6 Inch N Type SiC Wafer

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

VET ئېنىرگىيىسىدىكى 6 Inch N Type SiC Wafer بولسا يۇقىرى ئىقتىدارلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ قوللىنىشچان پروگراممىلار ئۈچۈن لايىھەلەنگەن ، يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ۋە توك ئۈنۈمى بىلەن تەمىنلەيدىغان يۇقىرى ئىقتىدارلىق تارماق بالا. VET ئېنېرگىيىسى ئالدىنقى قاتاردىكى تېخنىكىلاردىن پايدىلىنىپ ، زامانىۋى ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرىنىڭ قاتتىق تەلىپىگە ماس كېلىدىغان يۇقىرى سۈپەتلىك ۋافېر ئىشلەپچىقىرىدۇ ، ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرىنىڭ ئىشەنچلىكلىكى ۋە چىدامچانلىقىغا كاپالەتلىك قىلىدۇ.

بىزگە ئېلخەت يوللاڭ PDF قىلىپ چۈشۈرۈڭ

مەھسۇلات تەپسىلاتى

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

بۇ 6 Inch N Type SiC Wafer پەۋقۇلئاددە شارائىتتا ئىقتىدارنى ئاشۇرۇش ئۈچۈن لايىھەلەنگەن بولۇپ ، يۇقىرى قۇۋۋەت ۋە تېمپېراتۇرىغا چىداملىق قوللىنىشچان پروگراممىلارنىڭ كۆڭۈلدىكىدەك تاللىشى ھېسابلىنىدۇ. بۇ ۋافېر بىلەن مۇناسىۋەتلىك مۇھىم مەھسۇلاتلار Si Wafer ، SiC Substrate ، SOI Wafer ۋە SiN Substrate قاتارلىقلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. بۇ ماتېرىياللار ھەر خىل يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىشلەپچىقىرىش جەريانىدا ئەڭ ياخشى ئۈنۈمگە كاپالەتلىك قىلىپ ، ئېنېرگىيە تېجەيدىغان ۋە چىداملىق ئۈسكۈنىلەرنى تەمىنلەيدۇ.

Epi Wafer ، Gallium Oxide Ga2O3 ، Cassette ياكى AlN Wafer بىلەن ھەمكارلاشقان شىركەتلەرگە نىسبەتەن ، VET Energy نىڭ 6 Inch N Type SiC Wafer يېڭىلىق يارىتىشچان مەھسۇلات ئېچىش ئۈچۈن زۆرۈر ئاساس بىلەن تەمىنلەيدۇ. مەيلى يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرىدا بولسۇن ياكى RF تېخنىكىسىنىڭ ئەڭ يېڭى تېخنىكىسىدا بولسۇن ، بۇ ۋافېرلار ناھايىتى ياخشى ئۆتكۈزۈشچانلىقى ۋە ئەڭ تۆۋەن ئىسسىقلىق قارشىلىقىغا كاپالەتلىك قىلىپ ، ئۈنۈم ۋە ئىقتىدارنىڭ چېگراسىنى ئىلگىرى سۈرىدۇ.

WAFERING SPECIFICATIONS

* n-Pm = n تىپلىق Pm-Grade, n-Ps = n تىپلىق Ps-Grade, Sl = Semi-lnsulating

Item	8-Inch	6-Inch			4-Inch
Item	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
ئوقيا (GF3YFCD) - مۇتلەق قىممەت	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV (SBIR) -10mmx10mm	<2μm
Wafer Edge	Beveling

SURFACE FINISH

* n-Pm = n تىپلىق Pm-Grade, n-Ps = n تىپلىق Ps-Grade, Sl = Semi-lnsulating

Item	8-Inch	6-Inch			4-Inch
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Surface Finish	قوش تەرەپ ئوپتىكىلىق پولشا ، Si- Face CMP
SurfaceRoughness	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Edge Chips	رۇخسەت قىلىنمايدۇ (ئۇزۇنلۇقى ۋە كەڭلىكى 0.5mm)
كۆرسەتمە	رۇخسەت قىلىنمايدۇ
سىزىلغان رەسىملەر (Si-Face)	Qty.≤5, جۇغلانما ئۇزۇنلۇقى 0.5.5 × wafer دىئامېتىرى	Qty.≤5, جۇغلانما ئۇزۇنلۇقى 0.5.5 × wafer دىئامېتىرى			Qty.≤5, جۇغلانما ئۇزۇنلۇقى 0.5.5 × wafer دىئامېتىرى
يېرىق	رۇخسەت قىلىنمايدۇ
Edge Exclusion	3mm