Nostra missio erit crescere ut simus praebitor innovativus instrumentorum digitalium et communicationis altae technologiae, offerendo elegantiam additam utilitatis, productionem summae classis, et facultates reparationis pro pretiis Valvarum Globosarum Graphiticarum Sinarum ad Curationem Caloris. Propositum nostrum est creare condicionem communem cum clientibus nostris. Credimus nos optimam electionem vestram fore. "Fama Primo, Clientes Ante Omnia." "Quaestionem vestram exspectamus."
Munus nostrum erit crescere ut simus praebitor innovativus instrumentorum digitalium et communicationis altae technologiae, offerendo elegantiam additam utilitatis, productionem summae classis, et facultates reparationis pro...Crucibulum Graphiticum Sinense, Mineralia et MateriaeSemper honestati, mutuo commodo, communi progressu adhaeremus. Post annos progressus et indefessa opera omnium operariorum, nunc habemus systema exportationis perfectum, variata logistica, amplas officia navigationis clientibus aptatae, vecturae aereae, celeris internationalis et logisticae. Elaboratam suggestum acquisitionis unius stationis pro clientibus nostris creamus!
Carbonium / composita carbonica(deinceps appellatum ""C / C vel CFC") est genus materiae compositae quae in carbone fundatur et fibra carbonica eiusque productis (praeforma fibrae carbonicae) roboratur. Et inertiam carbonis et magnam firmitatem fibrae carbonicae habet. Proprietates mechanicas bonas, resistentiam caloris, resistentiam corrosionis, mitigationem frictionis et conductivitatem thermalem et electricam habet.
CVD-SiCObductio proprietates habet structurae uniformis, materiae compactae, resistentiae temperaturae altae, resistentiae oxidationis, puritatis altae, resistentiae acidorum et alcali, et reagentis organici, cum proprietatibus physicis et chemicis stabilibus.
Comparatus cum materiis graphitis altae puritatis, graphitus incipit oxidari ad 400°C, quod iacturam pulveris propter oxidationem efficiet, pollutionem environmentalem machinarum periphericarum et camerarum vacui efficiens, et impuritates ambientis altae puritatis augens.
Attamen, obductio SiC stabilitatem physicam et chemicam ad 1600 gradus servare potest, late in industria moderna, praesertim in industria semiconductorum, adhibetur.
Societas nostra officia processus obductionis SiC per methodum CVD in superficiebus graphiti, ceramicis, aliarumque materiarum praebet, ut gases speciales, carbonem et silicium continentes, alta temperatura reagant ad moleculas SiC altae puritatis obtinendas, quae moleculae in superficie materiarum obductarum deponuntur, stratum SIC protectivum formantes. SIC formatum firmiter basi graphiti adhaeret, basi graphiti proprietates speciales tribuens, ita superficiem graphiti compactam, sine porositate, resistentem altae temperaturae, corrosioni, et oxidationi reddit.
Proprietates principales:
1. Resistentia oxidationis altae temperaturae:
Resistentia oxidationis adhuc optima est cum temperatura usque ad 1600°C alta pervenit.
2. Alta puritas: facta per depositionem vaporis chemici sub condicione chlorinationis altae temperaturae.
3. Resistentia erosionis: alta duritia, superficies compacta, particulae tenues.
4. Resistentia corrosionis: acidum, alcali, sal et reagentia organica.
Specificationes principales tegumentorum CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Densitas | (g/cc)
| 3.21 |
| Robur flexurale | (Mpa)
| 470 |
| Expansio thermalis | (10-6/K) | 4
|
| Conductivitas thermalis | (W/mK) | trecenti
|
