O se Taiala Atoatoa i Mea e Fa'amama ai le Graphite e Maualuga le Mama

I le gaosiga o masini semiconductor faʻaonaponei ma le gaosiga o semiconductor faʻaputuga lona tolu o le tupulaga (e pei o le Silicon Carbide [SiC] ma le Gallium Nitride [GaN]), o talanoaga faʻapisinisi e masani ona taulaʻi i masini lithography EUV ultra-advanced, plasma etchers, poʻo le mama o le kasa precursor. Peitaʻi, i totonu o le siosiomaga e matua mama, e matua ʻeleʻele, ma le vevela maualuga o le potu tali atu o loʻo i ai se toa taua e le o taʻua: o le Graphite susceptor.

1. O le a le Graphite Susceptor?

A Mea e taofia ai le kalafiteo se vaega feaveaʻi faʻatino ua mamanuina ma le saʻo ma ua gaosia mai le graphite ua faʻafoliga i le iso poʻo le extruded e maualuga le mama, e masani ona faʻaalia ai le foliga o le tisiketi, faʻaofuofu i taga, poʻo se mea faʻapitoa.o fausaga e tolu-vaega ua mamanuina ina ia fetaui ma potu faapitoa o tali atu.

I masini e pei o le Chemical Vapor Deposition (CVD), Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), ma le Rapid Thermal Processing (RTP) reactors, o le galuega autū a le fa'avae feavea'i o le taofia lea ma le saogalemu o wafers semiconductor a'o avea ma fesuia'iga autu o le vevela. I le fa'aaogaina o auala fa'avevela o le Graphite susceptor induction, e vave ona mitiia e le vaega le Radio Frequency (RF) po'o le microwave electromagnetic energy ma liua i le malosiaga fa'avevela tutusa, ma fa'afaigofieina ai le puleaina sa'o o le vevela i le tulaga millisecond i luga o le fogā'ele'ele o le wafer.

2. Fa'atulagaga o Meafaitino ma le Fausaga Laiti: Aiseā e Fa'apipi'i ai le Isostatic Graphite + CVD SiC Coating?

E le mafai e le graphite mata e le'i ufiufiina ona tatalia le malosi o le ea fa'akemikolo ma mana'oga fa'amama faigata o le gaosiga o semiconductor. O masini fa'aonaponei e fa'aogaina le maualuga o le fa'atinoga o graphite e fa'aogaina se faiga fa'apitoa e lua-vaega tu'ufa'atasi:

(1) Mea Fa'apipi'i Karapite Isostatic Mama Maualuga

O le mea autū e gaosia e faʻaaoga ai le graphite e pei o le isostatic pressed. E ala i le faʻaleleia atili o le faʻatulagaina o le graphite micro crystalline, e maua ai meatotino faʻaletino isotropic, porosity maualalo, ma le malosi maualuga o le flexural mechanical, ma maua ai se faʻavae lelei mo le micro-machining wafer pocket geometries faigata.

(2) Ufi Puipui CVD Silicon Carbide (SiC)

I le fa'aaogaina o le Chemical Vapor Deposition, o se vaega mafiafia tele o le poly-crystalline B-SiC (e masani lava e 10 i le 100 um le mafiafia ma le 99.999% le mama) e totoina i luga o le graphite substrate. O lenei ufiufi e fa'amaufa'ailogaina atoatoa ai pu laiti o le graphite, puipuia ai le fa'asolo o mea leaga, ma maua ai se pa puipui e le mafai ona sosolo ese mai kasa e pei o le HCI, NH,, ma mea fa'a-fluorinated.

3. Meatotino Fa'aletino Autū ma Fa'amatalaga o Meafaitino

E faʻavae i luga o suʻega maeʻaeʻa i totonu o fale suʻesuʻe ma faʻamaoniga faʻapitoa a le alamanuia, o loʻo faʻaalia ai e masini faʻapipiʻi graphite ua ufiufiina i le mama maualuga ia tulaga faʻaletino taua nei:

Aogā Autu o Inisinia:

1. Tete'e Sili Atu i le Te'i Fa'avevelaE mafai ona tatalia le fa'avevela ma le fa'amālūlūina vave pea (e sili atu i le 1500°C) e aunoa ma le māvaevae pe vaeluaina.

2. Le Malosi Fa'akemikoloE matuā puipuia lava mai le faaleagaina mai le H2, NH3, kasa silane, ma vailaʻau malolosi e faʻamamā ai.

3. Fa'atusatusaga o le Coefficient of Thermal Expansion (CTE)O le faiga fa'apitoa a le VET Energy mo le fa'aputuina o le SiC e fa'afetaui ai le amioga fa'alauteleina o le vevela o le ufiufi SiC ma le fatu o le graphite, e puipuia ai le malepe o le ufiufi i le vevela tele.

4. Matafaioi ma Faʻaoga i le Faʻagasologa o Semiconductor

O mea e fa'agaoioi ai le graphite e maualuga le fa'atuatuaina e avea o ni vaega fa'avae e mafai ai ona fa'agaoioia i ni la'asaga taua o le gaosiga o semiconductor:

(1) CVD ma le MOCVD Epitaxial Growth (Epi)

I le gaosiga o le GaN LED, o le epitaxy o le masini eletise SiC, ma le tuputupu aʻe o le silicon wafer, le mafiafia o le ata tifaga ma le tutusa o le doping e faalagolago tele i le homogeneity o le thermal field. O le graphite susceptors e tufatufa tutusa le vevela i luga o le tasi poʻo le tele o wafer configurations i le taimi o le viliina, e taofia ai le thermal stress wafer bowing poʻo le slip lines.

(2) Tuputupu Aʻe o le Kilisitala Tasi (Metotia PVT)

I le taimi o le tuputupu aʻe o le Silicon Carbide (SiC) ma le Sapphire crystal e ala i le Physical Vapor Transport (PVT), o le susceptor e faʻamatalaina le thermal zone gradient, e taʻitaʻia saʻo ai le fausiaina o le single-crystal ingot ma faʻaitiitia ai le dislocation density.

(3) Fa'agasologa vave o le vevela (RTP) ma le fa'a'aisa

I le fa'aaogaina lelei o le fa'avevela fa'aosofia o le Graphite susceptor, e mafai ai e le fa'avae ona vave tele taimi e tali atu ai i le vevela e mana'omia mo le fa'amafanafanaina o le lattice pe a uma ona fa'apipi'i ma le fa'atulagaina o feso'ota'iga.

5. Aiseā e Filifili ai le VET Energy?

Faatasi ai ma manaoga faigata mo le maufetuuna'i o le sapalai o sapalai, le mama atoatoa, ma le umi o le ola tautua,VET Malosiagae tu matilatila o se pa'aga fa'ainisinia fa'alelalolagi fa'atuatuaina:

1. Masini Laiti Sa'oO nofoaga autu o masini CNC e tele-axis e mafai ai ona faia ni taga wafer faigata, ni alava laiti, ma ni auala kesi aerodynamic fa'apitoa e mafai ona faia i lalo ma le fa'atagaina e o'o atu i le tulaga micrometer.

2. Fa'aputuga SiC CVD Mamafa MaualugaO la matou faiga fa'apitoa CVD e maua ai ni ufiufi SiC e matua mafiafia, e mafai ona fa'apala'au e pei o se fa'ata, e fa'alauteleina ai le umi e fa'agaoioia ai le ta'amilosaga fa'avevela e silia ma le 30%.

3. Siosiomaga Fa'agasologa Mama Tele: Fa'amamāina atoatoa ma le fa'amautinoaina o le fa'amamaina o le potu e tausia pea le aofa'i o le lefulefu i lalo ifo o le 5 ppm, ma fa'amalieina ai le fa'amalosia o le semiconductor OEMTulaga faatonuina a le Fab.

4. Tau Fa'aleleia o le Puleaina (CoO)E tu'uina atu e le VET Energy ni taimi fa'avavevave fa'atasi ai ma le tau fa'atauva'a i le fa'atinoga, e fesoasoani ai i le au gaosi chips e fa'aitiitia ai tupe fa'aalu.