အပေါက်များသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များ စီမံဆောင်ရွက်ခြင်းနှင့် ဂုဏ်သတ္တိများ

၁။ မိတ်ဆက်

စိမ့်ဝင်လွယ်သော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (စိမ့်ဝင်လွယ်သော SiC) ကြွေထည်များဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ ထူးချွန်သောဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ဂရုတစိုက်အင်ဂျင်နီယာပြုလုပ်ထားသော အပေါက်ငယ်ဖွဲ့စည်းပုံကို ပေါင်းစပ်ထားသော အဆင့်မြင့်ကြွေထည်ပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ သိပ်သည်းသော SiC ကြွေထည်များနှင့်မတူဘဲ၊ အပေါက်ငယ်များသော SiC သည် ထိန်းချုပ်ထားသော စိမ့်ဝင်နိုင်စွမ်း၊ အလေးချိန်ပေါ့ပါးသောဒီဇိုင်း၊ အပူလျှပ်ကာနှင့် အရည်သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးစွမ်းရည် မြှင့်တင်ခြင်းအပါအဝင် အပိုဆောင်းလုပ်ဆောင်ချက်များကို ပေးစွမ်းသည့် အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်ထားသော အပေါက်ငယ်များကို မိတ်ဆက်ပေးသည်။

အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူတည်ငြိမ်မှု၊ ဓာတုဗေဒခံနိုင်ရည်နှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာယုံကြည်စိတ်ချရမှုတို့ဖြင့်၊ porous SiC ကြွေထည်များသည် အပူချိန်မြင့်မားသော စက်မှုလုပ်ငန်းများ၊ အထူးသဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်ရာတွင် အရေးပါလာခဲ့ပြီး လုပ်ငန်းစဉ်ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် မြင့်မားသောသန့်စင်မှု၊ ချေးခံနိုင်ရည်နှင့် ရေရှည်လည်ပတ်မှုတည်ငြိမ်မှုတို့ လိုအပ်ပါသည်။

၂။ အပေါက်များသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များ၏ ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများ

၁။ အပူချိန်မြင့်မားစွာ တည်ငြိမ်မှု

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် ၎င်း၏ ခိုင်မာသော Si-C ကော်ဗယ်လင့် ချိတ်ဆက်မှုကြောင့် အပူချိန်အလွန်အမင်းအောက်တွင် ၎င်း၏ ကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် လူသိများသည်။ စိမ့်ဝင်လွယ်သော SiC သည် အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင် ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ တည်တံ့မှုကို ထိန်းသိမ်းပေးသောကြောင့် semiconductor thermal processing၊ epitaxy စနစ်များနှင့် မီးဖိုအစိတ်အပိုင်းများအတွက် သင့်လျော်စေသည်။

၎င်း၏ အပူချိန် ကျယ်ပြန့်မှုကိန်း နည်းပါးခြင်းနှင့် အပူချိန် ရှော့ခ် ခံနိုင်ရည် အလွန်ကောင်းမွန်ခြင်းက ပုံပျက်ခြင်းကို လျှော့ချပေးပြီး လုပ်ငန်းစဉ် တည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေရန် ကူညီပေးပါသည်။

၂။ သာလွန်ကောင်းမွန်သော ဓာတုဗေဒနှင့် ပလာစမာ ခံနိုင်ရည်ရှိမှု

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် ကလိုရင်းအခြေခံ ဓာတ်ငွေ့များ၊ ဖလိုရင်းပလာစမာနှင့် အပူချိန်မြင့် ဓာတ်ပြုမှုရှိသော လေထုများ အပါအဝင် ရန်လိုသော ဓာတ်ငွေ့များနှင့် ပလာစမာပတ်ဝန်းကျင်များ ပါဝင်သည်။

Porous SiC ကြွေထည်များက ပေးစွမ်းသည်-

• အောက်ဆီဒေးရှင်းဒဏ်ခံနိုင်မှု အလွန်ကောင်းမွန်သည်
• ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှု မြင့်မားခြင်း
• ပလာစမာတိုက်စားမှုကို ခံနိုင်ရည်အားကောင်းခြင်း
• ညစ်ညမ်းမှုနည်းသော ဝိသေသလက္ခဏာများ

ဤအားသာချက်များသည် အမှုန်အမွှားများဖြစ်ပေါ်မှုကို လျှော့ချရန်နှင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများတွင် အစိတ်အပိုင်းသက်တမ်းကို တိုးချဲ့ရန် ကူညီပေးသည်။

၃။ ထိန်းချုပ်ထားသော စိမ့်ဝင်နိုင်စွမ်းနှင့် ဓာတ်ငွေ့စိမ့်ဝင်နိုင်စွမ်း

porous SiC ၏ အဓိကအားသာချက်မှာ ၎င်း၏ ချိန်ညှိနိုင်သော အပေါက်ဖွဲ့စည်းပုံဖြစ်သည်။ အပေါက်အရွယ်အစား၊ ဖြန့်ဖြူးမှုနှင့် ချိတ်ဆက်မှုကို ထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် ထုတ်လုပ်သူများသည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာခိုင်ခံ့မှုနှင့် စိမ့်ဝင်နိုင်စွမ်းအကြား ဟန်ချက်ညီမှုကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။

ဤထူးခြားသောအင်္ဂါရပ်သည် porous SiC ကို အောက်ပါအတိုင်း လုပ်ဆောင်နိုင်စေသည်-

• ဓာတ်ငွေ့ပျံ့နှံ့ပစ္စည်းများ
• စစ်ထုတ်ဖွဲ့စည်းပုံများ
• အပူစီမံခန့်ခွဲမှု အစိတ်အပိုင်းများ

၃။ အပေါက်များသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များ၏ စီမံဆောင်ရွက်သည့်နည်းပညာများ

porous SiC ကြွေထည်များ၏ စွမ်းဆောင်ရည်သည် ထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်းများနှင့် microstructure ဒီဇိုင်းပေါ်တွင် အများအားဖြင့် မူတည်ပါသည်။

ကာဗွန်အပူလျှော့ချခြင်း

ဤရိုးရာလုပ်ငန်းစဉ်သည် ဆီလီကွန်ပါဝင်သောပစ္စည်းများနှင့် ကာဗွန်ရင်းမြစ်များအကြား မြင့်မားသောအပူချိန်ဓာတ်ပြုမှုများမှတစ်ဆင့် porous SiC ကိုထုတ်လုပ်သည်။ ၎င်းသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုရှိသော မြင့်မားသောသန့်စင်မှု SiC ဘောင်များဖွဲ့စည်းနိုင်စေသည်။

အရည်အဆင့် ပေါင်းခြင်း

အရည်အဆင့် sintering သည် အမှုန်ချိတ်ဆက်မှုနှင့် သိပ်သည်းဆကို တိုးတက်စေရန်အတွက် ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများကို အသုံးပြုသည်။ sintering အပူချိန်နှင့် ဖြည့်စွက်ဓာတုဗေဒကို ချိန်ညှိခြင်းဖြင့် ထုတ်လုပ်သူများသည် အကောင်းဆုံး စက်ပိုင်းဆိုင်ရာခိုင်ခံ့မှုနှင့် အပေါက်များဖြန့်ဖြူးမှုကို ရရှိနိုင်ကြသည်။

ဓာတုအငွေ့စိမ့်ဝင်မှု (CVI)

CVI သည် SiC သည် အတွင်းပိုင်းမျက်နှာပြင်များတွင် စုပုံနေသော အပေါက်များထဲသို့ ဓာတ်ငွေ့ရှေ့ပြေးပစ္စည်းများကို မိတ်ဆက်ပေးသည်။ ဤနည်းလမ်းသည် ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ ခိုင်ခံ့မှု၊ သန့်စင်မှုနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသော တာရှည်ခံမှုကို တိုးတက်စေသည်။

အမြှုပ်ထခြင်းနှင့် ပုံစံခွက်နည်းလမ်းများ

အမြှုပ်ထွက်ခြင်းနှင့် ပုံစံအခြေပြုနည်းပညာများသည် အပေါက်ဖွဲ့စည်းသည့် အေးဂျင့်များ သို့မဟုတ် sacrificial template များကို ထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် အဆင့်ဆင့်ရှိသော အပေါက်ဖွဲ့စည်းပုံများကို ဖန်တီးပေးသည်။ ဤနည်းလမ်းများသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော စိမ့်ဝင်နိုင်စွမ်းနှင့် စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသော အပေါက်ဖွဲ့စည်းပုံများကို ပေးစွမ်းသည်။

၄။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရေးတွင် အသုံးချမှုများ

အပူ၊ ဓာတုဗေဒနှင့် ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ၏ ထူးခြားသော ပေါင်းစပ်မှုကြောင့်၊ porous SiC ကြွေထည်များကို semiconductor လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် ပိုမိုအသုံးပြုလာကြသည်။

ဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးရေး အစိတ်အပိုင်းများ

CVD၊ PECVD နှင့် ALD စနစ်များတွင်၊ porous SiC သည် လုပ်ငန်းစဉ်ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုကို တစ်ပြေးညီရရှိစေရန်နှင့် ဖလင်အနည်ထိုင်မှု চাহিদာကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် ဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးမှုပြားများနှင့် ဖြန့်ဖြူးရေးပြားများအဖြစ် ဆောင်ရွက်နိုင်သည်။

ပလာစမာ စီမံဆောင်ရွက်ရေး ပစ္စည်းကိရိယာများ

ပလာစမာထွင်းခြင်းနှင့် သန့်ရှင်းရေးစနစ်များတွင်၊ porous SiC အစိတ်အပိုင်းများသည် ချေးတက်သော ပလာစမာပတ်ဝန်းကျင်များကို သာလွန်ကောင်းမွန်သော ခံနိုင်ရည်ကို ပေးစွမ်းပြီး အမှုန်အမွှားညစ်ညမ်းမှုကို လျှော့ချပေးကာ စက်ပစ္စည်းယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို တိုးတက်စေပါသည်။

SiC နှင့် GaN Epitaxy စနစ်များ

တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်မှုအတွက်၊ porous SiC သည် အပူချိန်မြင့်မားသော epitaxial ကြီးထွားမှုပတ်ဝန်းကျင်များတွင် အပူချိန်စီမံခန့်ခွဲမှုနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်တည်ငြိမ်မှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။

ဝေဖာကိုင်တွယ်မှုအစိတ်အပိုင်းများ

အပေါက်များသော SiC ဖုန်စုပ်ချပ်များနှင့်ဝေဖာထောက်ပံ့မှုများwafer စစ်ဆေးခြင်း၊ လစ်သိုဂရပ်ဖီနှင့် အပူလုပ်ဆောင်မှုအတွက် မြင့်မားသောတိကျမှု၊ ညစ်ညမ်းမှုနည်းပါးခြင်းနှင့် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ခံနိုင်ရည်ကောင်းမွန်ခြင်းတို့ကို ပေးစွမ်းသည်။

၅။ နိဂုံးချုပ်

အပေါက်များသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များတိုးတက်ပြောင်းလဲလာမှုကို ကိုယ်စားပြုသည်SiC ပစ္စည်းများရိုးရာဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာကြွေထည်များမှ လုပ်ဆောင်နိုင်သော semiconductor အစိတ်အပိုင်းများအထိ။ အဆင့်မြင့်လုပ်ဆောင်မှုနည်းပညာများနှင့် တိကျသော pore structure control မှတစ်ဆင့် porous SiC သည် ခိုင်ခံ့မှု၊ permeability၊ thermal performance နှင့် chemical stability တို့အကြား အကောင်းဆုံးဟန်ချက်ညီမှုကို ရရှိစေသည်။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုသည် အပူချိန်မြင့်မားခြင်းနှင့် ပိုမိုတင်းကျပ်သော ညစ်ညမ်းမှုထိန်းချုပ်ရေးဆီသို့ ဆက်လက်တိုးတက်နေသည်နှင့်အမျှ၊ porous SiC ကြွေထည်များသည် ပိုမိုအရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်လာမည်ဖြစ်သည်။CVD စနစ်များ၊ ပလာစမာ စီမံဆောင်ရွက်သည့် စက်ပစ္စည်းများ၊ ဝေဖာ ကိုင်တွယ်ခြင်းနှင့် နောက်မျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်သည့် နည်းပညာများ.