epitaxial အလွှာဆိုသည်မှာ epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်မှတစ်ဆင့် wafer substrate ပေါ်တွင် ကြီးထွားလာသော သီးခြား single-crystal thin film တစ်ခုဖြစ်သည်။ substrate wafer နှင့် epitaxial film ကို epitaxial wafer အဖြစ် ပေါင်းစပ်ရည်ညွှန်းသည်။ ၎င်းတို့အနက်၊ လျှပ်ကူးနိုင်သော silicon carbide substrate ပေါ်တွင် silicon carbide epitaxial အလွှာကို ကြီးထွားစေခြင်းဖြင့် homogeneous silicon carbide epitaxial wafer ကို ထုတ်လုပ်ပေးပြီး ၎င်းကို Schottky diodes၊ MOSFETs နှင့် IGBTs ကဲ့သို့သော power devices များအဖြစ် ထပ်မံထုတ်လုပ်နိုင်သည်။ အသုံးအများဆုံး substrate အမျိုးအစားမှာ 4H-SiC substrate ဖြစ်သည်။
စက်ပစ္စည်းအားလုံးနီးပါးကို epitaxial layers များတွင် တည်ဆောက်ထားသောကြောင့် epitaxial layer ၏ အရည်အသွေးသည် စက်ပစ္စည်းစွမ်းဆောင်ရည်အပေါ် သိသာထင်ရှားသော သက်ရောက်မှုရှိသည်။ သို့သော် epitaxial layer ၏ အရည်အသွေးကို crystal နှင့် substrate processing မှ လွှမ်းမိုးထားပြီး ၎င်းကို လုပ်ငန်းတွင် အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုတွင် ထားရှိကာ ၎င်း၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုတွင် အဓိကအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial အလွှာများကို ပြင်ဆင်ရန် အဓိကနည်းလမ်းများတွင် အငွေ့စုပုံခြင်း၊ အရည်အဆင့် epitaxy (LPE)၊ မော်လီကျူးရောင်ခြည် epitaxy (MBE) နှင့် ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း (CVD) တို့ ပါဝင်သည်။ ၎င်းတို့ထဲတွင် ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း (CVD) သည် 4H-SiC တစ်သားတည်း epitaxy အတွက် အသုံးအများဆုံးနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ 4H-SiC CVD epitaxy သည် CVD ပစ္စည်းကိရိယာများကို အသုံးပြုလေ့ရှိပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်များအောက်တွင် 4H-SiC ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံ၏ ဆက်လက်တည်ရှိမှုကို သေချာစေသည်။
CVD ပစ္စည်းကိရိယာများတွင်၊ အောက်ခံကို သတ္တုမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် တိုက်ရိုက်မထားနိုင်ပါ သို့မဟုတ် epitaxial deposition အတွက် အခြေခံပေါ်တွင် ရိုးရိုးထား၍မရပါ၊ ၎င်းတွင် ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှု ဦးတည်ရာ (အလျားလိုက်၊ ဒေါင်လိုက်)၊ အပူချိန်၊ ဖိအား၊ fixation နှင့် အမှုန်အမွှားများ လွင့်စင်ခြင်းမှ ညစ်ညမ်းခြင်းကဲ့သို့သော လွှမ်းမိုးမှုရှိသော အချက်အမျိုးမျိုး ပါဝင်သောကြောင့်ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ အထောက်အပံ့အောက်ခံတစ်ခု လိုအပ်ပြီး အောက်ခံကို ဗန်းပေါ်တွင် ထားပြီးနောက် CVD နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ အောက်ခံပေါ်တွင် epitaxial deposition ကို လုပ်ဆောင်သည်။ ဤအထောက်အပံ့အောက်ခံသည် SiC ဖြင့်အုပ်ထားသော ဂရပ်ဖိုက်အောက်ခံဖြစ်သည်။
အဓိကအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအနေဖြင့် ဂရပ်ဖိုက်အလွှာသည် မြင့်မားသော သီးခြားခိုင်ခံ့မှုနှင့် သီးခြားမော်ဂျူးလပ်စ်အပြင် ကောင်းမွန်သော အပူဒဏ်နှင့် ချေးခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ သို့သော် ထုတ်လုပ်မှုကာလအတွင်း ဂရပ်ဖိုက်သည် ချေးဓာတ်ပြုသည့်ဓာတ်ငွေ့များနှင့် ကျန်ရှိနေသော အော်ဂဲနစ်သတ္တုဒြပ်ပေါင်းများကြောင့် ချေးခြင်းနှင့် အမှုန့်များ ကြွေကျခြင်းတို့ကို ခံရပြီး အလွှာ၏ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို သိသိသာသာ လျော့ကျစေသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ကြွေကျနေသော ဂရပ်ဖိုက်အမှုန့်သည် ချစ်ပ်များကို ညစ်ညမ်းစေနိုင်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial wafers များထုတ်လုပ်မှုတွင် ဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်းများအတွက် ပိုမိုတင်းကျပ်သော လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းရန် ပိုမိုခက်ခဲလာပြီး ၎င်းတို့၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် လက်တွေ့အသုံးချမှုကို ပြင်းထန်စွာ ကန့်သတ်ထားသည်။ ထို့ကြောင့်၊အပေါ်ယံလွှာနည်းပညာဖြေရှင်းချက်တစ်ခုအဖြစ် ပေါ်ထွက်လာခဲ့သည်။
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းတွင် SiC အပေါ်ယံလွှာများ၏ အားသာချက်များ
အပေါ်ယံလွှာများ၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဗေဒဂုဏ်သတ္တိများသည် ထုတ်ကုန်အထွက်နှုန်းနှင့် သက်တမ်းကို တိုက်ရိုက်သက်ရောက်မှုရှိသောကြောင့် အပူချိန်မြင့်မားခြင်းနှင့် ချေးခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းအတွက် တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီရမည်။ SiC ပစ္စည်းတွင် ခိုင်ခံ့မှုမြင့်မားခြင်း၊ မာကျောမှုမြင့်မားခြင်း၊ အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏန်းနည်းပါးခြင်းနှင့် အပူစီးကူးမှုကောင်းမွန်ခြင်းတို့ကြောင့် အပူချိန်မြင့်မားသောဖွဲ့စည်းပုံနှင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအဖြစ် အရေးပါသောပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဂရပ်ဖိုက်အောက်ခံများတွင် အသုံးပြုသောအခါ ၎င်း၏အားသာချက်များတွင် အောက်ပါတို့ပါဝင်သည်-
၁) SiC သည် ချေးခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ဂရပ်ဖိုက်အောက်ခံကို အပြည့်အဝဖုံးအုပ်နိုင်သည်။ ၎င်း၏ မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆသည် ချေးနိုင်သောဓာတ်ငွေ့များကြောင့် ပျက်စီးမှုကို ကာကွယ်ပေးသည်။
၂) SiC သည် အပူစီးကူးနိုင်စွမ်း မြင့်မားပြီး ဂရပ်ဖိုက်အောက်ခံနှင့် ခိုင်မာသော ချိတ်ဆက်နိုင်စွမ်း ရှိသောကြောင့် အပူချိန် မြင့်မား-နိမ့်သော ዑደ့များကို အကြိမ်ကြိမ် ပြုလုပ်ပြီးနောက်တွင်ပင် အပေါ်ယံလွှာသည် မပျက်မစီး ရှိနေမည်ဖြစ်သည်။
၃) SiC သည် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှု အလွန်ကောင်းမွန်ပြီး အပူချိန်မြင့်မားပြီး ချေးတက်လွယ်သော လေထုတွင် အပေါ်ယံလွှာ ပျက်စီးခြင်းကို ကာကွယ်ပေးသည်။
ထို့အပြင်၊ မတူညီသောပစ္စည်းများဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော epitaxial မီးဖိုများသည် သတ်မှတ်ထားသောစွမ်းဆောင်ရည်သတ်မှတ်ချက်များပါရှိသော ဂရပ်ဖိုက်ဗန်းများလိုအပ်သည်။ ဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်း၏ အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းသည် epitaxial မီးဖို၏ကြီးထွားမှုအပူချိန်နှင့် ကိုက်ညီရမည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxy အတွက် ကြီးထွားမှုအပူချိန်မြင့်မားသောကြောင့်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းကိုက်ညီမှုမြင့်မားသောဗန်းများလိုအပ်သည်။ SiC ၏ အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းသည် ဂရပ်ဖိုက်နှင့် အလွန်ကွာခြားမှုမရှိသောကြောင့် ဂရပ်ဖိုက်အလွှာများ၏မျက်နှာပြင်ကို ဖုံးအုပ်ရန်အတွက် ဦးစားပေးပစ္စည်းဖြစ်စေသည်။
SiC သည် ပုံဆောင်ခဲပုံစံအမျိုးမျိုးဖြင့် တည်ရှိပြီး လက်ရှိတွင် အသုံးအများဆုံးမှာ 3C၊ 4H နှင့် 6H အမျိုးအစားများဖြစ်ပြီး တစ်ခုချင်းစီသည် မတူညီသော အသုံးချမှုများကို ဆောင်ရွက်ပေးပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ 4H-SiC ကို မြင့်မားသောပါဝါကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရန်အသုံးပြုသည်။ 6H-SiC သည် အတည်ငြိမ်ဆုံးဖြစ်ပြီး optoelectronic ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရန်အသုံးပြုသည်။ ထို့အပြင် GaN နှင့်ဖွဲ့စည်းပုံဆင်တူသောကြောင့် 3C-SiC ကို SiC-GaN RF ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် GaN epitaxial အလွှာများ ထုတ်လုပ်ရန်အသုံးပြုသည်။ 3C-SiC ကို β-SiC ဟုလည်း ယေဘုယျအားဖြင့် ရည်ညွှန်းလေ့ရှိသည်။ β-SiC ၏ အဓိကအသုံးချမှုတစ်ခုမှာ thin-film နှင့် coating ပစ္စည်းအဖြစ်ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် β-SiC သည် လက်ရှိတွင် coatings အတွက် အသုံးပြုသော အဓိကပစ္စည်းဖြစ်သည်။
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုတွင် အသုံးများသော စားသုံးမှုတစ်ခုအနေဖြင့် SiC အပေါ်ယံလွှာများကို အဓိကအားဖြင့် အောက်ခံပြင်ဆင်ခြင်း၊ epitaxy၊ အောက်ဆီဒေးရှင်းနှင့် ပျံ့နှံ့ခြင်း၊ ထွင်းထုခြင်းနှင့် အိုင်းယွန်းထည့်သွင်းခြင်းကဲ့သို့သော လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အသုံးပြုကြသည်။ အပေါ်ယံလွှာ၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဗေဒဂုဏ်သတ္တိများသည် ထုတ်ကုန်အထွက်နှုန်းနှင့် သက်တမ်းကို တိုက်ရိုက်သက်ရောက်မှုရှိသောကြောင့် အပူချိန်မြင့်မားစွာခံနိုင်ရည်နှင့် ချေးခံနိုင်ရည်အတွက် တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီရမည်။ ထို့ကြောင့် SiC အပေါ်ယံလွှာများပြင်ဆင်ခြင်းသည် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အပေါ်ယံလွှာများပြင်ဆင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်
လက်ရှိတွင် SiC အပေါ်ယံလွှာများ ပြင်ဆင်ရန် အဓိကနည်းလမ်းများတွင် sol-gel နည်းလမ်း၊ embedding နည်းလမ်း၊ brush အပေါ်ယံလွှာ၊ plasma spraying၊ chemical vapor reaction (CVR) နှင့် chemical vapor deposition (CVD) တို့ ပါဝင်သည်။
ထည့်သွင်းနည်းလမ်း
ဤနည်းလမ်းသည် အပူချိန်မြင့် အစိုင်အခဲအခြေအနေ sintering အမျိုးအစားတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် ဆီလီကွန် (Si) အမှုန့်နှင့် ကာဗွန် (C) အမှုန့်တို့ကို ပေါင်းစပ်အမှုန့်အဖြစ် အဓိကအသုံးပြုသည်။ ဂရပ်ဖိုက်အလွှာကို ပေါင်းစပ်အမှုန့်အတွင်းတွင် ထည့်ပြီး inert gas လေထုထဲတွင် အပူချိန်မြင့်မားစွာ sintering လုပ်ကာ နောက်ဆုံးတွင် ဂရပ်ဖိုက်အလွှာ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် SiC အလွှာကို ဖွဲ့စည်းပေးသည်။ ဤနည်းလမ်းတွင် ရိုးရှင်းသော လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုနှင့် အလွှာနှင့် အလွှာကြားတွင် ကပ်ငြိမှုကောင်းမွန်သည်။ သို့သော် အလွှာသည် အထူဦးတည်ချက်တစ်လျှောက်တွင် တစ်ပြေးညီမှု ညံ့ဖျင်းပြီး အပေါက်များစွာ ဖြစ်ပေါ်လာနိုင်သောကြောင့် အောက်ဆီဒေးရှင်း ခံနိုင်ရည် ညံ့ဖျင်းသည်။
ဘရက်ရှ်ဖြင့် အုပ်ခြင်းနည်းလမ်း
ဘရက်ရှ်အုပ်ခြင်းနည်းလမ်းတွင် အဓိကအားဖြင့် ဂရပ်ဖိုက်အောက်ခံမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အရည်ကုန်ကြမ်းပစ္စည်းများကို လိမ်းပြီးနောက် သတ်မှတ်ထားသော အပူချိန်တွင် ပစ္စည်းကို ခြောက်သွေ့အောင်ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့် အပေါ်ယံလွှာဖွဲ့စည်းခြင်း ပါဝင်သည်။ ဤနည်းလမ်းသည် ရိုးရှင်းပြီး ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသော်လည်း ရရှိလာသော အပေါ်ယံလွှာသည် အောက်ခံနှင့် ကပ်ငြိမှုအားနည်းခြင်း၊ တစ်ပြေးညီဖြစ်မှုညံ့ဖျင်းခြင်းနှင့် အောက်ဆီဒေးရှင်းခံနိုင်ရည်နည်းပါးခြင်းတို့ကို ပြသပြီး ပါးလွှာသောကြောင့် နောက်ဆက်တွဲနည်းလမ်းများ လိုအပ်ပါသည်။
ပလာစမာဖြန်းခြင်းနည်းလမ်း
ပလာစမာဖြန်းခြင်းနည်းလမ်းတွင် ပလာစမာသေနတ်ကို အသုံးပြု၍ အရည်ပျော်နေသော သို့မဟုတ် တစ်ဝက်အရည်ပျော်နေသော ကုန်ကြမ်းများကို ဂရပ်ဖိုက်အလွှာ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်သို့ ဖြန်းပေးခြင်း၊ ထို့နောက် ၎င်းသည် မာကျောပြီး ချည်နှောင်ကာ အပေါ်ယံလွှာတစ်ခု ဖွဲ့စည်းခြင်း ပါဝင်သည်။ ဤနည်းလမ်းသည် လုပ်ဆောင်ရန် ရိုးရှင်းပြီး အတော်လေးသိပ်သည်းသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အပေါ်ယံလွှာများကို ထုတ်လုပ်နိုင်သည်။ သို့သော် ရလဒ်အနေဖြင့် အပေါ်ယံလွှာများသည် မကြာခဏ အလွန်ပါးလွှာလွန်းပြီး အောက်ဆီဒေးရှင်းခံနိုင်ရည် ညံ့ဖျင်းစေသည်။ ထို့ကြောင့် ၎င်းကို အပေါ်ယံလွှာအရည်အသွေး မြှင့်တင်ရန်အတွက် SiC ပေါင်းစပ် အပေါ်ယံလွှာများ ပြင်ဆင်ရာတွင် အများအားဖြင့် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။
ဂျယ်-ဆိုလ် နည်းလမ်း
ဂျယ်-ဆိုလ် နည်းလမ်းတွင် အဓိကအားဖြင့် အောက်ခံမျက်နှာပြင်ကို ဖုံးအုပ်ရန် ညီညာပြီး ကြည်လင်သော ဆိုလ်အရည်ကို ပြင်ဆင်ခြင်း ပါဝင်သည်။ ဂျယ်အဖြစ် အခြောက်ခံပြီးနောက်၊ ပစ္စည်းကို အပေါ်ယံလွှာဖွဲ့စည်းရန် sinter လုပ်သည်။ ဤနည်းလမ်းသည် လုပ်ဆောင်ရန် ရိုးရှင်းပြီး ကုန်ကျစရိတ် နည်းပါးသည်။ သို့သော် ရရှိလာသော အပေါ်ယံလွှာများသည် အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည် နည်းပါးခြင်းနှင့် အက်ကွဲလွယ်ခြင်းကဲ့သို့သော အားနည်းချက်များ ရှိနေပြီး ၎င်းတို့၏ ကျယ်ပြန့်သော အသုံးချမှုကို ကန့်သတ်ထားသည်။
ဓာတုအငွေ့ဓာတ်ပြုမှု (CVR) နည်းလမ်း
CVR သည် Si နှင့် SiO₂ အမှုန့်များကို အဓိကအသုံးပြု၍ မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် SiO₂ အငွေ့ကိုထုတ်လုပ်ပြီး Si အောက်ခံမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဓာတုဓာတ်ပြုမှုများစွာကို ဖြစ်ပေါ်စေကာ SiC အပေါ်ယံလွှာကို ဖွဲ့စည်းပေးသည်။ ဤနည်းလမ်းဖြင့် ထုတ်လုပ်သော SiC အပေါ်ယံလွှာသည် အောက်ခံနှင့် တင်းကျပ်စွာ ချိတ်ဆက်ထားသည်။ သို့သော် ဓာတ်ပြုမှုအပူချိန်မြင့်မားပြီး ကုန်ကျစရိတ်လည်း အတော်လေးမြင့်မားသည်။
ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း (CVD)
လက်ရှိတွင် SiC အပေါ်ယံလွှာများကို မျက်နှာပြင်များပေါ်တွင် ပြင်ဆင်ရန်အတွက် CVD သည် အဓိကနည်းပညာဖြစ်သည်။ အဓိကလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ဓာတ်ငွေ့ဓာတ်ပြုပစ္စည်းများနှင့် အောက်ခံမျက်နှာပြင်အကြား ရူပနှင့်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ဓာတ်ပြုမှုများ ပါဝင်ပြီး နောက်ဆုံးတွင် SiC အပေါ်ယံလွှာ အနည်ထိုင်စေသည်။ CVD နည်းပညာဖြင့် ထုတ်လုပ်သော SiC အပေါ်ယံလွှာများသည် အောက်ခံမျက်နှာပြင်နှင့် တင်းကျပ်စွာ ကပ်ငြိပြီး အောက်ခံပစ္စည်း၏ အောက်ဆီဒေးရှင်းခံနိုင်ရည်နှင့် အလွှာပျက်စီးမှုခံနိုင်ရည်ကို ထိရောက်စွာ တိုးတက်ကောင်းမွန်စေနိုင်သည်။ သို့သော် ဤနည်းလမ်းသည် အနည်ထိုင်ချိန် အတော်လေးကြာမြင့်ပြီး ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့များတွင် အဆိပ်သင့်သော အစိတ်အပိုင်းအချို့ ပါဝင်သည်။
SiC အပေါ်ယံလွှာများတွင် ခေတ်ရေစီးကြောင်းများ
SiC အပေါ်ယံလွှာများကို အဓိကအားဖြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရာတွင် စားသုံးနိုင်သောပစ္စည်းများအဖြစ် အသုံးပြုကြပြီး အပေါ်ယံလွှာ တစ်ပြေးညီဖြစ်မှု၊ အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းနှင့် အပူစီးကူးမှု အပါအဝင် အဓိကစွမ်းဆောင်ရည် စံနှုန်းများ ပါဝင်သည်။ တရုတ်နိုင်ငံတွင် SiC အပေါ်ယံလွှာများအတွက် ပြည်တွင်းဝယ်လိုအား များစွာရှိသော်လည်း နည်းပညာမှာ မဖွံ့ဖြိုးသေးပါ။ ပြည်ပတွင် အမေရိကန်ကုမ္ပဏီတစ်ခုတည်းသာ ဤနယ်ပယ်တွင် လုပ်ကိုင်ဆောင်ရွက်ပြီး ၎င်း၏ထုတ်ကုန်များသည် အတော်လေးစျေးကြီးသည်။
ကြည်လင်သော လှေများဈေးကွက်ပမာဏနည်းပါးသော်လည်း SiC ဖြင့်အုပ်ထားသော ဂရပ်ဖိုက်ကို အစားထိုးနိုင်သော epitaxial ထုတ်လုပ်မှုတွင် အသုံးပြုသော စားသုံးနိုင်သောပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ နောက်တစ်ခုမှာ TaC ဖြင့်အုပ်ထားသော ဂရပ်ဖိုက်ဖြစ်ပြီး ၎င်းသည် bare graphite သို့မဟုတ် SiC ဖြင့်အုပ်ထားသော ဂရပ်ဖိုက်ထက် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ချေးခြင်းကို ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ ခံနိုင်ရည်ရှိသော်လည်း အလွန်စျေးကြီးပြီး ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု၏ အစောပိုင်းအဆင့်တွင်သာ ရှိနေသေးသည်။ လက်ရှိတွင် ပြည်တွင်းကုမ္ပဏီများဖြစ်သည့်Liufang ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ, ဆီမီစီရာနှင့်Vetek Semiconductorဤနယ်ပယ်တွင် R&D တွင် ပါဝင်လှုပ်ရှားနေကြသည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၆ ခုနှစ်၊ မေလ ၂၀ ရက်