SiC-beläggningsgrafit MOCVD-skivorbärare,Grafitmottagareför SiC-epitaxi,
Kol förser susceptorer, epitaxi-susceptorer, Grafitmottagare,

CVD-SiC-beläggning har egenskaper som enhetlig struktur, kompakt material, hög temperaturbeständighet, oxidationsbeständighet, hög renhet, syra- och alkalibeständighet och organiska reagens, med stabila fysikaliska och kemiska egenskaper.

Jämfört med högrena grafitmaterial börjar grafit oxidera vid 400°C, vilket orsakar pulverförlust på grund av oxidation, vilket leder till miljöföroreningar i kringutrustning och vakuumkammare, och ökar föroreningarna i högrena miljöer.

SiC-beläggning kan dock bibehålla fysisk och kemisk stabilitet vid 1600 grader. Den används ofta inom modern industri, särskilt inom halvledarindustrin.

Vårt företag erbjuder SiC-beläggningsprocesser med CVD-metoden på ytan av grafit, keramik och andra material, så att speciella gaser som innehåller kol och kisel reagerar vid hög temperatur för att erhålla SiC-molekyler med hög renhet. Molekylerna avsätts på ytan av det belagda materialet och bildar ett skyddande SIC-skikt. Det bildade SIC-skiktet är fast bundet till grafitbasen, vilket ger grafitbasen speciella egenskaper. Detta gör grafitytan kompakt, porfri, högtemperaturbeständig, korrosionsbeständig och oxidationsbeständig.

Ansökan:

Huvudfunktioner:

1. Oxidationsmotstånd vid hög temperatur:

Oxidationsmotståndet är fortfarande mycket gott även vid temperaturer så höga som 1700 C.

2. Hög renhet: tillverkad genom kemisk ångavsättning under högtemperaturklorering.

3. Erosionsbeständighet: hög hårdhet, kompakt yta, fina partiklar.

4. Korrosionsbeständighet: syra, alkali, salt och organiska reagenser.

Huvudspecifikationer för CVD-SIC-beläggningar:

Leveransförmåga:

10000 styck/stycken per månad
Förpackning och leverans:
Förpackning: Standard och stark packning
Polypåse + låda + kartong + pall
Hamn:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Ledtid: