Recubrimiento de SiC recubierto de sustrato de grafito para semiconductores, recubrimiento de carburo de silicio,Susceptor MOCVD,
Epitaxia de GaN sobre silicio, epitaxia de silicio monocristalino de CI, Epitaxia del chip LED, Susceptor MOCVD, Recubrimiento de carburo de silicio, Epitaxia del chip LED UV,
El recubrimiento de SiC del sustrato de grafito para aplicaciones de semiconductores produce una pieza con una pureza superior y resistencia a la atmósfera oxidante.
El SiC CVD o el SiC CVI se aplican al grafito en piezas de diseño simple o complejo. El recubrimiento puede aplicarse en diferentes espesores y en piezas de gran tamaño.

Características:
· Excelente resistencia al choque térmico
· Excelente resistencia a los golpes físicos
· Excelente resistencia química
· Pureza súper alta
· Disponibilidad en forma compleja
· Utilizable en atmósfera oxidante
Propiedades típicas del material base de grafito:
| Densidad aparente: | 1,85 g/cm3 |
| Resistividad eléctrica: | 11 μΩm |
| Resistencia a la flexión: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
| Dureza Shore: | 58 |
| Ceniza: | <5 ppm |
| Conductividad térmica: | 116 W/mK (100 kcal/mh-℃) |




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Q1:¿Cuales son sus precios?
Nuestros precios están sujetos a cambios según la oferta y otros factores del mercado. Le enviaremos una lista de precios actualizada después de que su empresa nos contacte para obtener más información.
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