ఫ్యాక్టరీ అమ్మకం చైనా పాలిష్డ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ సిసిక్ గ్రైండింగ్ బ్యారెల్ ఆకారపు సిసిక్ ట్యూబ్ గ్రైండింగ్ మిల్ కోసం

సంక్షిప్త వివరణ:


  • పుట్టిన ప్రదేశం:చైనా
  • స్ఫటిక నిర్మాణం :FCCβ దశ
  • సాంద్రత :3.21 గ్రా/సెం.మీ;
  • కఠినత్వం:2500 విక్కర్స్;
  • గింజ పరిమాణం:2~10μm;
  • రసాయన స్వచ్ఛత:99.99995%;
  • ఉష్ణ సామర్థ్యం :640J·kg-1·K-1;
  • ఉత్పతనం ఉష్ణోగ్రత:2700℃;
  • ఫెలెక్సురల్ స్ట్రెంత్ :415 Mpa (RT 4-పాయింట్);
  • యంగ్ మాడ్యులస్:430 Gpa (4pt బెండ్, 1300℃);
  • ఉష్ణ వ్యాకోచం (CTE) :4.5 10-6K-1;
  • ఉష్ణ వాహకత:300(W/MK);
  • ఉత్పత్తి వివరాలు

    ఉత్పత్తి ట్యాగ్‌లు

    మేము చేసే ప్రతి పని ఎల్లప్పుడూ మా సూత్రమైన "క్లయింట్ ఫస్ట్, కాన్ఫిడెన్స్ ఇన్ ఫస్ట్"కు సంబంధించినది. ఫ్యాక్టరీ సెల్లింగ్ చైనా పాలిష్డ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ సిసిక్ గ్రైండింగ్ బ్యారెల్ షేప్ సిక్ ట్యూబ్ ఫర్ గ్రైండింగ్ మిల్ కోసం ఆహార ప్యాకేజింగ్ మరియు పర్యావరణ పరిరక్షణకు మేము ప్రాధాన్యత ఇస్తాము. పరస్పర ప్రయోజనాల కోసం మమ్మల్ని సంప్రదించి, సహకారం కోరవలసిందిగా ప్రపంచవ్యాప్తంగా ఉన్న కాబోయే వినియోగదారులను, వ్యాపార సంఘాలను మరియు మిత్రులను మేము సాదరంగా ఆహ్వానిస్తున్నాము.
    మేము చేసే ప్రతి పని ఎల్లప్పుడూ మా సిద్ధాంతానికి సంబంధించినది: "వినియోగదారుడే ప్రథమం, నమ్మకమే ప్రథమం", ఆహార ప్యాకేజింగ్ మరియు పర్యావరణ పరిరక్షణకు అంకితభావం.చైనా SAE1026 హోనింగ్ ట్యూబ్, S45c హోన్డ్ ట్యూబ్మా ఉత్పత్తులు 30కి పైగా దేశాలు మరియు ప్రాంతాలకు అత్యల్ప ధరకు ప్రధాన సరఫరాదారుగా ఎగుమతి చేయబడ్డాయి. స్వదేశీ, విదేశీ వినియోగదారులను మాతో వ్యాపార చర్చలు జరపడానికి మేము హృదయపూర్వకంగా ఆహ్వానిస్తున్నాము.
    ఉత్పత్తి వివరణ

    మా కంపెనీ గ్రాఫైట్, సిరామిక్స్ మరియు ఇతర పదార్థాల ఉపరితలంపై CVD పద్ధతి ద్వారా SiC పూత ప్రక్రియ సేవలను అందిస్తుంది. ఈ ప్రక్రియలో, కార్బన్ మరియు సిలికాన్ కలిగిన ప్రత్యేక వాయువులు అధిక ఉష్ణోగ్రత వద్ద చర్య జరిపి అధిక స్వచ్ఛత గల SiC అణువులను పొందుతాయి. ఈ అణువులు పూత పూసిన పదార్థాల ఉపరితలంపై నిక్షిప్తమై, SiC రక్షిత పొరను ఏర్పరుస్తాయి.

    ప్రధాన లక్షణాలు:

    1. అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత:

    ఉష్ణోగ్రత 1600 C అంత ఎక్కువగా ఉన్నప్పుడు కూడా ఆక్సీకరణ నిరోధకత చాలా బాగుంటుంది.

    2. అధిక స్వచ్ఛత: అధిక ఉష్ణోగ్రత క్లోరినేషన్ పరిస్థితులలో రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ ద్వారా తయారు చేయబడింది.

    3. కోత నిరోధకత: అధిక కాఠిన్యం, కాంపాక్ట్ ఉపరితలం, సూక్ష్మ కణాలు.

    4. తుప్పు నిరోధకత: ఆమ్లం, క్షారం, లవణం మరియు సేంద్రీయ కారకాలు.

    CVD-SIC కోటింగ్ యొక్క ప్రధాన లక్షణాలు

    SiC-CVD లక్షణాలు

    స్ఫటిక నిర్మాణం FCC β దశ
    సాంద్రత గ్రా/సెం.మీ³ 3.21
    కఠినత్వం విక్కర్స్ కాఠిన్యం 2500
    ధాన్యం పరిమాణం μm 2~10
    రసాయన స్వచ్ఛత % 99.99995
    ఉష్ణ సామర్థ్యం J·kg-1 ·K-1 640
    ఉత్పతన ఉష్ణోగ్రత 2700
    ఫెలిక్యురల్ స్ట్రెంత్ MPa (RT 4-పాయింట్) 415
    యంగ్ మాడ్యులస్ జిపిఎ (4 పాయింట్ల వంపు, 1300℃) 430
    ఉష్ణ వ్యాకోచం (CTE) 10-6K-1 4.5
    ఉష్ణ వాహకత (డబ్ల్యూ/ఎమ్‌కె) 300

    1 2 3 4 5


  • మునుపటి:
  • తరువాత:

  • వాట్సాప్ ఆన్‌లైన్ చాట్ !