Peças epitaxiais de silício

Componentes revestidos com SiC por CVD para epitaxia de silício (Si Epi)

Projetados com precisão para sistemas de deposição epitaxial de silício em wafer único e em lote, nossos susceptores, discos satélite e componentes de campo térmico revestidos com SiC por CVD oferecem excelente uniformidade térmica e zero desgaseificação. A camada de revestimento de β-SiC cúbico de alta densidade encapsula completamente o substrato de grafite de alta pureza, prevenindo a corrosão por gases reativos (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) e garantindo níveis ultrabaixos de impurezas metálicas (< 5 ppm) durante o processamento epitaxial de Si em alta temperatura (1000 °C - 1200 °C).

Uniformidade do Campo Térmico

A emissividade controlada garante uma consistência precisa da espessura do filme da borda ao centro do wafer.

Resistência à corrosão por HCl

Oferece proteção robusta contra produtos químicos de limpeza da câmara e choques térmicos.

Compatibilidade com o sistema OEM

Usinado com precisão em CNC para se ajustar às ferramentas de epi de wafer único convencionais de 200 mm/300 mm (Applied Materials, ASM).

Parâmetro técnico	Valor de especificação	Método padrão/de teste
Material de revestimento	CVD β-SiC (Fase Cúbica)	Estrutura cristalina de alta densidade
Material do substrato	Grafite isostático ultrapuro	Densidade: 1,82 - 1,88 g/cm³
Pureza química	Impurezas totais < 5 ppm	Testado pelo GDMS
Espessura do revestimento	80 μm - 150 μm	Uniformidade ≤ ±5%