As exigências da indústria de semicondutores em relação ao material de grafite são particularmente elevadas. O grafite de tamanho de partícula fino apresenta alta precisão, resistência a altas temperaturas, alta resistência mecânica, baixa perda e outras vantagens, sendo utilizado, por exemplo, em moldes para produtos de grafite sinterizado.Como os equipamentos de grafite utilizados na indústria de semicondutores (incluindo aquecedores e seus chips sinterizados) precisam suportar repetidos processos de aquecimento e resfriamento, para prolongar a vida útil desses equipamentos, geralmente é necessário que os materiais de grafite utilizados apresentem desempenho estável e resistência a impactos térmicos.
01 Acessórios de grafite para crescimento de cristais semicondutores
Todos os processos utilizados para o crescimento de cristais semicondutores operam em ambientes de alta temperatura e corrosivos. A zona quente do forno de crescimento de cristais é geralmente equipada com componentes de grafite de alta pureza resistentes ao calor e à corrosão, como aquecedor, cadinho, cilindro isolante, cilindro guia, eletrodo, suporte do cadinho, porca do eletrodo, etc.
Podemos fabricar todas as peças de grafite para dispositivos de produção de cristais, que podem ser fornecidas individualmente ou em conjuntos, ou peças de grafite personalizadas de vários tamanhos de acordo com as necessidades do cliente. O tamanho dos produtos pode ser medido no local e o teor de cinzas dos produtos acabados pode ser menor.menos de 5 ppm.
02 Acessórios de grafite para epitaxia de semicondutores
O processo epitaxial refere-se ao crescimento de uma camada de material monocristalino com a mesma estrutura cristalina do substrato sobre este mesmo substrato. No processo epitaxial, o wafer é depositado sobre um disco de grafite. O desempenho e a qualidade do disco de grafite são cruciais para a qualidade da camada epitaxial do wafer. Na área de produção epitaxial, há uma grande demanda por grafite de ultra-alta pureza e grafite de alta pureza com revestimento de SiC.
A base de grafite da nossa empresa para epitaxia de semicondutores possui uma ampla gama de aplicações, é compatível com a maioria dos equipamentos comumente usados na indústria e apresenta alta pureza, revestimento uniforme, excelente vida útil, alta resistência química e estabilidade térmica.
03 Acessórios de grafite para implantação iônica
A implantação iônica refere-se ao processo de aceleração de um feixe de plasma de boro, fósforo e arsênio a uma determinada energia, seguido de sua injeção na camada superficial de um material de pastilha para alterar as propriedades dessa camada. Os componentes do dispositivo de implantação iônica devem ser fabricados com materiais de alta pureza, apresentando excelente resistência ao calor, condutividade térmica, baixa corrosão causada pelo feixe iônico e baixo teor de impurezas. O grafite de alta pureza atende aos requisitos da aplicação e pode ser utilizado em tubos de voo, fendas diversas, eletrodos, capas de eletrodos, condutos, terminadores de feixe, etc., em equipamentos de implantação iônica.
Podemos fornecer não apenas coberturas de proteção de grafite para diversas máquinas de implantação iônica, mas também eletrodos de grafite de alta pureza e fontes de íons com alta resistência à corrosão em várias especificações. Modelos aplicáveis: Eaton, Azcelis, Quatum, Varian, Nissin, AMAT, LAM e outros equipamentos. Além disso, também podemos fornecer produtos complementares em cerâmica, tungstênio, molibdênio, alumínio e peças revestidas.
04 Materiais de isolamento de grafite e outros
Os materiais de isolamento térmico utilizados em equipamentos de produção de semicondutores incluem feltro rígido de grafite, feltro macio, folha de grafite, papel de grafite e corda de grafite.
Toda a nossa matéria-prima é grafite importado, que pode ser cortado de acordo com as dimensões específicas exigidas pelo cliente ou vendido inteiro.
A bandeja de carbono-carbono é utilizada como suporte para a deposição de filme no processo de produção de células solares de silício monocristalino e policristalino. O princípio de funcionamento é o seguinte: o chip de silício é inserido na bandeja de CFC e, em seguida, é encaminhado para o tubo do forno para a deposição do filme.
