CAMPO DE APLICAÇÃO


Aplicação e desempenho do produto Aplicações e usos do produto
Indústria de monocristais de silício, pedestais MOCVD de GaN, AlN, safira e outros. - Revestimento de base de grafite para crescimento epitaxial de silício monocristalino.
Principais características: alta pureza, resistência à erosão, alta condutividade térmica, processo MOCVD, revestimento à base de grafite para crescimento epitaxial de GaN.
Alta resistência à temperatura, baixo coeficiente de expansão térmica.
| Condutividade térmica | 250 W/m °K | Método de flash a laser, RT |
| Expansão Térmica (CTE) | 4,5 x 10-6°K | Temperatura ambiente até 950 °C, dilatômetro de sílica |
| Propriedade | Valor | Método |
| Densidade | 3,21 g/cc | Flutuador e dimensão |
| Calor específico | 0,66 J/g °K | Flash de laser pulsado |
| Resistência à flexão | 450 MPa 560 MPa | Dobra de 4 pontos, dobra de 4 pontos RT, 1300° |
| tenacidade à fratura | 2,94 MPa m1/2 | Microindentação |
| Dureza | 2800 | Vickers, carga de 500g |
| Módulo de elasticidadeMódulo de Young | 450 GPa 430 GPa | Dobra de 4 pontos, dobra de 4 pontos RT, 1300 °C |
| Tamanho do grão | 2 - 10 µm | MEV (Microscopia Eletrônica de Varredura) |

Pureza, estrutura SEM, análise de espessura derevestimento de SiC
A pureza dos revestimentos de SiC sobre grafite, obtidos por CVD, atinge 99,9995%. Sua estrutura é cúbica de faces centradas (fcc). Os filmes de SiC depositados sobre grafite apresentam orientação (111), conforme mostrado nos dados de difração de raios X (Figura 1), indicando sua alta qualidade cristalina. A espessura do filme de SiC é bastante uniforme, como ilustrado na Figura 2.
Figura 2: espessura uniforme dos filmes de SiC
A estrutura cristalina do filme de SiC depositado por CVD é cúbica de faces centradas, e a orientação de crescimento do filme é próxima de 100%. Microscopia eletrônica de varredura (MEV) e difração de raios X (DRX) do filme de beta-SiC sobre grafite.
BASE EPITAXIAL DE SILÍCIO MONOCRISTALINO
Desempenho do produto e perspectivas de aplicação.
revestido com carbeto de silício (SiC)A base é a melhor base para epitaxia de silício monocristalino e GaN, sendo um componente essencial do forno de epitaxia. A base é um acessório fundamental na produção de silício monocristalino para circuitos integrados de grande porte. Possui alta pureza, resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão, boa estanqueidade ao ar e outras excelentes características de material.
Aplicação e utilização do produto
Revestimento à base de grafite para crescimento epitaxial de silício monocristalino. Adequado para máquinas Aixtron, etc. Espessura do revestimento: 90~150µm. O diâmetro da cratera no wafer é de 55mm.
FOTOVOLTAICA SOLAR
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revestimento de cadinho de grafitepara silício monocristalino pelo método de tração direta
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Oficina Classe 1000 livre de poeira
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