Fabréck Verkaf China poléiert Siliziumcarbid Sisic Schleiffaassform Sic Tube fir Schleifmillen

Kuerz Beschreiwung:


  • Ursprungsplaz:China
  • Kristallstruktur:FCCβ Phase
  • Dicht:3,21 g/cm²;
  • Härkeet:2500 Vickers;
  • Kärengréisst:2~10μm;
  • Chemesch Rengheet:99,99995%;
  • Hëtztkapazitéit:640J·kg-1·K-1;
  • Sublimatiounstemperatur:2700 ℃;
  • Felexural Stäerkt:415 MPa (RT 4-Punkt);
  • Young säi Modul:430 Gpa (4pt Biegung, 1300℃);
  • Thermesch Expansioun (CTE):4,5 10-6K-1;
  • Wärmeleitfäegkeet:300 (W/MK);
  • Produktdetailer

    Produkt Tags

    Alles wat mir maachen, hänkt ëmmer vun eisem Prinzip of: "De Client als éischt, Vertrauen als éischt, a mir leeë Wäert op d'Verpakung vun Iessen an den Ëmweltschutz fir de Factory Selling China Polished Silicon Carbide Sisic Grinding Barrel Shape Sic Tube for Grinding Mill". Mir begréissen häerzlech Clienten, Organisatiounsverbänn a Frënn aus der ganzer Welt, fir mat eis a Kontakt ze trieden a Kooperatioun fir géigesäitege Virdeeler ze froen.
    Alles wat mir maachen, hänkt ëmmer vun eisem Prinzip of: "De Client als éischt, Vertrauen als éischt, a mir konzentréieren eis op d'Verpakung vun de Liewensmëttel an den Ëmweltschutz."China SAE1026 Honingrohr, S45c geschliffene RéierEis Produktioun gouf an iwwer 30 Länner a Regiounen als Éischthandquell zum niddregsten Präis exportéiert. Mir begréissen häerzlech Clienten aus dem In- an Ausland, fir mat eis Geschäfter ze maachen.
    Produktbeschreiwung

    Eis Firma bitt SiC-Beschichtungsprozessdéngschter mam CVD-Method op der Uewerfläch vu Graphit, Keramik an aner Materialien un, sou datt speziell Gaser, déi Kuelestoff a Silizium enthalen, bei héijer Temperatur reagéieren, fir héichreine SiC-Moleküle ze kréien, déi sech op der Uewerfläch vun de beschichtete Materialien ofsetzen an doduerch eng SIC-Schutzschicht bilden.

    Haaptmerkmale:

    1. Oxidatiounsbeständegkeet bei héijen Temperaturen:

    D'Oxidatiounsbeständegkeet ass ëmmer nach ganz gutt bei Temperaturen bis zu 1600 °C.

    2. Héich Rengheet: duerch chemesch Gasoflagerung ënner héijer Temperaturchloréierungsbedingung hiergestallt.

    3. Erosiounsbeständegkeet: héich Häert, kompakt Uewerfläch, fein Partikelen.

    4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenzien.

    Haaptspezifikatioune vun der CVD-SIC Beschichtung

    SiC-CVD Eegeschaften

    Kristallstruktur FCC β Phase
    Dicht g/cm³ 3.21
    Häert Vickers-Härkeet 2500
    Kärengréisst μm 2~10
    Chemesch Rengheet % 99.99995
    Hëtztkapazitéit J·kg-1 ·K-1 640
    Sublimatiounstemperatur 2700
    Felexural Stäerkt MPa (RT 4-Punkt) 415
    Young säi Modul Gpa (4pt Biegung, 1300℃) 430
    Thermesch Expansioun (CTE) 10-6K-1 4.5
    Wärmeleitfäegkeet (W/mK) 300

    1 2 3 4 5


  • Virdrun:
  • Weider:

  • WhatsApp Online Chat!