O le Mataupu Faavae o le Metotia PVT Silicon Carbide (SiC) Crystal Growth

O le metotia PVT, o lona igoa atoa o le Physical Vapor Transportation, o se metotia masani mo le totoina o le silicon carbide (SiC)kristali i lalo o le vevela maualuga ma le mamafa maualuga. O lona mataupu faavae autu o le faʻavevela lea o le pauta silicon carbide i le sublimation i le vevela e sili atu i le 2300℃ ma i se siosiomaga maualalo le mamafa e latalata i le vacuum, ma fausia ai se kesi tali atu o loʻo i ai vaega kesi e pei o le Si, Si2C, ma le SiC2. Ona o le eseesega o le mamafa faʻapitoa o le kesi-vasega o vaega Si ma le C na fausia e le tali atu o le sublimation solid-phase, o le fua faatatau stoichiometric Si/C e fesuisuiaʻi ma le tufatufaina atu o le fanua vevela. O le mea lea, e tatau ai ona pulea le tufatufaina atu ma le felauaiga o vaega kesi-vasega ina ia mautinoa latou te oʻo atu i tulaga faʻapitoa o le crystallization i totonu o le potu tuputupu aʻe.

Ina ia puipuia le fa'alavelaveina o le kesi-vasega mai le fausiaina o le polycrystalline silicon carbide, o tioata fatu silicon carbide e fa'atulaga i le pito i luga o le potu tuputupu a'e. I lalo o le fa'amalosia o le gas-vasega supersaturation, o vaega o le kesi-vasega o le a fa'aputu i luga o le tioata fatu e fausia ai tioata ta'itasi silicon carbide. O le fa'agasologa atoa o le tali atu e faia i totonu o se potu tuputupu a'e tapuni, lea e fa'apipi'i ai fa'asologa uma o le faiga o le tali atu. So'o se suiga i tulaga tuputupu a'e o le a a'afia ai le mautu o le tuputupu a'e o le tioata ta'itasi.

E le gata i lea, o le eseese o fausaga vavalalata o tioata ta'itasi silicon carbide e tusa ai ma le fa'atulagaina o le tioata e mafua ai le tele o auala e feso'ota'i ai ma fa'apipi'i ai, ma fausia ai le silia ma le 200 ituaiga tioata o isomers silicon carbide. O le pa puipui o le liua o le malosi i le va o ituaiga tioata eseese e matua maualalo lava, o lea e matua ono tupu ai le suiga o foliga tioata i le faiga tuputupu a'e o le tioata ta'itasi PVT, ma i'u ai i foliga tioata fa'atatau e le'i fa'atulagaina ma le tele o fa'aletonu o le fa'akristaliina. O le mea lea, e tatau ai ona fa'aaoga ni masini siaki fa'apitoa e iloa ai le ituaiga tioata ma fa'aletonu eseese o le ingot tioata.

O le faagasologa o le sauniuniga o le silicon carbide e matua maualuga lava manaʻoga, e masani ona faʻaalia i vaega nei:

• E tele mea leaga mai le siosiomaga i le faagasologa o le gaosia o le pauta silicon carbide, ma faigata ai ona maua le pauta mama maualuga. O le le atoatoa o le tali atu i le va o le pauta silicon ma le pauta carbon o le puna o le tali atu e faigofie ona mafua ai le le paleni i le fua faatatau o le Si/C. O le foliga o le tioata ma le tele o le vaega o le pauta silicon carbide pe a uma ona gaosia e faigata ona pulea.
• I lalo o tulaga o le vevela maualuga e sili atu i le 2300℃ ma e latalata i le vacuum, e ui atu ai le silicon carbide i se faagasologa o le suiga ma le toe fa'afouina o le "solid-gas-solid" i totonu o se potu graphite tapuni. O lenei faagasologa e umi se taamilosaga tuputupu a'e, e faigata ona pulea, ma e faigofie ona i ai ni faaletonu e pei o microtubules ma inclusions.
• E aofia i le silicon carbide le silia ma le 200 ituaiga eseese o tioata, ae o le gaosiga e masani lava e na'o le tasi le ituaiga tioata e mana'omia. I le taimi o le faagasologa o le tuputupu a'e, e faigofie ona tupu le suiga o foliga tioata, ma i'u ai i ni fa'aletonu e tele ituaiga. I le taimi o le faagasologa o le sauniuniga, e faigata ona pulea ma le mautu se ituaiga tioata e tasi, ma o le pa puipui o le liua o le malosi i le va o ituaiga tioata eseese e matua maualalo lava, lea e fa'ateleina ai le faigata o le puleaina. O le puleaina o parakalafa ma su'esu'ega e feso'ota'i i ai i le taimi lea e mana'omia ai le tele o tau o R&D, o se tasi foi lea o mafua'aga o le taugata o le silicon carbide e fetaui lelei.