Apa yang kami lakukan sentiasa berkaitan dengan prinsip kami "Pelanggan dahulu, yakin pada yang pertama, menumpukan pada pembungkusan makanan dan perlindungan alam sekitar untuk Kilang Jualan China Tiub Sic Bentuk Tong Pengisaran Silikon Karbida Digilap untuk Kilang Pengisaran, Kami sangat mengalu-alukan bakal pelanggan, persatuan organisasi dan rakan-rakan dari seluruh dunia untuk menghubungi kami dan meminta kerjasama untuk faedah bersama.
Apa yang kami lakukan sentiasa berkaitan dengan prinsip kami "Pelanggan dahulu, Yakinlah pada yang pertama, menumpukan perhatian pada pembungkusan makanan dan perlindungan alam sekitar untukTiub Honing SAE1026 China, Tiub Honed S45c, Pengeluaran kami telah dieksport ke lebih daripada 30 buah negara dan wilayah sebagai sumber langsung dengan harga terendah. Kami amat mengalu-alukan pelanggan dari dalam dan luar negara untuk datang merundingkan perniagaan dengan kami.
Penerangan Produk
Syarikat kami menyediakan perkhidmatan proses salutan SiC melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang termendap pada permukaan bahan bersalut, membentuk lapisan pelindung SIC.
Ciri-ciri utama:
1. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi:
Rintangan pengoksidaan masih sangat baik apabila suhu setinggi 1600 C.
2. Ketulenan tinggi: dihasilkan melalui pemendapan wap kimia di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.
3. Rintangan hakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat, zarah halus.
4. Rintangan kakisan: reagen asid, alkali, garam dan organik.
Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC
| Sifat SiC-CVD | ||
| Struktur Kristal | Fasa β FCC | |
| Ketumpatan | g/cm³ | 3.21 |
| Kekerasan | Kekerasan Vickers | 2500 |
| Saiz Bijirin | μm | 2~10 |
| Ketulenan Kimia | % | 99.99995 |
| Kapasiti Haba | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Suhu Pemejalwapan | ℃ | 2700 |
| Kekuatan Feleksural | MPa (RT 4-titik) | 415 |
| Modulus Young | PNGK (selekoh 4pt, 1300℃) | 430 |
| Pengembangan Terma (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Kekonduksian terma | (W/mK) | 300 |











