Habka PVT, oo magaciisa oo buuxa uu yahay Physical Vapor Transportation, waa hab caadi ah oo lagu beero carbide silicon ah (SiC) kiristaaladaha heerkulka sare iyo cadaadiska sare. Mabda'a aasaasiga ah waa in budada silicon carbide lagu kululeeyo sublimation heerkul ka sarreeya 2300℃ iyo jawi cadaadis hooseeya oo u dhow faakuumka, taasoo sameysa gaas falgal ah oo ka kooban qaybo gaas ah sida Si, Si2C, iyo SiC2. Sababtoo ah cadaadiska qayb ahaan ee kala duwan ee gaaska-wajiga ee qaybaha Si iyo C ee ay sameeyeen falgalka sublimation-ka adag, saamiga stoichiometric ee Si/C wuu kala duwan yahay iyadoo la raacayo qaybinta goobta kulaylka. Sidaa darteed, waxaa lagama maarmaan ah in la xakameeyo qaybinta iyo gaadiidka qaybaha wejiga gaaska si loo hubiyo inay gaaraan jagooyinka gaarka ah ee crystallization ee qolka koritaanka.
Si looga hortago in kiristaalaynta wejiga gaaska ee aan habboonayn ay samayso kaarbiid silicon polycrystalline ah, kiristaaladaha abuurka silicon carbide ayaa la dhigayaa xagga sare ee qolka koritaanka. Iyada oo hoos timaada supersaturation-ka wejiga gaaska, qaybaha wejiga gaaska ayaa ku shubmi doona dusha sare ee kiristaal abuurka si ay u sameeyaan kiristaal silicon carbide keli ah. Geedi socodka falgalka oo dhan wuxuu ka dhacaa qol korriin xiran, halkaas oo dhammaan xuduudaha nidaamka falgalka ay isku xiran yihiin. Isbeddel kasta oo ku yimaada xaaladaha koritaanka wuxuu saameyn doonaa xasilloonida koritaanka kiristaal keli ah.
Intaa waxaa dheer, qaab-dhismeedka kala duwan ee isku xiran ee kiristaalo keli ah oo silikoon ah marka loo eego jihada kiristaalkooda ayaa horseedaya isku xidhka atomiga iyo habab kala duwan oo isku xidhka ah, sidaas darteedna sameeya in ka badan 200 oo nooc oo kiristaal ah oo ah isomers-ka silikoon carbide. Caqabadda beddelka tamarta ee u dhaxaysa qaababka kiristaalka ee kala duwan aad bay u hooseysaa, sidaa darteed isbeddelka qaabka kiristaalka ayaa aad ugu dhow inuu ka dhaco nidaamka koritaanka kiristaalka keli ah ee PVT, taasoo keenta qaabab kiristaal bartilmaameed ah oo aan kala go 'lahayn iyo cillado kiristaal oo kala duwan. Sidaa darteed, waxaa lagama maarmaan ah in la isticmaalo qalab kormeer oo gaar ah si loo ogaado qaabka kiristaalka iyo cillado kala duwan oo ku jira kiristaalka.
Habka diyaarinta carbide-ka silicon wuxuu leeyahay shuruudo aad u sarreeya, oo inta badan lagu muujiyo dhinacyada soo socda:
- Waxaa jira wasakh badan oo deegaanka ah oo ku jira habka isku-darka budada carbide-ka ee silicon, taasoo adkeyneysa in la helo budo saafi ah oo sareysa. Falcelinta aan dhammaystirnayn ee u dhaxaysa budada silicon iyo budada kaarboonka oo ah isha falgalka ayaa u nugul inay keento dheelitir la'aan saamiga Si/C. Qaabka kiristaalka iyo cabbirka walxaha ee budada carbide-ka ee silicon ka dib isku-darka way adag tahay in la xakameeyo.
- Marka heerkulku sarreeyo oo ka sarreeya 2300℃ iyo meel u dhow faakuum, carbide-ka silicon wuxuu maraa isbeddel "adag-gaas-adag" iyo dib-u-cusboonaysiin qolka graphite ee xiran. Habkani wuxuu leeyahay wareeg koritaan oo dheer, way adag tahay in la xakameeyo, wuxuuna u nugul yahay cillado sida microtubules iyo inclusions.
- Kaarboohaydraytka silikoonku wuxuu ka kooban yahay in ka badan 200 oo qaab oo kiristaalo ah oo kala duwan, laakiin wax soo saarku badanaa wuxuu u baahan yahay hal qaab oo kiristaalo ah oo keliya. Inta lagu jiro habka koritaanka, isbeddelka qaabka kiristaalo ayaa u nugul inuu dhaco, taasoo keenta cillado ku darid noocyo badan leh. Inta lagu jiro habka diyaarinta, way adag tahay in si adag loo xakameeyo hal qaab kiristaalo oo gaar ah, caqabadda beddelka tamarta ee u dhaxaysa qaababka kiristaalo ee kala duwanina aad bay u hooseysaa, taas oo kordhisa dhibka xakamaynta. Xakamaynta halbeegga iyo cilmi-baarista la xiriirta muddadan waxay u baahan yihiin kharashyo badan oo cilmi-baaris iyo horumarin ah, taas oo sidoo kale ah mid ka mid ah sababaha qiimaha sare ee kaarboohaydraytka silikoon ee waafaqsan.
Waqtiga boostada: Luulyo-03-2025