တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းပုံစံထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ် စီးဆင်းမှု-ထွင်းထုခြင်း

အစောပိုင်း စိုစွတ်သော ထွင်းထုခြင်းသည် သန့်ရှင်းရေး သို့မဟုတ် ပြာချခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်များ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို မြှင့်တင်ပေးခဲ့သည်။ ယနေ့ခေတ်တွင် ပလာစမာကို အသုံးပြု၍ ခြောက်သွေ့သော ထွင်းထုခြင်းသည် အဓိက လုပ်ငန်းစဉ် ဖြစ်လာခဲ့သည်။ထွင်းထုခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်။ ပလာစမာတွင် အီလက်ထရွန်များ၊ ကာဆင့်များနှင့် ရယ်ဒီကယ်များ ပါဝင်သည်။ ပလာစမာသို့ အသုံးပြုသော စွမ်းအင်သည် အရင်းအမြစ်ဓာတ်ငွေ့၏ အပြင်ဘက်ဆုံး အီလက်ထရွန်များကို ကြားနေအခြေအနေတွင် ဖယ်ထုတ်လိုက်ပြီး ဤအီလက်ထရွန်များကို ကာဆင့်များအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲပေးသည်။

ထို့အပြင်၊ မော်လီကျူးများရှိ မစုံလင်သော အက်တမ်များကို လျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြင့် ကြားနေ ရယ်ဒီကယ်များ ဖွဲ့စည်းရန် စွမ်းအင်ကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် ခွာချနိုင်သည်။ ခြောက်သွေ့သော အက်တမ်ဖြင့် ပွတ်တိုက်ခြင်းသည် ပလာစမာကို ဖွဲ့စည်းသည့် ကာရှင်းများနှင့် ရယ်ဒီကယ်များကို အသုံးပြုပြီး ကာရှင်းများသည် anisotropic (တိကျသော ဦးတည်ချက်တစ်ခုတွင် ပွတ်တိုက်ရန် သင့်လျော်သည်) နှင့် ရယ်ဒီကယ်များသည် isotropic (ဦးတည်ချက်အားလုံးတွင် ပွတ်တိုက်ရန် သင့်လျော်သည်) ဖြစ်သည်။ ရယ်ဒီကယ်အရေအတွက်သည် ကာရှင်းအရေအတွက်ထက် များစွာပိုများသည်။ ဤကိစ္စတွင်၊ ခြောက်သွေ့သော အက်တမ်ဖြင့် ပွတ်တိုက်ခြင်းသည် စိုစွတ်သော အက်တမ်ကဲ့သို့ isotropic ဖြစ်သင့်သည်။

သို့သော်၊ အလွန်သေးငယ်သော ဆားကစ်များကို ဖြစ်နိုင်စေသည်မှာ ခြောက်သွေ့သော etching ၏ anisotropic etching ဖြစ်သည်။ ၎င်းအတွက် အကြောင်းရင်းကား အဘယ်နည်း။ ထို့အပြင်၊ cations နှင့် radicals များ၏ etching speed သည် အလွန်နှေးကွေးသည်။ ဤချို့ယွင်းချက်ကို ရင်ဆိုင်ရာတွင် plasma etching နည်းလမ်းများကို အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်ရာတွင် မည်သို့အသုံးချနိုင်မည်နည်း။

 

 

၁။ ရှုထောင့်အချိုး (A/R)

 

ပုံ ၁။ အချိုးအစားဆိုင်ရာ အယူအဆနှင့် နည်းပညာတိုးတက်မှု၏ သက်ရောက်မှု

 

Aspect Ratio ဆိုသည်မှာ အလျားလိုက်အကျယ်နှင့် ဒေါင်လိုက်အမြင့်တို့၏ အချိုး (ဆိုလိုသည်မှာ အမြင့်ကို အနံဖြင့်စားခြင်း) ဖြစ်သည်။ ဆားကစ်၏ အရေးပါသော အတိုင်းအတာ (CD) ငယ်လေ၊ aspect ratio တန်ဖိုး ကြီးလေဖြစ်သည်။ ဆိုလိုသည်မှာ aspect ratio တန်ဖိုး 10 နှင့် အကျယ် 10nm ဟုယူဆပါက etching လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း တူးဖော်ထားသော အပေါက်၏ အမြင့်သည် 100nm ဖြစ်သင့်သည်။ ထို့ကြောင့် အလွန်သေးငယ်ခြင်း (2D) သို့မဟုတ် သိပ်သည်းဆမြင့်မားခြင်း (3D) လိုအပ်သော နောက်မျိုးဆက် ထုတ်ကုန်များအတွက်၊ cation များသည် etching အတွင်း အောက်ခြေဖလင်ကို ထိုးဖောက်နိုင်ကြောင်း သေချာစေရန် အလွန်မြင့်မားသော aspect ratio တန်ဖိုးများ လိုအပ်ပါသည်။

 

2D ထုတ်ကုန်များတွင် 10nm အောက် အရေးပါသော အတိုင်းအတာဖြင့် အလွန်သေးငယ်သော နည်းပညာကို ရရှိရန်၊ dynamic random access memory (DRAM) ၏ capacitor aspect ratio တန်ဖိုးကို 100 အထက်တွင် ထိန်းသိမ်းထားသင့်သည်။ အလားတူပင်၊ 3D NAND flash memory သည် cell stacking layer ၂၅၆ ခု သို့မဟုတ် ထို့ထက်ပိုသော အလွှာများကို stack လုပ်ရန် aspect ratio တန်ဖိုးများ ပိုမိုမြင့်မားရန်လည်း လိုအပ်သည်။ အခြားလုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် လိုအပ်သော အခြေအနေများနှင့် ကိုက်ညီသည့်တိုင် လိုအပ်သော ထုတ်ကုန်များကို ထုတ်လုပ်နိုင်မည် မဟုတ်ပါ။ထွင်းထုခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်စံချိန်စံညွှန်းနဲ့ မကိုက်ညီပါဘူး။ ဒါကြောင့်လည်း ထွင်းထုနည်းပညာဟာ ပိုပိုပြီး အရေးကြီးလာတာပါ။

 

 

၂။ ပလာစမာ အက်ဆစ်ပြုလုပ်ခြင်း၏ အကျဉ်းချုပ်

 

ပုံ ၂။ ဖလင်အမျိုးအစားအလိုက် ပလာစမာရင်းမြစ်ဓာတ်ငွေ့ကို ဆုံးဖြတ်ခြင်း

 

အခေါင်းပိုက်ကိုအသုံးပြုသောအခါ၊ ပိုက်အချင်းကျဉ်းလေ၊ အရည်ဝင်ရောက်ရန် ပိုမိုလွယ်ကူလေဖြစ်ပြီး ၎င်းကို capillary ဖြစ်စဉ်ဟုခေါ်သည်။ သို့သော်၊ ပေါ်နေသောနေရာတွင် အပေါက် (ပိတ်သောအဆုံး) ကို တူးဖော်ရမည်ဆိုပါက အရည်ဝင်ရောက်ရန် အတော်လေးခက်ခဲလာပါသည်။ ထို့ကြောင့်၊ ၁၉၇၀ ခုနှစ်များအလယ်ပိုင်းတွင် ဆားကစ်၏ အရေးပါသောအရွယ်အစားမှာ 3um မှ 5um ရှိသောကြောင့်၊ ခြောက်သွေ့သောထွင်းထုခြင်းWet etching ကို mainstream အဖြစ် တဖြည်းဖြည်း အစားထိုးလာခဲ့ပါတယ်။ ဆိုလိုတာကတော့ ionized ဖြစ်ပေမယ့် organic polymer solution molecule ရဲ့ volume ထက် single molecule ရဲ့ volume က ပိုသေးငယ်တာကြောင့် အပေါက်နက်တွေကို ထိုးဖောက်ဖို့ ပိုလွယ်ကူပါတယ်။

ပလာစမာထွင်းထုခြင်းအတွင်း၊ ထွင်းထုရန်အတွက်အသုံးပြုသော လုပ်ငန်းစဉ်အခန်း၏အတွင်းပိုင်းကို သက်ဆိုင်ရာအလွှာအတွက် သင့်လျော်သော ပလာစမာရင်းမြစ်ဓာတ်ငွေ့ကို ထိုးသွင်းခြင်းမပြုမီ ဗလာနတ္ထိအခြေအနေသို့ ချိန်ညှိသင့်သည်။ အစိုင်အခဲအောက်ဆိုဒ်ဖလင်များကို ထွင်းထုသည့်အခါ ပိုမိုအားကောင်းသော ကာဗွန်ဖလိုရိုက်အခြေခံဓာတ်ငွေ့များကို အသုံးပြုသင့်သည်။ အားနည်းသော ဆီလီကွန် သို့မဟုတ် သတ္တုဖလင်များအတွက် ကလိုရင်းအခြေခံ ပလာစမာရင်းမြစ်ဓာတ်ငွေ့များကို အသုံးပြုသင့်သည်။

ဒါဆိုရင် ဂိတ်အလွှာနဲ့ အောက်ခံဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် (SiO2) လျှပ်ကာအလွှာကို ဘယ်လိုထွင်းထုသင့်လဲ။

ပထမဦးစွာ၊ ဂိတ်အလွှာအတွက်၊ ပိုလီဆီလီကွန် ထွင်းထုရွေးချယ်မှုရှိသော ကလိုရင်းအခြေခံ ပလာစမာ (ဆီလီကွန် + ကလိုရင်း) ကို အသုံးပြု၍ ဆီလီကွန်ကို ဖယ်ရှားသင့်သည်။ အောက်ခြေအလွှာအတွက်၊ ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ဖလင်ကို ထွင်းထုရွေးချယ်မှုနှင့် ထိရောက်မှုပိုမိုမြင့်မားသော ကာဗွန်ဖလိုရိုက်ကို အခြေခံ ပလာစမာရင်းမြစ်ဓာတ်ငွေ့ (ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် + ကာဗွန်တက်ထရာဖလိုရိုက်) ကို အသုံးပြု၍ အဆင့်နှစ်ဆင့် ထွင်းထုသင့်သည်။

 

 

၃။ ဓာတ်ပြုအိုင်းယွန်းထွင်းခြင်း (RIE သို့မဟုတ် ရူပဗေဒနှင့်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ထွင်းခြင်း) လုပ်ငန်းစဉ်

 

ပုံ ၃။ reactive ion etching (anisotropy နှင့် high etching rate) ၏ အားသာချက်များ

 

ပလာစမာတွင် isotropic free radicals နှင့် anisotropic cations နှစ်မျိုးလုံးပါဝင်သည်၊ ထို့ကြောင့် ၎င်းသည် anisotropic etching ကို မည်သို့လုပ်ဆောင်သနည်း။

ပလာစမာခြောက်သွေ့စွာ အက်ဆစ်ချေခြင်းကို အဓိကအားဖြင့် reactive ion အက်ဆစ်ချေခြင်း (RIE၊ Reactive Ion အက်ဆစ်ချေခြင်း) သို့မဟုတ် ဤနည်းလမ်းကိုအခြေခံသည့် အပလီကေးရှင်းများဖြင့် လုပ်ဆောင်သည်။ RIE နည်းလမ်း၏ အဓိကအချက်မှာ အက်ဆစ်ချေသည့်နေရာကို anisotropic cations များဖြင့် တိုက်ခိုက်ခြင်းဖြင့် ဖလင်အတွင်းရှိ ပစ်မှတ်မော်လီကျူးများအကြား ချည်နှောင်အားကို အားနည်းစေရန်ဖြစ်သည်။ အားနည်းသွားသောနေရာကို free radicals များက စုပ်ယူပြီး အလွှာကိုဖွဲ့စည်းထားသော အမှုန်များနှင့် ပေါင်းစပ်ကာ ဓာတ်ငွေ့ (volatile compound) အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲကာ ထုတ်လွှတ်သည်။

ဖရီးရယ်ဒီကယ်များတွင် အိုင်ဆိုထရိုပစ် ဝိသေသလက္ခဏာများရှိသော်လည်း၊ အောက်ခြေမျက်နှာပြင်ကို ဖွဲ့စည်းထားသော မော်လီကျူးများ (၎င်းတို့၏ ချည်နှောင်အားသည် ကာတင်းများ၏ တိုက်ခိုက်မှုကြောင့် အားနည်းသွားသည်) ကို ခိုင်မာသော ချည်နှောင်အားရှိသော ဘေးနံရံများထက် ဖရီးရယ်ဒီကယ်များက ပိုမိုလွယ်ကူစွာ ဖမ်းယူနိုင်ပြီး ဒြပ်ပေါင်းအသစ်များအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲပေးပါသည်။ ထို့ကြောင့်၊ အောက်သို့ ထွင်းထုခြင်းသည် အဓိက လုပ်ငန်းစဉ် ဖြစ်လာပါသည်။ ဖမ်းယူထားသော အမှုန်များသည် ဖရီးရယ်ဒီကယ်များပါသည့် ဓာတ်ငွေ့ဖြစ်လာပြီး ၎င်းတို့ကို လေဟာနယ်၏ လုပ်ဆောင်ချက်အောက်တွင် မျက်နှာပြင်မှ စုပ်ယူပြီး ထုတ်လွှတ်ပါသည်။

 

ဤအချိန်တွင် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာလုပ်ဆောင်ချက်မှရရှိသော cations နှင့် ဓာတုလုပ်ဆောင်ချက်မှရရှိသော free radicals များကို ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတု etching အတွက် ပေါင်းစပ်ထားပြီး etching rate (Etch Rate၊ အချိန်အတိုင်းအတာတစ်ခုအတွင်း etching ပမာဏ) သည် cationic etching သို့မဟုတ် free radical etching တစ်ခုတည်းနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ၁၀ ဆ တိုးလာပါသည်။ ဤနည်းလမ်းသည် anisotropic downward etching ၏ etching rate ကို မြှင့်တင်ပေးရုံသာမက etching ပြုလုပ်ပြီးနောက် polymer residue ပြဿနာကိုပါ ဖြေရှင်းပေးနိုင်ပါသည်။ ဤနည်းလမ်းကို reactive ion etching (RIE) ဟုခေါ်သည်။ RIE etching ၏ အောင်မြင်မှု၏ အဓိကသော့ချက်မှာ film etching အတွက် သင့်လျော်သော plasma source gas ကို ရှာဖွေရန်ဖြစ်သည်။ မှတ်ချက်- Plasma etching သည် RIE etching ဖြစ်ပြီး နှစ်ခုလုံးကို သဘောတရားတူညီသည်ဟု ယူဆနိုင်သည်။

 

 

၄။ Etch Rate နှင့် Core Performance Index

 

ပုံ ၄။ Etch Rate နှင့် ဆက်စပ်သော Core Etch Performance Index

 

Etch rate ဆိုတာ တစ်မိနစ်အတွင်း ရောက်ရှိဖို့ မျှော်လင့်ထားတဲ့ ဖလင်ရဲ့ အနက်ကို ရည်ညွှန်းပါတယ်။ ဒါဆိုရင် single wafer မှာ etch rate ဟာ အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုနဲ့တစ်ခု မတူညီဘူးဆိုတာ ဘာကိုဆိုလိုတာလဲ။

ဆိုလိုသည်မှာ wafer ပေါ်ရှိ etch depth သည် အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုနှင့်တစ်ခု မတူညီပါ။ ထို့ကြောင့်၊ ပျမ်းမျှ etch rate နှင့် etch depth ကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားခြင်းဖြင့် etching ရပ်တန့်သင့်သည့် end point (EOP) ကို သတ်မှတ်ရန် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ EOP ကို ​​သတ်မှတ်ထားသော်လည်း၊ မူလစီစဉ်ထားသည်ထက် etch depth ပိုနက်သော (over-etched) သို့မဟုတ် ပိုတိမ်သော (under-etched) နေရာအချို့ ရှိနေပါသေးသည်။ သို့သော်၊ under-etching သည် etching လုပ်နေစဉ် over-etching ထက် ပျက်စီးမှု ပိုမိုဖြစ်စေသည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် under-etching တွင်၊ under-etched အပိုင်းသည် ion implantation ကဲ့သို့သော နောက်ဆက်တွဲလုပ်ငန်းစဉ်များကို အနှောင့်အယှက်ဖြစ်စေလိမ့်မည်။

တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ရွေးချယ်မှု (etch rate ဖြင့် တိုင်းတာသည်) သည် etching လုပ်ငန်းစဉ်၏ အဓိကစွမ်းဆောင်ရည်ညွှန်ပြချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။ တိုင်းတာမှုစံနှုန်းသည် mask layer (photoresist film၊ oxide film၊ silicon nitride film စသည်) နှင့် target layer ၏ etch rate ကို နှိုင်းယှဉ်ခြင်းအပေါ် အခြေခံသည်။ ဆိုလိုသည်မှာ ရွေးချယ်မှုမြင့်မားလေ၊ target layer ကို ပိုမိုမြန်ဆန်စွာ etch လုပ်လေဖြစ်သည်။ miniaturization အဆင့်မြင့်မားလေ၊ ကောင်းမွန်သောပုံစံများကို ပြီးပြည့်စုံစွာ တင်ပြနိုင်စေရန် ရွေးချယ်မှုလိုအပ်ချက် မြင့်မားလေဖြစ်သည်။ etching direction သည် ဖြောင့်တန်းသောကြောင့် cationic etching ၏ ရွေးချယ်မှုနည်းပါးပြီး radical etching ၏ ရွေးချယ်မှုမြင့်မားသောကြောင့် RIE ၏ ရွေးချယ်မှုတိုးတက်စေသည်။

 

 

၅။ ခြစ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်

 

ပုံ ၅။ ထွင်းထုခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်

 

ပထမဦးစွာ ဝေဖာကို အပူချိန် ၈၀၀ မှ ၁၀၀၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အကြား ထိန်းသိမ်းထားသော အောက်ဆီဒေးရှင်းမီးဖိုထဲတွင် ထားပြီးနောက် ဝေဖာ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အပူချိန်မြင့်မားသော insulation ဂုဏ်သတ္တိများရှိသော ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် (SiO2) ဖလင်ကို ခြောက်သွေ့သောနည်းလမ်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းသည်။ ထို့နောက် ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း (CVD)/ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအငွေ့စုပုံခြင်း (PVD) မှတစ်ဆင့် အောက်ဆီဒေးရှင်းဖလင်ပေါ်တွင် ဆီလီကွန်အလွှာ သို့မဟုတ် လျှပ်ကူးပစ္စည်းအလွှာတစ်ခု ဖွဲ့စည်းရန် deposition လုပ်ငန်းစဉ်ကို ထည့်သွင်းသည်။ ဆီလီကွန်အလွှာတစ်ခု ဖွဲ့စည်းပါက လိုအပ်ပါက လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို မြှင့်တင်ရန် မသန့်စင်မှုပျံ့နှံ့မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။ မသန့်စင်မှုပျံ့နှံ့မှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း မသန့်စင်မှုများစွာကို မကြာခဏ ထပ်ခါတလဲလဲ ထည့်သွင်းလေ့ရှိသည်။

ဤအချိန်တွင်၊ အပူကာအလွှာနှင့် ပိုလီဆီလီကွန်အလွှာကို ထွင်းထုရန်အတွက် ပေါင်းစပ်သင့်သည်။ ဦးစွာ၊ ဖိုတိုရီစတစ်ကို အသုံးပြုသည်။ ထို့နောက်၊ ဖိုတိုရီစတစ်ဖလင်ပေါ်တွင် မျက်နှာဖုံးတစ်ခုတင်ပြီး ဖိုတိုရီစတစ်ဖလင်ပေါ်တွင် လိုချင်သောပုံစံ (မျက်စိဖြင့်မမြင်ရသော) ကို ပုံနှိပ်ရန် ရေစိုထိတွေ့မှုကို နှစ်မြှုပ်ခြင်းဖြင့် လုပ်ဆောင်သည်။ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုဖြင့် ပုံစံအပြင်အဆင်ကို ဖော်ထုတ်သောအခါ၊ ဖိုတိုရီစတစ်လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် လုပ်ဆောင်သော ဝေဖာကို ခြောက်သွေ့စွာ ထွင်းထုရန်အတွက် ထွင်းထုလုပ်ငန်းစဉ်သို့ လွှဲပြောင်းသည်။

အခြောက်ခံ etching ကို အဓိကအားဖြင့် reactive ion etching (RIE) ဖြင့် ပြုလုပ်ပြီး ၎င်းတွင် etching ကို film တစ်ခုစီအတွက် သင့်လျော်သော source gas ကို အစားထိုးခြင်းဖြင့် အဓိကအားဖြင့် ထပ်ခါတလဲလဲ ပြုလုပ်သည်။ အခြောက်ခံ etching နှင့် အစို etching နှစ်မျိုးလုံးသည် etching ၏ aspect ratio (A/R value) ကို တိုးမြှင့်ရန် ရည်ရွယ်သည်။ ထို့အပြင်၊ အပေါက်အောက်ခြေ (etching မှ ဖြစ်ပေါ်လာသော ကွာဟချက်) တွင် စုပုံနေသော polymer ကို ဖယ်ရှားရန် ပုံမှန်သန့်ရှင်းရေး လုပ်ရန် လိုအပ်သည်။ အရေးကြီးသောအချက်မှာ သန့်ရှင်းရေးအရည် သို့မဟုတ် plasma source gas သည် trench အောက်ခြေသို့ စီးဆင်းနိုင်ကြောင်း သေချာစေရန် variable အားလုံး (ပစ္စည်းများ၊ source gas၊ အချိန်၊ ပုံစံနှင့် sequence ကဲ့သို့) ကို အော်ဂဲနစ်နည်းဖြင့် ချိန်ညှိသင့်သည်။ variable တစ်ခုတွင် အနည်းငယ်ပြောင်းလဲမှုသည် အခြား variable များကို ပြန်လည်တွက်ချက်ရန် လိုအပ်ပြီး ဤပြန်လည်တွက်ချက်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို အဆင့်တစ်ခုစီ၏ ရည်ရွယ်ချက်နှင့် ကိုက်ညီသည်အထိ ထပ်ခါတလဲလဲ ပြုလုပ်သည်။ မကြာသေးမီက၊ atomic layer deposition (ALD) layer များကဲ့သို့သော monoatomic layer များသည် ပိုမိုပါးလွှာပြီး မာကျောလာသည်။ ထို့ကြောင့် etching နည်းပညာသည် အပူချိန်နှင့် ဖိအားနိမ့်များကို အသုံးပြုရန် ဦးတည်နေသည်။ Etching လုပ်ငန်းစဉ်သည် အရေးပါသော အတိုင်းအတာ (CD) ကို ထိန်းချုပ်ပြီး ကောင်းမွန်သောပုံစံများ ထုတ်လုပ်ရန်နှင့် Etching လုပ်ငန်းစဉ်ကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ပြဿနာများ၊ အထူးသဖြင့် under-etching နှင့် အကြွင်းအကျန်ဖယ်ရှားခြင်းနှင့် ဆက်စပ်သော ပြဿနာများကို ရှောင်ရှားရန် သေချာစေရန် ရည်ရွယ်ပါသည်။ Etching အကြောင်း အထက်ဖော်ပြပါ ဆောင်းပါးနှစ်ခုသည် Etching လုပ်ငန်းစဉ်၏ ရည်ရွယ်ချက်၊ အထက်ဖော်ပြပါ ရည်မှန်းချက်များ အောင်မြင်ရန် အတားအဆီးများနှင့် ထိုကဲ့သို့သော အတားအဆီးများကို ကျော်လွှားရန် အသုံးပြုသည့် စွမ်းဆောင်ရည်ညွှန်းကိန်းများကို စာဖတ်သူများ နားလည်စေရန် ရည်ရွယ်ပါသည်။