Գործարանային վաճառք Չինաստանում հղկված սիլիցիումի կարբիդային սիսիկային հղկող տակառի ձևի Sic խողովակ՝ հղկող գործարանի համար

Մենք միշտ կապված ենք մեր սկզբունքի հետ՝ «Հաճախորդը նախևառաջ, վստահեք առաջին հերթին, նվիրվելով սննդի փաթեթավորմանը և շրջակա միջավայրի պաշտպանությանը գործարանում վաճառքի համար Չինաստանում փայլեցված սիլիկոնային կարբիդային սիսիկային մանրացման տակառի ձևի Sic խողովակ՝ մանրացման գործարանի համար: Մենք ջերմորեն ողջունում ենք հաճախորդներին, կազմակերպություններին և ընկերներին աշխարհի տարբեր ծայրերից՝ կապվելու մեզ հետ և փոխադարձ օգուտների համար համագործակցություն խնդրելու համար:
Մենք միշտ կապված ենք մեր սկզբունքի հետ՝ «Հաճախորդը նախևառաջ, վստահություն ունեցեք առաջին հերթին, նվիրված լինելով սննդի փաթեթավորմանը և շրջակա միջավայրի պաշտպանությանը»:Չինաստան SAE1026 Հոնինգային խողովակ, S45c սրած խողովակՄեր արտադրանքը արտահանվել է ավելի քան 30 երկիր և տարածաշրջան՝ որպես առաջին ձեռքի աղբյուր՝ ամենացածր գնով: Մենք անկեղծորեն ողջունում ենք մեր հաճախորդներին ինչպես երկրից, այնպես էլ արտասահմանից՝ մեզ հետ գործարք կնքելու համար:
Արտադրանքի նկարագրություն

Մեր ընկերությունը մատուցում է SiC ծածկույթի ծառայություններ գրաֆիտի, կերամիկայի և այլ նյութերի մակերեսին CVD մեթոդով, որպեսզի ածխածին և սիլիցիում պարունակող հատուկ գազերը բարձր ջերմաստիճանում փոխազդեն՝ ստանալով բարձր մաքրության SiC մոլեկուլներ, որոնք նստեցվում են ծածկված նյութերի մակերեսին՝ ձևավորելով SIC պաշտպանիչ շերտ:

Հիմնական առանձնահատկությունները՝

1. Բարձր ջերմաստիճանի օքսիդացման դիմադրություն.

Օքսիդացման դիմադրությունը դեռևս շատ լավ է, երբ ջերմաստիճանը հասնում է մինչև 1600°C:

2. Բարձր մաքրություն. պատրաստված է քիմիական գոլորշիների նստեցմամբ բարձր ջերմաստիճանի քլորացման պայմաններում:

3. Էրոզիայի դիմադրություն. բարձր կարծրություն, կոմպակտ մակերես, մանր մասնիկներ:

4. Կոռոզիայի դիմադրություն. թթվային, ալկալային, աղային և օրգանական ռեակտիվներ:

CVD-SIC ծածկույթի հիմնական տեխնիկական բնութագրերը