ഒരു എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളി എന്നത് ഒരു വേഫർ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിൽ ഒരു എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പ്രക്രിയയിലൂടെ വളർത്തുന്ന ഒരു പ്രത്യേക സിംഗിൾ-ക്രിസ്റ്റൽ നേർത്ത ഫിലിമാണ്; സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് വേഫറിനെയും എപ്പിറ്റാക്സിയൽ ഫിലിമിനെയും ഒരുമിച്ച് എപ്പിറ്റാക്സിയൽ വേഫർ എന്ന് വിളിക്കുന്നു. ഇവയിൽ, ഒരു ചാലക സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിൽ ഒരു സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളി വളർത്തുന്നത് ഒരു ഏകതാനമായ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് എപ്പിറ്റാക്സിയൽ വേഫർ ഉത്പാദിപ്പിക്കുന്നു, ഇത് ഷോട്ട്കി ഡയോഡുകൾ, MOSFET-കൾ, IGBT-കൾ തുടങ്ങിയ പവർ ഉപകരണങ്ങളിലേക്ക് കൂടുതൽ നിർമ്മിക്കാൻ കഴിയും. ഏറ്റവും വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്ന സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് തരം 4H-SiC സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റാണ്.
മിക്കവാറും എല്ലാ ഉപകരണങ്ങളും എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളികളിലാണ് നിർമ്മിച്ചിരിക്കുന്നത് എന്നതിനാൽ, എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളിയുടെ ഗുണനിലവാരം ഉപകരണ പ്രകടനത്തിൽ കാര്യമായ സ്വാധീനം ചെലുത്തുന്നു. എന്നിരുന്നാലും, ക്രിസ്റ്റൽ, സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് പ്രോസസ്സിംഗ് എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളിയുടെ ഗുണനിലവാരത്തെ സ്വാധീനിക്കുന്നു, ഇത് വ്യവസായത്തിൽ ഒരു നിർണായക ഘട്ടത്തിൽ സ്ഥാപിക്കുകയും അതിന്റെ വികസനത്തിൽ നിർണായക പങ്ക് വഹിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു.
സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളികൾ തയ്യാറാക്കുന്നതിനുള്ള പ്രാഥമിക രീതികളിൽ ഇവ ഉൾപ്പെടുന്നു: നീരാവി നിക്ഷേപം; ലിക്വിഡ് ഫേസ് എപ്പിറ്റാക്സി (LPE); മോളിക്യുലാർ ബീം എപ്പിറ്റാക്സി (MBE); കെമിക്കൽ വേപ്പർ നിക്ഷേപം (CVD). ഇവയിൽ, 4H-SiC ഹോമോജീനിയസ് എപ്പിറ്റാക്സിക്ക് ഏറ്റവും വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്ന രീതിയാണ് കെമിക്കൽ വേപ്പർ നിക്ഷേപം (CVD). 4H-SiC CVD എപ്പിറ്റാക്സി സാധാരണയായി CVD ഉപകരണങ്ങൾ ഉപയോഗിക്കുന്നു, ഇത് ഉയർന്ന വളർച്ചാ താപനിലയിൽ 4H-SiC ക്രിസ്റ്റൽ ഘടനയുടെ തുടർച്ച ഉറപ്പാക്കുന്നു.
സിവിഡി ഉപകരണങ്ങളിൽ, സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് നേരിട്ട് ഒരു ലോഹ പ്രതലത്തിൽ സ്ഥാപിക്കാനോ എപ്പിറ്റാക്സിയൽ ഡിപ്പോസിഷനായി ഒരു ബേസിൽ സ്ഥാപിക്കാനോ കഴിയില്ല, കാരണം ഇതിൽ വാതക പ്രവാഹ ദിശ (തിരശ്ചീന, ലംബ), താപനില, മർദ്ദം, ഫിക്സേഷൻ, ഷെഡിംഗ് കണികകളിൽ നിന്നുള്ള മലിനീകരണം തുടങ്ങിയ വിവിധ സ്വാധീന ഘടകങ്ങൾ ഉൾപ്പെടുന്നു. അതിനാൽ, ഒരു സപ്പോർട്ട് ബേസ് ആവശ്യമാണ്; സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് ഒരു ട്രേയിൽ സ്ഥാപിക്കുന്നു, തുടർന്ന് സിവിഡി സാങ്കേതികവിദ്യ ഉപയോഗിച്ച് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിൽ എപ്പിറ്റാക്സിയൽ ഡിപ്പോസിഷൻ നടത്തുന്നു. ഈ സപ്പോർട്ട് ബേസ് ഒരു SiC- കോട്ടിംഗ് ഗ്രാഫൈറ്റ് ബേസാണ്.
ഒരു പ്രധാന ഘടകമെന്ന നിലയിൽ, ഗ്രാഫൈറ്റ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിന് ഉയർന്ന നിർദ്ദിഷ്ട ശക്തിയും നിർദ്ദിഷ്ട മോഡുലസും ഉണ്ട്, കൂടാതെ നല്ല താപ ആഘാതവും നാശന പ്രതിരോധവും ഉണ്ട്. എന്നിരുന്നാലും, ഉൽ‌പാദന സമയത്ത്, ദ്രവണാങ്ക വാതകങ്ങളും അവശിഷ്ടമായ ഓർഗാനോമെറ്റാലിക് സംയുക്തങ്ങളും കാരണം ഗ്രാഫൈറ്റ് നാശത്തിനും പൊടി ചൊരിയലിനും വിധേയമാകുന്നു, ഇത് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിന്റെ സേവന ആയുസ്സ് ഗണ്യമായി കുറയ്ക്കുന്നു. അതേസമയം, ഷെഡ് ഗ്രാഫൈറ്റ് പൊടി ചിപ്പുകളെ മലിനമാക്കും. സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് എപ്പിറ്റാക്സിയൽ വേഫറുകളുടെ നിർമ്മാണത്തിൽ, ഗ്രാഫൈറ്റ് വസ്തുക്കളുടെ എക്കാലത്തെയും കർശനമായ ആവശ്യകതകൾ നിറവേറ്റുന്നത് കൂടുതൽ ബുദ്ധിമുട്ടായിത്തീർന്നിരിക്കുന്നു, ഇത് അവയുടെ വികസനവും പ്രായോഗിക പ്രയോഗവും കർശനമായി പരിമിതപ്പെടുത്തുന്നു. തൽഫലമായി,കോട്ടിംഗ് സാങ്കേതികവിദ്യഒരു പരിഹാരമായി ഉയർന്നുവന്നിട്ടുണ്ട്.
സെമികണ്ടക്ടർ വ്യവസായത്തിൽ SiC കോട്ടിംഗുകളുടെ ഗുണങ്ങൾ
ഉയർന്ന താപനിലയ്ക്കും നാശന പ്രതിരോധത്തിനും കോട്ടിംഗുകളുടെ ഭൗതികവും രാസപരവുമായ ഗുണങ്ങൾ കർശനമായ ആവശ്യകതകൾ പാലിക്കണം, കാരണം ഇവ ഉൽപ്പന്ന വിളവിനെയും ആയുസ്സിനെയും നേരിട്ട് ബാധിക്കുന്നു. SiC മെറ്റീരിയലിന് ഉയർന്ന ശക്തി, ഉയർന്ന കാഠിന്യം, കുറഞ്ഞ താപ വികാസ ഗുണകം, മികച്ച താപ ചാലകത എന്നിവയുണ്ട്, ഇത് ഇതിനെ ഒരു നിർണായക ഉയർന്ന താപനില ഘടനാപരവും അർദ്ധചാലകവുമായ വസ്തുവാക്കി മാറ്റുന്നു. ഗ്രാഫൈറ്റ് അടിവസ്ത്രങ്ങളിൽ പ്രയോഗിക്കുമ്പോൾ, അതിന്റെ ഗുണങ്ങളിൽ ഇവ ഉൾപ്പെടുന്നു:
1) SiC നാശത്തെ പ്രതിരോധിക്കുന്നതും ഗ്രാഫൈറ്റ് അടിവസ്ത്രത്തെ പൂർണ്ണമായും ഉൾക്കൊള്ളാൻ കഴിയുന്നതുമാണ്. ഇതിന്റെ ഉയർന്ന സാന്ദ്രത നാശകാരിയായ വാതകങ്ങളിൽ നിന്നുള്ള കേടുപാടുകൾ തടയുന്നു.
2) SiC-ക്ക് ഉയർന്ന താപ ചാലകതയും ഗ്രാഫൈറ്റ് അടിവസ്ത്രവുമായി ശക്തമായ ബോണ്ടിംഗ് ശക്തിയും ഉണ്ട്, ഇത് ആവർത്തിച്ചുള്ള ഉയർന്ന-താഴ്ന്ന താപനില ചക്രങ്ങൾക്ക് ശേഷവും കോട്ടിംഗ് കേടുകൂടാതെയിരിക്കുന്നതായി ഉറപ്പാക്കുന്നു.
3) SiC-ക്ക് മികച്ച രാസ സ്ഥിരതയുണ്ട്, ഉയർന്ന താപനിലയിലും നാശകാരിയായ അന്തരീക്ഷത്തിലും കോട്ടിംഗ് പരാജയം തടയുന്നു.
കൂടാതെ, വ്യത്യസ്ത വസ്തുക്കളാൽ നിർമ്മിച്ച എപ്പിറ്റാക്സിയൽ ചൂളകൾക്ക് പ്രത്യേക പ്രകടന സവിശേഷതകളുള്ള ഗ്രാഫൈറ്റ് ട്രേകൾ ആവശ്യമാണ്. ഗ്രാഫൈറ്റ് മെറ്റീരിയലിന്റെ താപ വികാസ ഗുണകം എപ്പിറ്റാക്സിയൽ ചൂളയുടെ വളർച്ചാ താപനിലയുമായി പൊരുത്തപ്പെടണം. ഉദാഹരണത്തിന്, സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് എപ്പിറ്റാക്സിയുടെ വളർച്ചാ താപനില ഉയർന്നതിനാൽ, ഉയർന്ന അളവിലുള്ള താപ വികാസ ഗുണക പൊരുത്തമുള്ള ട്രേകൾ ആവശ്യമാണ്. SiC യുടെ താപ വികാസ ഗുണകം ഗ്രാഫൈറ്റിൽ നിന്ന് വളരെ കുറച്ച് വ്യത്യാസപ്പെട്ടിരിക്കുന്നു, ഇത് ഗ്രാഫൈറ്റ് അടിവസ്ത്രങ്ങളുടെ ഉപരിതലം പൂശുന്നതിന് ഏറ്റവും അനുയോജ്യമായ വസ്തുവാക്കി മാറ്റുന്നു.
SiC ഒന്നിലധികം ക്രിസ്റ്റൽ രൂപങ്ങളിൽ നിലവിലുണ്ട്, നിലവിൽ ഏറ്റവും സാധാരണമായത് 3C, 4H, 6H തരങ്ങളാണ്, ഓരോന്നും വ്യത്യസ്ത ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്കായി ഉപയോഗിക്കുന്നു. ഉദാഹരണത്തിന്, ഉയർന്ന പവർ ഉപകരണങ്ങൾ നിർമ്മിക്കാൻ 4H-SiC ഉപയോഗിക്കുന്നു; 6H-SiC ഏറ്റവും സ്ഥിരതയുള്ളതും ഒപ്‌റ്റോഇലക്‌ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങൾ നിർമ്മിക്കാൻ ഉപയോഗിക്കുന്നു; GaN-നോടുള്ള ഘടനാപരമായ സാമ്യം കാരണം 3C-SiC, SiC-GaN RF ഉപകരണങ്ങളുടെ നിർമ്മാണത്തിനായി GaN എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളികൾ നിർമ്മിക്കാൻ ഉപയോഗിക്കുന്നു. 3C-SiC സാധാരണയായി β-SiC എന്നും അറിയപ്പെടുന്നു. β-SiC യുടെ ഒരു പ്രധാന പ്രയോഗം ഒരു നേർത്ത-ഫിലിം, കോട്ടിംഗ് മെറ്റീരിയൽ എന്നിവയാണ്; തൽഫലമായി, നിലവിൽ കോട്ടിംഗുകൾക്ക് ഉപയോഗിക്കുന്ന പ്രാഥമിക മെറ്റീരിയൽ β-SiC ആണ്.
സെമികണ്ടക്ടർ ഉൽ‌പാദനത്തിൽ ഒരു സാധാരണ ഉപഭോഗവസ്തു എന്ന നിലയിൽ, SiC കോട്ടിംഗുകൾ പ്രധാനമായും സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് തയ്യാറാക്കൽ, എപ്പിറ്റാക്സി, ഓക്സിഡേഷൻ ആൻഡ് ഡിഫ്യൂഷൻ, എച്ചിംഗ്, അയോൺ ഇംപ്ലാന്റേഷൻ തുടങ്ങിയ പ്രക്രിയകളിലാണ് ഉപയോഗിക്കുന്നത്. കോട്ടിംഗിന്റെ ഭൗതികവും രാസപരവുമായ ഗുണങ്ങൾ ഉയർന്ന താപനില പ്രതിരോധത്തിനും നാശന പ്രതിരോധത്തിനും കർശനമായ ആവശ്യകതകൾ പാലിക്കണം, കാരണം ഇവ ഉൽപ്പന്ന വിളവിനെയും ആയുസ്സിനെയും നേരിട്ട് ബാധിക്കുന്നു. തൽഫലമായി, SiC കോട്ടിംഗുകളുടെ തയ്യാറെടുപ്പ് നിർണായകമാണ്.
സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് കോട്ടിംഗുകൾ തയ്യാറാക്കുന്നതിനുള്ള പ്രക്രിയ
നിലവിൽ, SiC കോട്ടിംഗുകൾ തയ്യാറാക്കുന്നതിനുള്ള പ്രാഥമിക രീതികളിൽ സോൾ-ജെൽ രീതി, എംബെഡിംഗ് രീതി, ബ്രഷ് കോട്ടിംഗ്, പ്ലാസ്മ സ്പ്രേയിംഗ്, കെമിക്കൽ വേപ്പർ റിയാക്ഷൻ (CVR), കെമിക്കൽ വേപ്പർ ഡിപ്പോസിഷൻ (CVD) എന്നിവ ഉൾപ്പെടുന്നു.
എംബെഡ് ചെയ്യുന്ന രീതി
ഈ രീതി ഉയർന്ന താപനിലയിലുള്ള സോളിഡ്-സ്റ്റേറ്റ് സിന്ററിംഗിന്റെ ഒരു തരം ആണ്. എംബെഡിംഗ് പൗഡറായി പ്രധാനമായും സിലിക്കൺ (Si) പൊടിയുടെയും കാർബൺ (C) പൊടിയുടെയും മിശ്രിതമാണ് ഉപയോഗിക്കുന്നത്. എംബെഡിംഗ് പൗഡറിനുള്ളിൽ ഒരു ഗ്രാഫൈറ്റ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് സ്ഥാപിക്കുകയും ഒരു നിഷ്ക്രിയ വാതക അന്തരീക്ഷത്തിൽ ഉയർന്ന താപനിലയിൽ സിന്റർ ചെയ്യുകയും ചെയ്യുന്നു, ഒടുവിൽ ഗ്രാഫൈറ്റ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിന്റെ ഉപരിതലത്തിൽ ഒരു SiC കോട്ടിംഗ് രൂപപ്പെടുത്തുന്നു. ഈ രീതി ലളിതമായ ഒരു പ്രക്രിയയും കോട്ടിംഗിനും സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിനും ഇടയിൽ നല്ല അഡീഷനും നൽകുന്നു; എന്നിരുന്നാലും, കോട്ടിംഗ് കട്ടിയുള്ള ദിശയിൽ മോശം ഏകത കാണിക്കുന്നു, കൂടാതെ നിരവധി സുഷിരങ്ങൾ വികസിപ്പിക്കാൻ സാധ്യതയുണ്ട്, ഇത് മോശം ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതിരോധത്തിന് കാരണമാകുന്നു.
ബ്രഷ് കോട്ടിംഗ് രീതി
ബ്രഷ് കോട്ടിംഗ് രീതിയിൽ പ്രധാനമായും ഗ്രാഫൈറ്റ് അടിവസ്ത്രത്തിന്റെ ഉപരിതലത്തിൽ ദ്രാവക അസംസ്കൃത വസ്തുക്കൾ പ്രയോഗിക്കുന്നു, തുടർന്ന് ഒരു പ്രത്യേക താപനിലയിൽ മെറ്റീരിയൽ ക്യൂർ ചെയ്ത് കോട്ടിംഗ് ഉണ്ടാക്കുന്നു. ഈ രീതി ലളിതവും ചെലവ് കുറഞ്ഞതുമാണ്; എന്നിരുന്നാലും, തത്ഫലമായുണ്ടാകുന്ന കോട്ടിംഗ് അടിവസ്ത്രത്തോട് ദുർബലമായ അഡീഷൻ, മോശം ഏകീകൃതത, താരതമ്യേന നേർത്തതും കുറഞ്ഞ ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതിരോധം എന്നിവ പ്രകടിപ്പിക്കുന്നു, ഇത് അധിക രീതികൾ ആവശ്യമാണ്.
പ്ലാസ്മ സ്പ്രേ ചെയ്യുന്ന രീതി
പ്ലാസ്മ സ്പ്രേയിംഗ് രീതിയിൽ, പ്ലാസ്മ ഗൺ ഉപയോഗിച്ച് ഉരുകിയതോ അർദ്ധ-ഉരുകിയതോ ആയ അസംസ്കൃത വസ്തുക്കൾ ഗ്രാഫൈറ്റ് അടിവസ്ത്രത്തിന്റെ ഉപരിതലത്തിലേക്ക് സ്പ്രേ ചെയ്യുന്നു, തുടർന്ന് അത് ദൃഢീകരിച്ച് ഒരു കോട്ടിംഗ് രൂപപ്പെടുത്തുന്നു. ഈ രീതി പ്രവർത്തിക്കാൻ എളുപ്പമാണ്, കൂടാതെ താരതമ്യേന സാന്ദ്രമായ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് കോട്ടിംഗുകൾ ഉത്പാദിപ്പിക്കാനും കഴിയും; എന്നിരുന്നാലും, തത്ഫലമായുണ്ടാകുന്ന കോട്ടിംഗുകൾ പലപ്പോഴും വളരെ നേർത്തതാണ്, ഇത് മോശം ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതിരോധത്തിലേക്ക് നയിക്കുന്നു. അതിനാൽ, കോട്ടിംഗിന്റെ ഗുണനിലവാരം മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിനായി SiC കോമ്പോസിറ്റ് കോട്ടിംഗുകൾ തയ്യാറാക്കുന്നതിൽ ഇത് സാധാരണയായി ഉപയോഗിക്കുന്നു.
ജെൽ-സോൾ രീതി
ജെൽ-സോൾ രീതിയിൽ പ്രാഥമികമായി ഒരു ഏകീകൃതവും സുതാര്യവുമായ സോൾ ലായനി തയ്യാറാക്കുന്നത് ഉൾപ്പെടുന്നു, ഇത് അടിവസ്ത്ര ഉപരിതലം പൂശുന്നു. ഒരു ജെല്ലിലേക്ക് ഉണങ്ങിയ ശേഷം, മെറ്റീരിയൽ സിന്റർ ചെയ്ത് കോട്ടിംഗ് ഉണ്ടാക്കുന്നു. ഈ രീതി പ്രവർത്തിക്കാൻ ലളിതവും താരതമ്യേന കുറഞ്ഞ ചെലവുമാണ്; എന്നിരുന്നാലും, തത്ഫലമായുണ്ടാകുന്ന കോട്ടിംഗുകൾക്ക് കുറഞ്ഞ താപ ആഘാത പ്രതിരോധം, പൊട്ടാനുള്ള പ്രവണത തുടങ്ങിയ പോരായ്മകളുണ്ട്, ഇത് അവയുടെ വ്യാപകമായ പ്രയോഗത്തെ പരിമിതപ്പെടുത്തുന്നു.
കെമിക്കൽ വേപ്പർ റിയാക്ഷൻ (CVR) രീതി
ഉയർന്ന താപനിലയിൽ SiO₂ നീരാവി ഉത്പാദിപ്പിക്കാൻ CVR പ്രധാനമായും Si, SiO₂ പൊടികൾ ഉപയോഗിക്കുന്നു, ഇത് Si അടിവസ്ത്രത്തിന്റെ ഉപരിതലത്തിൽ നിരവധി രാസപ്രവർത്തനങ്ങൾക്ക് കാരണമാവുകയും ഒരു SiC കോട്ടിംഗ് രൂപപ്പെടുകയും ചെയ്യുന്നു. ഈ രീതിയിലൂടെ ഉത്പാദിപ്പിക്കപ്പെടുന്ന SiC കോട്ടിംഗ് അടിവസ്ത്രവുമായി ദൃഢമായി ബന്ധിപ്പിക്കുന്നു; എന്നിരുന്നാലും, പ്രതിപ്രവർത്തന താപനില കൂടുതലാണ്, കൂടാതെ ചെലവും താരതമ്യേന കൂടുതലാണ്.
കെമിക്കൽ വേപ്പർ ഡിപ്പോസിഷൻ (CVD)
നിലവിൽ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് പ്രതലങ്ങളിൽ SiC കോട്ടിംഗുകൾ തയ്യാറാക്കുന്നതിനുള്ള പ്രാഥമിക സാങ്കേതികവിദ്യ CVD ആണ്. പ്രധാന പ്രക്രിയയിൽ വാതക റിയാക്ടന്റുകളും സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് പ്രതലവും തമ്മിലുള്ള നിരവധി ഭൗതിക രാസ പ്രതിപ്രവർത്തനങ്ങൾ ഉൾപ്പെടുന്നു, ഇത് ഒടുവിൽ ഒരു SiC കോട്ടിംഗിന്റെ നിക്ഷേപത്തിൽ കലാശിക്കുന്നു. CVD സാങ്കേതികവിദ്യ ഉപയോഗിച്ച് നിർമ്മിക്കുന്ന SiC കോട്ടിംഗുകൾ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് പ്രതലവുമായി ദൃഢമായി ബന്ധിപ്പിക്കുകയും സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് മെറ്റീരിയലിന്റെ ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതിരോധവും അബ്ലേഷൻ പ്രതിരോധവും ഫലപ്രദമായി മെച്ചപ്പെടുത്തുകയും ചെയ്യും; എന്നിരുന്നാലും, ഈ രീതിക്ക് താരതമ്യേന നീണ്ട നിക്ഷേപ സമയം ആവശ്യമാണ്, കൂടാതെ പ്രതിപ്രവർത്തന വാതകങ്ങളിൽ ചില വിഷ ഘടകങ്ങൾ അടങ്ങിയിരിക്കുന്നു.
SiC കോട്ടിംഗുകളിലെ ട്രെൻഡുകൾ
സെമികണ്ടക്ടർ നിർമ്മാണത്തിൽ ഉപഭോഗവസ്തുക്കളായാണ് SiC കോട്ടിംഗുകൾ പ്രധാനമായും ഉപയോഗിക്കുന്നത്, കോട്ടിംഗ് യൂണിഫോമിറ്റി, താപ വികാസത്തിന്റെ ഗുണകം, താപ ചാലകത എന്നിവ പ്രധാന പ്രകടന സൂചകങ്ങളാണ്. ചൈനയിൽ SiC കോട്ടിംഗുകൾക്ക് ആഭ്യന്തരമായി ഗണ്യമായ ഡിമാൻഡ് ഉണ്ടെങ്കിലും, സാങ്കേതികവിദ്യ ഇപ്പോഴും അപക്വമാണ്. വിദേശത്ത്, ഒരു യുഎസ് കമ്പനി മാത്രമേ ഈ മേഖലയിൽ പ്രവർത്തിക്കുന്നുള്ളൂ, അതിന്റെ ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ താരതമ്യേന ചെലവേറിയതുമാണ്.
ക്രിസ്റ്റൽ ബോട്ടുകൾഎപ്പിറ്റാക്സിയൽ ഉൽ‌പാദനത്തിൽ ഉപയോഗിക്കുന്ന ഉപഭോഗവസ്തുക്കളാണ്, വിപണി അളവ് ചെറുതാണെങ്കിലും SiC- പൂശിയ ഗ്രാഫൈറ്റിന് പകരം വയ്ക്കാൻ കഴിയും. അടുത്തത് TaC- പൂശിയ ഗ്രാഫൈറ്റ് ആണ്, ഇത് ബേർ ഗ്രാഫൈറ്റിനേക്കാളും SiC- പൂശിയ ഗ്രാഫൈറ്റിനേക്കാളും മികച്ച രാസ നാശന പ്രതിരോധം നൽകുന്നു, പക്ഷേ ഇത് വളരെ ചെലവേറിയതും ഇപ്പോഴും വികസനത്തിന്റെ പ്രാരംഭ ഘട്ടത്തിലുമാണ്. നിലവിൽ, പോലുള്ള ആഭ്യന്തര കമ്പനികൾലിയുഫാങ് അർദ്ധചാലകം, സെമിസെറ, കൂടാതെവെടെക് സെമികണ്ടക്ടർഈ മേഖലയിലെ ഗവേഷണ വികസനത്തിൽ ഏർപ്പെട്ടിരിക്കുന്നു.
പോസ്റ്റ് സമയം: മെയ്-20-2026