Revestimento SiC revestido de substrato de grafite para semicondutores, revestimento de carboneto de silício, susceptor MOCVD

Pequena descrição:

O revestimento SiC do substrato de grafite para aplicações semicondutoras produz uma peça com pureza superior e resistência à atmosfera oxidante.CVD SiC ou CVI SiC é aplicado ao grafite de peças de design simples ou complexo.O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças muito grandes.


  • Lugar de origem:Zhejiang, China (continente)
  • Número do modelo:Número do modelo:
  • Composição química:Grafite revestida com SiC
  • Resistência à flexão:470Mpa
  • Condutividade térmica:300 W/mK
  • Qualidade:Perfeito
  • Função:CVD-SiC
  • Aplicativo:Semicondutor/Fotovoltaico
  • Densidade:3,21 g/cc
  • Expansão térmica:4 10-6/K
  • Cinzas: <5 ppm
  • Amostra:Disponível
  • Código HS:6903100000
  • Detalhes do produto

    Etiquetas de produto

    Descrição do produto

    As vantagens especiais de nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil.Eles também possuem alta resistência química e propriedades de estabilidade térmica.

    O revestimento SiC do substrato de grafite para aplicações semicondutoras produz uma peça com pureza superior e resistência à atmosfera oxidante.
    CVD SiC ou CVI SiC é aplicado ao grafite de peças de design simples ou complexo.O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças muito grandes.

    Revestimento SiC/Susceptor MOCVD revestido

    Características:
    · Excelente resistência ao choque térmico
    · Excelente resistência ao choque físico
    · Excelente resistência química
    · Pureza Super Alta
    · Disponibilidade em formato complexo
    · Utilizável sob atmosfera oxidante

    Aplicativo:

    2

     

    Propriedades típicas do material base de grafite:

    Densidade aparente: 1,85g/cm3
    Resistividade elétrica: 11 μΩm
    Força Flexural: 49MPa (500kgf/cm2)
    Dureza Shore: 58
    Cinzas: <5 ppm
    Condutividade térmica: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

    O carbono fornece susceptores e componentes de grafite para todos os reatores de epitaxia atuais.Nosso portfólio inclui susceptores de barril para unidades aplicadas e LPE, susceptores panqueca para unidades LPE, CSD e Gemini, e susceptores de wafer único para unidades aplicadas e ASM. Ao combinar fortes parcerias com OEMs líderes, experiência em materiais e know-how de fabricação, a SGL oferece o design ideal para sua aplicação.

     


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