritatem aptam conservandam et contaminationem ab impuritatibus prohibendam.

6. Incrementum crystalli singularis: Fons obstructus CVD-SiC transitionem phasis vaporis subit per processum sublimationis et recondensatur in superficie substrati ad structuram crystalli singularis formandam. Incrementum rapidum crystallorum singularium SiC per condiciones sublimationis idoneas et moderationem gradientis temperaturae obtineri potest.