Revestimentos CVD para processamento avançado de semicondutores
Projetados para ambientes críticos de fabricação de semicondutores, nossos revestimentos de Carboneto de Silício (SiC), Carboneto de Tântalo (TaC) e Carbono Pirolítico (PyC) depositados por Deposição Química de Vapor (CVD) oferecem inércia química excepcional, extrema estabilidade térmica e pureza ultra-alta (< 5 ppm). Criados para proteger substratos de grafite e cerâmica de alta pureza contra plasma agressivo, gases de processo reativos e ciclos térmicos intensos, nossos revestimentos avançados minimizam a geração de partículas e prolongam significativamente a vida útil dos componentes.Epitaxia de silício/SiC, MOCVD, gravação a plasma e crescimento de monocristaisaplicações.
Baixas impurezas metálicas verificadas por GDMS para evitar a contaminação do wafer em processos críticos.
A estrutura cristalina densa protege contra plasma de halogênio (CF₄, NF₃, Cl₂) e gases corrosivos.
O controle rigoroso do coeficiente de expansão térmica (CTE) elimina microfissuras e delaminação do revestimento sob severos choques térmicos.
| Tipo de revestimento | Principal vantagem técnica | Aplicação do Processo Primário |
|---|---|---|
| Revestimento de SiC por CVD | Alta condutividade térmica, excelente resistência à erosão por plasma | Ataque químico seco, epitaxia de silício, MOCVD, crescimento de cristais |
| Revestimento CVD TaC | Resistência a temperaturas extremas (>2000°C), barreira anticorrosiva H₂/SiH₄ | Epitaxia de SiC, crescimento PVT de SiC monocristalino |
| Revestimento PyC | Vedação hermética a gás, superfície de carbono anisotrópica ultralisa | Isolamento de campo térmico, silício monocristalino CZ |
