Esta oblea de SiC tipo N de 6 pulgadas está diseñada para mejorar el rendimiento en condiciones extremas, lo que la convierte en una opción ideal para aplicaciones que requieren alta potencia y resistencia a la temperatura. Los productos clave asociados con esta oblea incluyen Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer y SiN Substrate. Estos materiales garantizan un rendimiento óptimo en una variedad de procesos de fabricación de semiconductores, lo que permite dispositivos que son a la vez eficientes energéticamente y duraderos.
Para las empresas que trabajan con oblea Epi, óxido de galio Ga2O3, casete o oblea AlN, la oblea SiC tipo N de 6 pulgadas de VET Energy proporciona la base necesaria para el desarrollo de productos innovadores. Ya sea en electrónica de alta potencia o en lo último en tecnología de RF, estas obleas garantizan una conductividad excelente y una resistencia térmica mínima, superando los límites de la eficiencia y el rendimiento.
ESPECIFICACIONES DE OBLEAS
*n-Pm=tipo n Grado Pm,n-Ps=tipo n Grado Ps,Sl=Semiaislante
| Artículo | 8 pulgadas | 6 pulgadas | 4 pulgadas | ||
| notario público | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Arco(GF3YFCD)-Valor absoluto | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25μm | ≤15 μm | |
| Deformación (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40 μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Borde de oblea | biselado | ||||
ACABADO SUPERFICIAL
*n-Pm=tipo n Grado Pm,n-Ps=tipo n Grado Ps,Sl=Semiaislante
| Artículo | 8 pulgadas | 6 pulgadas | 4 pulgadas | ||
| notario público | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Acabado superficial | Pulido óptico de doble cara, Si-Face CMP | ||||
| Rugosidad de la superficie | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Cara de Si Ra≤0.2nm | |||
| Astillas de borde | Ninguno permitido (largo y ancho ≥0,5 mm) | ||||
| Sangrías | Ninguno permitido | ||||
| Arañazos (Si-Cara) | Cant. ≤ 5, acumulativo | Cant. ≤ 5, acumulativo | Cant. ≤ 5, acumulativo | ||
| Grietas | Ninguno permitido | ||||
| Exclusión de borde | 3mm | ||||
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