Kiselkarbidbelagt grafitsubstrat för halvledare, MOCVD-susceptor

Kort beskrivning:

VET Energy SiC-belagd susceptor är en högpresterande produkt utformad för att ge konsekvent och pålitlig prestanda över en längre period. Den har supergod värmebeständighet och termisk likformighet, hög renhet och erosionsbeständighet, vilket gör den till den perfekta lösningen för waferbearbetningsapplikationer.

Ursprungsort:Zhejiang, Kina (fastlandet)

Kemisk sammansättning:SiC-belagd grafit

Böjhållfasthet:470 MPa

Värmeledningsförmåga:300 W/mK

Kvalitet:Perfekt

Fungera:CVD-SiC

Ansökan:Halvledare/Fotovoltaisk

Densitet:3,21 g/cc

Termisk expansion:4 10-6/K

Aska: <5 ppm

Prov:Tillgänglig

HS-kod:6903100000

Skicka e-post till oss Ladda ner som PDF

Produktinformation

Produktetiketter

VET Energy SiC Coated Susceptorär en högpresterande lösning som är noggrant utformad för att leverera pålitlig och konsekvent prestanda över en längre livslängd och uppfyller de höga kraven inom halvledartillverkning. Med exceptionell värmebeständighet, överlägsen termisk likformighet och hög renhet är denna produkt idealisk för MOCVD-waferbärare och andra waferbearbetningsapplikationer som kräver stabilitet och precision. Dess robusta erosionsbeständighet gör den till ett premiumval för miljöer där hållbarhet och kemisk motståndskraft är avgörande.

VårSiC-belagd grafitmottagarestår som en kritisk komponent i halvledartillverkningsprocessen och utnyttjar VET Energys exklusiva patenterade teknik för att uppnå extremt hög renhet, överlägsen beläggningsjämnhet och anmärkningsvärd termisk stabilitet. Beläggningen förbättrar grafitsubstratet med hög kemisk resistens och en avsevärt förlängd livslängd. VET Energys engagemang för kvalitet har resulterat i en SiC-belagd susceptor som möter de ständigt växande behoven på marknaden för grafitskivor, vilket sätter en hög standard för SiC-belagda grafitsusceptorer som används iMOCVD-processer.

Viktiga egenskaper hos SiC-belagda susceptorer:

1. Oxidationsmotstånd vid hög temperatur:Tål temperaturer upp till 1700 ℃, vilket gör den lämplig för extrema bearbetningsförhållanden.

2. Hög renhet och termisk enhetlighet:Säkerställer konsekventa resultat, avgörande förMOCVD-mottagareoch andra precisionstillämpningar.

3. Utmärkt korrosionsbeständighet:Motståndskraftig mot syra, alkali, salter och olika organiska reagenser.

4. Förbättrad ythårdhet:Kompakt yta med fina partiklar som ger högre hållbarhet och livslängd.

5. Förlängd livslängd:Konstruerad för hållbar prestanda och överträffar vanliga kiselkarbidbelagda susceptorer i tuffa bearbetningsmiljöer.

Som en ledande tillverkare specialiserar sig VET Energy på kundanpassad grafit ochkiselkarbidproduktermed olika beläggningsalternativ, inklusiveSiC-beläggning, TaC-beläggning, glasartad kolbeläggning, och pyrolytisk kolbeläggning. Vi är stolta över att betjäna halvledar- och solcellsindustrin och levererar kiselkarbidbelagda grafitmotstånd som uppfyller specifika driftskrav.

Vårt tekniska team, med erfarenhet från ledande inhemska forskningsinstitutioner, är dedikerat till att utveckla materiallösningar för de ständigt föränderliga behoven hosSiC-belagd grafitmottagaremarknaden. Genom vår patenterade process har VET Energy utvecklat en unik teknik som avsevärt förbättrar bindningsstyrkan mellan kiselkarbidbeläggningen och substratet, vilket minskar risken för lossning och förbättrar den långsiktiga tillförlitligheten.

Tillämpningar och fördelar inom halvledarbearbetning

DeSiC-beläggning för MOCVDmöjliggörgrafitmottagarekomponenter för att bibehålla integriteten under höga temperaturer och korrosiva miljöer, vilket är avgörande för precisionsproduktion av halvledare. Dessa SiC-belagda grafitkomponenter är särskilt värdefulla i processer som kräver kiselkarbidbelagda susceptorer förgrafitskivorbärare, som kräver hög termisk stabilitet, renhet och motståndskraft mot kemisk erosion.

Med våra avancerade kiselkarbidbeläggningstekniker fortsätter VET Energy att stödja marknaden för grafitskivor genom att leverera skräddarsydda, högpresterandeSiC-belagda grafitmottagaresom tar itu med branschspecifika utmaningar, från MOCVD-processer till högrenhetsapplikationer inom halvledarområdet.