SiC আবরণ গ্রাফাইট MOCVD ওয়েফার ক্যারিয়ার,গ্রাফাইট সাসপেকটরSiC এপিট্যাক্সির জন্য,
কার্বন সাসপেকটর সরবরাহ করে, এপিট্যাক্সি সাসপেকটর, গ্রাফাইট সাসপেকটর,

CVD-SiC আবরণে অভিন্ন গঠন, কম্প্যাক্ট উপাদান, উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধ, জারণ প্রতিরোধ, উচ্চ বিশুদ্ধতা, অ্যাসিড ও ক্ষার প্রতিরোধ এবং জৈব বিকারক, স্থিতিশীল ভৌত ও রাসায়নিক বৈশিষ্ট্য রয়েছে।

উচ্চ-বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট উপকরণের তুলনায়, গ্রাফাইট 400C তাপমাত্রায় জারিত হতে শুরু করে, যা জারণের কারণে পাউডারের ক্ষতি করে, যার ফলে পেরিফেরাল ডিভাইস এবং ভ্যাকুয়াম চেম্বারে পরিবেশ দূষণ হয় এবং উচ্চ-বিশুদ্ধতা পরিবেশের অমেধ্য বৃদ্ধি পায়।

তবে, SiC আবরণ ১৬০০ ডিগ্রিতে ভৌত এবং রাসায়নিক স্থিতিশীলতা বজায় রাখতে পারে, এটি আধুনিক শিল্পে, বিশেষ করে সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

আমাদের কোম্পানি গ্রাফাইট, সিরামিক এবং অন্যান্য উপকরণের পৃষ্ঠে CVD পদ্ধতিতে SiC আবরণ প্রক্রিয়া পরিষেবা প্রদান করে, যাতে কার্বন এবং সিলিকন ধারণকারী বিশেষ গ্যাসগুলি উচ্চ তাপমাত্রায় বিক্রিয়া করে উচ্চ বিশুদ্ধতা SiC অণু অর্জন করে, প্রলিপ্ত উপকরণের পৃষ্ঠে জমা হওয়া অণুগুলি SIC প্রতিরক্ষামূলক স্তর তৈরি করে। গঠিত SIC গ্রাফাইট বেসের সাথে দৃঢ়ভাবে আবদ্ধ থাকে, যা গ্রাফাইট বেসকে বিশেষ বৈশিষ্ট্য প্রদান করে, ফলে গ্রাফাইটের পৃষ্ঠটি কম্প্যাক্ট, পোরোসিটি-মুক্ত, উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধী, জারা প্রতিরোধী এবং জারণ প্রতিরোধী হয়।

আবেদন:

প্রধান বৈশিষ্ট্য:

1. উচ্চ তাপমাত্রা জারণ প্রতিরোধের:

তাপমাত্রা ১৭০০ সেলসিয়াসের বেশি হলে জারণ প্রতিরোধ ক্ষমতা খুব ভালো থাকে।

2. উচ্চ বিশুদ্ধতা: উচ্চ তাপমাত্রার ক্লোরিনেশন অবস্থায় রাসায়নিক বাষ্প জমার মাধ্যমে তৈরি।

3. ক্ষয় প্রতিরোধ ক্ষমতা: উচ্চ কঠোরতা, কম্প্যাক্ট পৃষ্ঠ, সূক্ষ্ম কণা।

4. জারা প্রতিরোধ ক্ষমতা: অ্যাসিড, ক্ষার, লবণ এবং জৈব বিকারক।

সিভিডি-এসআইসি আবরণের প্রধান স্পেসিফিকেশন:

যোগানের ক্ষমতা:

প্রতি মাসে ১০০০০ পিস/পিস
প্যাকেজিং এবং ডেলিভারি:
প্যাকিং: স্ট্যান্ডার্ড এবং শক্তিশালী প্যাকিং
পলি ব্যাগ + বক্স + কার্টন + প্যালেট
বন্দর:
নিংবো/শেনজেন/সাংহাই
লিড টাইম: