Nia misio estus kreski por esti noviga provizanto de altteknologiaj ciferecaj kaj komunikaj aparatoj, ofertante avantaĝojn kaj stilon, mondnivelan produktadon kaj riparajn kapablojn por ofertoj pri ĉinaj grafitaj pilkvalvoj por varmotraktado. Nia celo estas krei reciproke avantaĝan situacion kun niaj klientoj. Ni kredas, ke ni estos via plej bona elekto. "Reputacio unue, klientoj ĉefe." Ni atendas vian demandon.
Nia misio estus kreski por esti noviga provizanto de altteknologiaj ciferecaj kaj komunikaj aparatoj ofertante avantaĝon aldonitan stilon, mondnivelan produktadon kaj riparkapablojn porĈinio Grafita Krisolo, Mineraloj kaj MaterialojNi ĉiam sekvas la principojn de honesteco, reciproka profito kaj komuna disvolviĝo. Post jaroj da disvolviĝo kaj senlacaj klopodoj de ĉiuj dungitoj, ni nun havas perfektan eksportan sistemon, diversajn loĝistikajn solvojn, ampleksan servon por kontentigi klientojn, aertransporton, internaciajn ekspresajn kaj loĝistikajn servojn. Ni havas kompleksan unu-haltan liveradan platformon por niaj klientoj!
Karbono/karbonaj kompozitoj(ĉi-poste nomata "C / C aŭ CFC”) estas speco de kompozita materialo bazita sur karbono kaj plifortigita per karbonfibro kaj ĝiaj produktoj (karbonfibra preformo). Ĝi havas kaj la inercion de karbono kaj la altan forton de karbonfibro. Ĝi havas bonajn mekanikajn ecojn, varmoreziston, korodreziston, frikcio-dampigon kaj termikajn kaj elektrajn konduktivecajn karakterizaĵojn.
CVD-SiCtegaĵo havas la karakterizaĵojn de unuforma strukturo, kompakta materialo, alta temperaturrezisto, oksidiĝrezisto, alta pureco, acido-alkala rezisto kaj organika reakciilo, kun stabilaj fizikaj kaj kemiaj ecoj.
Kompare kun altpurecaj grafitaj materialoj, grafito komencas oksidiĝi je 400 °C, kio kaŭzos perdon de pulvoro pro oksidiĝo, rezultante en media poluado de periferiaj aparatoj kaj vakuaj ĉambroj, kaj pliigos malpuraĵojn de altpureca medio.
Tamen, SiC-tegaĵo povas konservi fizikan kaj kemian stabilecon je 1600 gradoj, ĝi estas vaste uzata en moderna industrio, precipe en la duonkonduktaĵa industrio.
Nia kompanio provizas servojn pri SiC-tegado per CVD-metodo sur la surfaco de grafito, ceramiko kaj aliaj materialoj, tiel ke specialaj gasoj enhavantaj karbonon kaj silicion reagas je alta temperaturo por akiri altpurecajn SiC-molekulojn, kiuj deponiĝas sur la surfaco de la tegitaj materialoj, formante SIC-protektan tavolon. La formita SIC estas firme ligita al la grafita bazo, donante al la grafita bazo specialajn ecojn, tiel igante la surfacon de la grafito kompakta, senporeca, altan temperaturreziston, korodreziston kaj oksidiĝreziston.
Ĉefaj trajtoj:
1. Rezisto al oksidiĝo al alta temperaturo:
la oksidiĝa rezisto estas ankoraŭ tre bona kiam la temperaturo estas tiel alta kiel 1600 C.
2. Alta pureco: farita per kemia vapora deponado sub altaj temperaturoj de klorado.
3. Eroziorezisto: alta malmoleco, kompakta surfaco, fajnaj partikloj.
4. Kororezisto: acido, alkalo, salo kaj organikaj reakciiloj.
Ĉefaj Specifoj de CVD-SIC-Tegaĵoj:
| SiC-CVD | ||
| Denseco | (g/cm³)
| 3.21 |
| Fleksforto | (Mpa)
| 470 |
| Termika ekspansio | (10-6/K) | 4
|
| Varmokondukteco | (W/mK) | 300
|
