Revestimento de SiC sobre substrato de grafite para semicondutores, revestimento de carbeto de silício.Susceptor MOCVD,
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O revestimento de SiC em substrato de grafite para aplicações em semicondutores produz uma peça com pureza superior e resistência a atmosferas oxidantes.
A deposição química de silício (SiC) por CVD ou CVI é aplicada ao grafite em peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças de grandes dimensões.

Características:
• Excelente resistência ao choque térmico
• Excelente resistência a impactos físicos
• Excelente resistência química
• Pureza super elevada
• Disponibilidade em formatos complexos
• Pode ser usado em atmosfera oxidante.
Propriedades típicas do material base de grafite:
| Densidade aparente: | 1,85 g/cm³ |
| Resistividade elétrica: | 11 μΩm |
| Resistência à flexão: | 49 MPa (500 kgf/cm²) |
| Dureza da costa: | 58 |
| Cinzas: | <5 ppm |
| Condutividade térmica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |




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