Tin tức

Tại sao silicon lại cứng nhưng lại giòn như vậy?
bởi admin vào ngày 24-12-10
Silic là tinh thể nguyên tử, các nguyên tử của nó được liên kết với nhau bằng liên kết cộng hóa trị, tạo thành cấu trúc mạng không gian. Trong cấu trúc này, các liên kết cộng hóa trị giữa các nguyên tử có tính định hướng rất cao và có năng lượng liên kết cao, điều này làm cho silic có độ cứng cao khi chống lại các lực bên ngoài.
Đọc thêm
Tại sao thành bên bị cong trong quá trình khắc khô?
bởi admin vào ngày 24-12-03
Sự không đồng đều của sự bắn phá ion Khắc khô thường là một quá trình kết hợp các hiệu ứng vật lý và hóa học, trong đó bắn phá ion là một phương pháp khắc vật lý quan trọng. Trong quá trình khắc, góc tới và phân bố năng lượng của các ion có thể không đồng đều. Nếu sự bắn phá ion...
Đọc thêm
Giới thiệu về ba công nghệ CVD phổ biến
bởi admin vào ngày 24-12-03
Lắng đọng hơi hóa học (CVD) là công nghệ được sử dụng rộng rãi nhất trong ngành công nghiệp bán dẫn để lắng đọng nhiều loại vật liệu, bao gồm nhiều loại vật liệu cách điện, hầu hết các vật liệu kim loại và vật liệu hợp kim kim loại. CVD là công nghệ chế tạo màng mỏng truyền thống. Nguyên lý của nó...
Đọc thêm
Liệu kim cương có thể thay thế các thiết bị bán dẫn công suất cao khác không?
bởi admin vào ngày 24-11-25
Là nền tảng của các thiết bị điện tử hiện đại, vật liệu bán dẫn đang trải qua những thay đổi chưa từng có. Ngày nay, kim cương đang dần cho thấy tiềm năng to lớn của nó như một vật liệu bán dẫn thế hệ thứ tư với các tính chất điện và nhiệt tuyệt vời và độ ổn định trong điều kiện khắc nghiệt.
Đọc thêm
Cơ chế san phẳng hóa của CMP là gì?
bởi admin vào ngày 24-11-25
Dual-Damascene là một công nghệ quy trình được sử dụng để sản xuất các kết nối kim loại trong mạch tích hợp. Đây là một sự phát triển hơn nữa của quy trình Damascus. Bằng cách tạo các lỗ và rãnh xuyên qua cùng một lúc trong cùng một bước quy trình và lấp đầy chúng bằng kim loại, quy trình sản xuất tích hợp của m...
Đọc thêm
Than chì với lớp phủ TaC
bởi admin vào ngày 24-11-21
I. Khảo sát thông số quá trình 1. Hệ TaCl5-C3H6-H2-Ar 2. Nhiệt độ lắng đọng: Theo công thức nhiệt động lực học, tính toán được khi nhiệt độ lớn hơn 1273K, năng lượng tự do Gibbs của phản ứng rất thấp và phản ứng tương đối hoàn toàn. Thực tế...
Đọc thêm
Quy trình phát triển tinh thể silicon carbide và công nghệ thiết bị
bởi admin vào ngày 24-11-21
1. Phương pháp công nghệ phát triển tinh thể SiC Phương pháp PVT (thăng hoa), HTCVD (CVD nhiệt độ cao), LPE (pha lỏng) là ba phương pháp phát triển tinh thể SiC phổ biến; Phương pháp được công nhận nhiều nhất trong ngành là phương pháp PVT và hơn 95% tinh thể đơn SiC được phát triển bằng phương pháp PVT ...
Đọc thêm
Chuẩn bị và cải thiện hiệu suất của vật liệu composite cacbon silic xốp
bởi admin vào ngày 24-11-13
Pin lithium-ion chủ yếu phát triển theo hướng mật độ năng lượng cao. Ở nhiệt độ phòng, vật liệu điện cực âm gốc silicon hợp kim với lithium để tạo ra sản phẩm giàu lithium pha Li3.75Si, có dung lượng riêng lên tới 3572 mAh/g, cao hơn nhiều so với lý thuyết...
Đọc thêm
Quá trình oxy hóa nhiệt của tinh thể đơn Silic
bởi admin vào ngày 24-11-13
Sự hình thành silicon dioxide trên bề mặt silicon được gọi là quá trình oxy hóa, và việc tạo ra silicon dioxide ổn định và bám dính mạnh đã dẫn đến sự ra đời của công nghệ mạch tích hợp silicon phẳng. Mặc dù có nhiều cách để phát triển silicon dioxide trực tiếp trên bề mặt silicon...
Đọc thêm