Носачи на графит со облога од SiC, sic облога, SiC облога обложена со графитна подлога за полупроводници

Обложена со силициум карбидГрафитниот диск е за подготовка на заштитен слој од силициум карбид на површината на графитот со физичко или хемиско таложење на пареа и прскање. Подготвениот заштитен слој од силициум карбид може цврсто да се залепи за графитната матрица, правејќи ја површината на графитната основа густа и без празнини, давајќи ѝ на графитната матрица посебни својства, вклучувајќи отпорност на оксидација, отпорност на киселини и алкалии, отпорност на ерозија, отпорност на корозија итн. Во моментов, Gan премазот е една од најдобрите основни компоненти за епитаксијален раст на силициум карбид.

Полупроводникот од силициум карбид е основниот материјал на новоразвиениот полупроводник со широк енергетски јаз. Неговите уреди имаат карактеристики на отпорност на висока температура, отпорност на висок напон, висока фреквенција, висока моќност и отпорност на зрачење. Има предности како што се голема брзина на префрлување и висока ефикасност. Може значително да ја намали потрошувачката на енергија на производот, да ја подобри ефикасноста на конверзија на енергија и да го намали обемот на производот. Главно се користи во 5G комуникацијата, националната одбрана и воената индустрија. RF полето претставено од воздухопловството и полето на енергетска електроника претставено од нови енергетски возила и „нова инфраструктура“ имаат јасни и значителни пазарни перспективи и во цивилната и во воената област.

Подлогата од силициум карбид е основниот материјал на новоразвиениот полупроводник со широк енергетски јаз. Подлогата од силициум карбид главно се користи во микробрановата електроника, енергетската електроника и други области.Се наоѓа на предниот крај од синџирот на индустријата за полупроводници со широк енергетски јаз и е најсовремен и основен клучен материјал за јадрото. Подлогата од силициум карбид може да се подели на два вида: полуизолациона и спроводлива. Меѓу нив, полуизолационата подлога од силициум карбид има висока отпорност (отпорност ≥ 105 Ω· см). Полуизолационата подлога во комбинација со хетерогена епитаксијална фолија од галиум нитрид може да се користи како материјал за RF уреди, кој главно се користи во 5g комуникација, национална одбрана и воена индустрија во горенаведените сцени; другата е спроводлива подлога од силициум карбид со ниска отпорност (опсегот на отпорност е 15 ~ 30 m Ω· см). Хомогената епитаксија на спроводливата подлога од силициум карбид и силициум карбид може да се користи како материјали за енергетски уреди. Главните сценарија на примена се електрични возила, енергетски системи и други области.