අපගේ මෙහෙවර වනුයේ තාප පිරියම් කිරීම සඳහා වන Quots for China Graphite Ball Valves සඳහා ප්රතිලාභ එකතු කළ ශෛලිය, ලෝක මට්ටමේ නිෂ්පාදනය සහ අලුත්වැඩියා කිරීමේ හැකියාවන් ලබා දීමෙන් අධි තාක්ෂණික ඩිජිටල් සහ සන්නිවේදන උපාංගවල නව්ය සැපයුම්කරුවෙකු බවට පත්වීමයි, අපගේ ඉලක්කය වන්නේ අපගේ ගනුදෙනුකරුවන් සමඟ ජයග්රාහී තත්වයක් නිර්මාණය කිරීමයි. අපි ඔබේ හොඳම තේරීම වනු ඇතැයි අපි විශ්වාස කරමු. “පළමුව කීර්තිය, ප්රමුඛතම පාරිභෝගිකයා. “ඔබේ විමසීම සඳහා බලා සිටිමු.
අපගේ මෙහෙවර වනුයේ ප්රතිලාභ එකතු කළ ශෛලිය, ලෝක මට්ටමේ නිෂ්පාදනය සහ අලුත්වැඩියා හැකියාවන් ලබා දීමෙන් අධි තාක්ෂණික ඩිජිටල් සහ සන්නිවේදන උපාංගවල නව්ය සැපයුම්කරුවෙකු බවට පත්වීමයි.චීන ග්රැෆයිට් කෲසිබල්, ඛනිජ සහ ද්රව්ය, අපි සැමවිටම අවංකභාවය, අන්යෝන්ය ප්රතිලාභ, පොදු සංවර්ධනය, වසර ගණනාවක සංවර්ධනයෙන් සහ සියලුම කාර්ය මණ්ඩලයේ නොපසුබට උත්සාහයෙන් පසුව අනුගමනය කිරීමට අනුගත වෙමු, දැන් පරිපූර්ණ අපනයන පද්ධතියක්, විවිධාංගීකරණය වූ සැපයුම් විසඳුම්, පුළුල් පාරිභෝගික හමුවීම්, ගුවන් ප්රවාහනය, ජාත්යන්තර අධිවේගී සහ සැපයුම් සේවා ඇත. අපගේ ගනුදෙනුකරුවන් සඳහා එක්-නැවතුම් මූලාශ්ර වේදිකාවක් විස්තාරණය කරන්න!
කාබන් / කාබන් සංයුක්ත(මින් ඉදිරියට "" ලෙස හඳුන්වනු ලැබේ.C / C හෝ CFC”) යනු කාබන් මත පදනම් වූ සහ කාබන් ෆයිබර් සහ එහි නිෂ්පාදන (කාබන් ෆයිබර් ප්රීෆෝම්) මගින් ශක්තිමත් කරන ලද සංයුක්ත ද්රව්ය වර්ගයකි. එයට කාබන් වල අවස්ථිති බව සහ කාබන් ෆයිබර් වල ඉහළ ශක්තිය යන දෙකම ඇත. එයට හොඳ යාන්ත්රික ගුණ, තාප ප්රතිරෝධය, විඛාදන ප්රතිරෝධය, ඝර්ෂණ තෙතමනය සහ තාප හා විද්යුත් සන්නායකතා ලක්ෂණ ඇත.
CVD-SiCආලේපනය ඒකාකාර ව්යුහය, සංයුක්ත ද්රව්ය, ඉහළ උෂ්ණත්ව ප්රතිරෝධය, ඔක්සිකරණ ප්රතිරෝධය, ඉහළ සංශුද්ධතාවය, අම්ල සහ ක්ෂාර ප්රතිරෝධය සහ කාබනික ප්රතික්රියාකාරකය යන ලක්ෂණ ඇති අතර ස්ථාවර භෞතික හා රසායනික ගුණ ඇත.
අධි-සංශුද්ධතාවයෙන් යුත් මිනිරන් ද්රව්ය හා සසඳන විට, මිනිරන් 400C දී ඔක්සිකරණය වීමට පටන් ගනී, එය ඔක්සිකරණය හේතුවෙන් කුඩු නැතිවීමට හේතු වන අතර, එහි ප්රතිඵලයක් ලෙස පර්යන්ත උපාංග සහ රික්ත කුටිවලට පරිසර දූෂණයක් ඇති වන අතර අධි-සංශුද්ධතාවයෙන් යුත් පරිසරයේ අපද්රව්ය වැඩි වේ.
කෙසේ වෙතත්, SiC ආලේපනය අංශක 1600 ක භෞතික හා රසායනික ස්ථායිතාව පවත්වා ගත හැකි අතර, එය නවීන කර්මාන්තවල, විශේෂයෙන් අර්ධ සන්නායක කර්මාන්තයේ බහුලව භාවිතා වේ.
අපගේ සමාගම ග්රැෆයිට්, පිඟන් මැටි සහ අනෙකුත් ද්රව්ය මතුපිට CVD ක්රමය මගින් SiC ආලේපන ක්රියාවලි සේවා සපයන අතර එමඟින් කාබන් සහ සිලිකන් අඩංගු විශේෂ වායූන් ඉහළ උෂ්ණත්වයකදී ප්රතික්රියා කර ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් SiC අණු ලබා ගනී, ආලේපිත ද්රව්යවල මතුපිට තැන්පත් කර ඇති අණු, SIC ආරක්ෂිත තට්ටුවක් සාදයි. සාදන ලද SIC ග්රැෆයිට් පදනමට තදින් බැඳී ඇති අතර, ග්රැෆයිට් පදනමට විශේෂ ගුණාංග ලබා දෙයි, එමඟින් ග්රැෆයිට් මතුපිට සංයුක්ත, සිදුරු රහිත, ඉහළ උෂ්ණත්ව ප්රතිරෝධය, විඛාදන ප්රතිරෝධය සහ ඔක්සිකරණ ප්රතිරෝධය ඇති කරයි.
ප්රධාන අංග:
1. ඉහළ උෂ්ණත්ව ඔක්සිකරණ ප්රතිරෝධය:
උෂ්ණත්වය සෙල්සියස් අංශක 1600 තරම් ඉහළ මට්ටමක පවතින විට ඔක්සිකරණ ප්රතිරෝධය තවමත් ඉතා හොඳයි.
2. ඉහළ සංශුද්ධතාවය: ඉහළ උෂ්ණත්ව ක්ලෝරිනීකරණ තත්ත්වය යටතේ රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් වීමෙන් සාදනු ලැබේ.
3. ඛාදන ප්රතිරෝධය: ඉහළ දෘඪතාව, සංයුක්ත මතුපිට, සියුම් අංශු.
4. විඛාදන ප්රතිරෝධය: අම්ලය, ක්ෂාර, ලුණු සහ කාබනික ප්රතික්රියාකාරක.
CVD-SIC ආලේපනවල ප්රධාන පිරිවිතර:
| SiC-CVD | ||
| ඝනත්වය | (ග්රෑම්/සීසී)
| 3.21 |
| නම්යශීලී ශක්තිය | (එම්පීඒ)
| 470 (470) |
| තාප ප්රසාරණය | (10-6/කි) | 4
|
| තාප සන්නායකතාවය | (ප/කිලෝමීටර) | 300 යි
|
