As vantagens especiais de nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil.Eles também possuem alta resistência química e propriedades de estabilidade térmica.
O revestimento SiC do substrato de grafite para aplicações semicondutoras produz uma peça com pureza superior e resistência à atmosfera oxidante.
CVD SiC ou CVI SiC é aplicado ao grafite de peças de design simples ou complexo.O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças muito grandes.
Características:
· Excelente resistência ao choque térmico
· Excelente resistência ao choque físico
· Excelente resistência química
· Pureza Super Alta
· Disponibilidade em formato complexo
· Utilizável sob atmosfera oxidante
Aplicativo:
Propriedades típicas do material base de grafite:
Densidade aparente: | 1,85g/cm3 |
Resistividade elétrica: | 11 μΩm |
Força Flexural: | 49MPa (500kgf/cm2) |
Dureza Shore: | 58 |
Cinzas: | <5 ppm |
Condutividade térmica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
O carbono fornece susceptores e componentes de grafite para todos os reatores de epitaxia atuais.Nosso portfólio inclui susceptores de barril para unidades aplicadas e LPE, susceptores panqueca para unidades LPE, CSD e Gemini, e susceptores de wafer único para unidades aplicadas e ASM. Ao combinar fortes parcerias com OEMs líderes, experiência em materiais e know-how de fabricação, a SGL oferece o design ideal para sua aplicação.