గ్రైండింగ్ మిల్లు కోసం చైనా పాలిష్డ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ సిసిక్ గ్రైండింగ్ బారెల్ షేప్ సిక్ ట్యూబ్‌ను అమ్మే ఫ్యాక్టరీ

చిన్న వివరణ:


  • మూల ప్రదేశం:చైనా
  • క్రిస్టల్ నిర్మాణం:FCCβ దశ
  • సాంద్రత :3.21 గ్రా/సెం.మీ;
  • కాఠిన్యం:2500 విక్కర్స్;
  • ధాన్యం పరిమాణం:2~10μm;
  • రసాయన స్వచ్ఛత:99.99995%;
  • ఉష్ణ సామర్థ్యం:640జె·కిలో-1·కె-1;
  • సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత:2700℃;
  • ఫెలెక్సురల్ బలం:415 ఎంపీఏ (ఆర్‌టి 4-పాయింట్);
  • యంగ్ మాడ్యులస్:430 Gpa (4pt బెండ్, 1300℃);
  • ఉష్ణ విస్తరణ (CTE) :4.5 10-6కె-1;
  • ఉష్ణ వాహకత:300 (వా/ఎంకే);
  • ఉత్పత్తి వివరాలు

    ఉత్పత్తి ట్యాగ్‌లు

    మేము చేసేదంతా ఎల్లప్పుడూ మా సిద్ధాంతంతో ముడిపడి ఉంటుంది ”ముందుగా క్లయింట్, 1వ స్థానంలో నమ్మకం ఉంచండి, ఫ్యాక్టరీ సెల్లింగ్ కోసం భోజన ప్యాకేజింగ్ మరియు పర్యావరణ పరిరక్షణ గురించి అంకితభావంతో చైనా పాలిష్డ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ సిసిక్ గ్రైండింగ్ బారెల్ షేప్ సిక్ ట్యూబ్ ఫర్ గ్రైండింగ్ మిల్, మేము భూమిలోని ప్రతిచోటా ఉన్న అవకాశాలు, సంస్థ సంఘాలు మరియు సహచరులను హృదయపూర్వకంగా స్వాగతిస్తున్నాము. మాతో సంప్రదించడానికి మరియు పరస్పర ప్రయోజనాల కోసం సహకారాన్ని అభ్యర్థించడానికి మేము సిద్ధంగా ఉన్నాము.
    మేము చేసేదంతా ఎల్లప్పుడూ మా సిద్ధాంతానికి సంబంధించినది ”క్లయింట్ మొదట, 1వ స్థానంలో నమ్మకంగా ఉండండి, భోజన ప్యాకేజింగ్ మరియు పర్యావరణ పరిరక్షణ గురించి అంకితభావంతో ఉండండిచైనా SAE1026 హోనింగ్ ట్యూబ్, S45c హోన్డ్ ట్యూబ్, మా ఉత్పత్తి 30 కంటే ఎక్కువ దేశాలు మరియు ప్రాంతాలకు అత్యల్ప ధరకు మొదటి చేతి వనరుగా ఎగుమతి చేయబడింది. మాతో వ్యాపారం గురించి చర్చలు జరపడానికి స్వదేశంలో మరియు విదేశాల నుండి కస్టమర్‌లను మేము హృదయపూర్వకంగా స్వాగతిస్తున్నాము.
    ఉత్పత్తి వివరణ

    మా కంపెనీ గ్రాఫైట్, సిరామిక్స్ మరియు ఇతర పదార్థాల ఉపరితలంపై CVD పద్ధతి ద్వారా SiC పూత ప్రక్రియ సేవలను అందిస్తుంది, తద్వారా కార్బన్ మరియు సిలికాన్ కలిగిన ప్రత్యేక వాయువులు అధిక ఉష్ణోగ్రత వద్ద చర్య జరిపి అధిక స్వచ్ఛత కలిగిన SiC అణువులను పొందుతాయి, పూత పూసిన పదార్థాల ఉపరితలంపై నిక్షిప్తం చేయబడిన అణువులు SIC రక్షణ పొరను ఏర్పరుస్తాయి.

    ప్రధాన లక్షణాలు:

    1. అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత:

    ఉష్ణోగ్రత 1600 C వరకు ఉన్నప్పుడు కూడా ఆక్సీకరణ నిరోధకత చాలా బాగుంటుంది.

    2. అధిక స్వచ్ఛత : అధిక ఉష్ణోగ్రత క్లోరినేషన్ స్థితిలో రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ ద్వారా తయారు చేయబడింది.

    3. కోత నిరోధకత: అధిక కాఠిన్యం, కాంపాక్ట్ ఉపరితలం, సూక్ష్మ కణాలు.

    4. తుప్పు నిరోధకత: ఆమ్లం, క్షారము, ఉప్పు మరియు సేంద్రీయ కారకాలు.

    CVD-SIC పూత యొక్క ప్రధాన లక్షణాలు

    SiC-CVD లక్షణాలు

    క్రిస్టల్ నిర్మాణం FCC β దశ
    సాంద్రత గ్రా/సెం.మీ ³ 3.21 తెలుగు
    కాఠిన్యం విక్కర్స్ కాఠిన్యం 2500 రూపాయలు
    గ్రెయిన్ సైజు μm 2~10
    రసాయన స్వచ్ఛత % 99.99995
    ఉష్ణ సామర్థ్యం జ·కిలో-1 ·కిలో-1 640 తెలుగు in లో
    సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత ℃ ℃ అంటే 2700 తెలుగు
    ఫెలెక్సురల్ బలం MPa (RT 4-పాయింట్) 415 తెలుగు in లో
    యంగ్ మాడ్యులస్ Gpa (4pt వంపు, 1300℃) 430 తెలుగు in లో
    థర్మల్ విస్తరణ (CTE) 10-6 కె-1 4.5 अगिराला
    ఉష్ణ వాహకత (వా/మీ) 300లు

    1. 1. 2 3 4 5


  • మునుపటి:
  • తరువాత:

  • WhatsApp ఆన్‌లైన్ చాట్!