6 hüvelykes N típusú SiC ostya

Ezt a 6 hüvelykes N típusú SiC Wafert úgy tervezték, hogy extrém körülmények között is megnövelt teljesítményt nyújtson, így ideális választás a nagy teljesítményt és hőmérséklet-állóságot igénylő alkalmazásokhoz. A lapkához kapcsolódó kulcsfontosságú termékek közé tartozik a Si Wafer, a SiC Substrate, a SOI Wafer és a SiN Substrate. Ezek az anyagok optimális teljesítményt biztosítanak a különböző félvezető-gyártási folyamatokban, lehetővé téve az eszközök energiahatékonyságát és tartósságát.

Az Epi Waferrel, Gallium Oxide Ga2O3-val, Cassette-vel vagy AlN Waferrel dolgozó vállalatok számára a VET Energy 6 hüvelykes N típusú SiC Wafer-je biztosítja a szükséges alapot az innovatív termékfejlesztéshez. Legyen szó nagy teljesítményű elektronikáról vagy a legújabb RF technológiáról, ezek a lapkák kiváló vezetőképességet és minimális hőellenállást biztosítanak, feszegetve a hatékonyság és a teljesítmény határait.