SiCコーティンググラファイトMOCVDウェーハキャリア、SiCエピタキシー用グラファイトサセプター

簡単な説明:

 


  • 原産地:浙江省、中国 (本土)
  • モデル番号:ボート3004
  • 化学組成:SiCコーティンググラファイト
  • 曲げ強度:470Mpa
  • 熱伝導率:300 W/mK
  • 品質:完璧
  • 関数:CVD-SiC
  • 応用:半導体/太陽光発電
  • 密度:3.21 g/cc
  • 熱膨張:4 10-6/K
  • 灰: 5ppm未満
  • サンプル:利用可能
  • HSコード:6903100000
  • 製品詳細

    製品タグ

    SiCコーティンググラファイトMOCVDウェーハキャリア、グラファイトサセプターSiCエピタキシー用
    炭素供給サセプター, エピタキシーサセプター, グラファイトサセプター,

    製品説明

    CVD-SiCコーティングは、均一な構造、緻密な材料​​、耐高温性、耐酸化性、高純度、耐酸性・耐アルカリ性、有機試薬に対する耐性、安定した物理的・化学的特性などの特徴を備えています。

    高純度グラファイト材料と比較すると、グラファイトは400℃で酸化が始まり、酸化による粉末の損失を引き起こし、周辺機器や真空チャンバーへの環境汚染を引き起こし、高純度環境の不純物を増加させます。

    しかし、SiCコーティングは1600度でも物理的および化学的安定性を維持できるため、現代の産業、特に半導体産業で広く使用されています。

    当社は、CVD法を用いてグラファイト、セラミックス等の材料表面にSiCコーティング加工サービスを提供しています。炭素とシリコンを含む特殊ガスを高温で反応させることで、高純度のSiC分子が得られます。この分子はコーティングされた材料の表面に堆積し、SiC保護層を形成します。形成されたSiCはグラファイト基材に強固に結合し、グラファイト基材に特殊な特性を付与します。これにより、グラファイト表面は緻密で、無孔性、耐高温性、耐腐食性、耐酸化性などの特性を備えています。

    応用:

    2

    主な特徴:

    1. 高温酸化耐性:

    温度が 1700 ℃ まで上昇しても、耐酸化性は非常に良好です。

    2. 高純度:高温塩素化条件下での化学蒸着により製造されます。

    3. 耐侵食性:高硬度、緻密な表面、微粒子。

    4. 耐腐食性:酸、アルカリ、塩、有機試薬。

    CVD-SICコーティングの主な仕様:

    SiC-CVD

    密度

    (グラム/cc)

    3.21

    曲げ強度

    (メガパスカル)

    470

    熱膨張

    (10-6/K)

    4

    熱伝導率

    (W/mK)

    300

    供給能力:

    月産10000個
    梱包と配送:
    梱包:標準および強力な梱包
    ポリ袋 + 箱 + カートン + パレット
    ポート:
    寧波/深セン/上海
    リードタイム:

    数量(個) 1~1000 >1000
    推定所要時間(日数) 15 交渉中


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