Các bộ phận Si dạng màng mỏng

Các linh kiện phủ SiC CVD dùng cho quá trình lắng đọng màng mỏng silicon (Si Epi)

Được thiết kế chính xác cho các hệ thống lắng đọng màng mỏng silicon (Si Epi) đơn lớp và theo lô, các bộ phận đỡ, đĩa vệ tinh và các thành phần trường nhiệt phủ SiC CVD của chúng tôi mang lại độ đồng nhất nhiệt vượt trội và không phát thải khí. Lớp phủ β-SiC lập phương mật độ cao bao bọc hoàn toàn chất nền than chì có độ tinh khiết cao, ngăn ngừa sự ăn mòn khí phản ứng (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) và đảm bảo mức độ tạp chất kim loại cực thấp (< 5 ppm) trong quá trình xử lý Si Epi ở nhiệt độ cao (1000°C - 1200°C).

Tính đồng nhất của trường nhiệt

Khả năng kiểm soát độ phát xạ đảm bảo độ dày màng đồng nhất từ rìa đến tâm tấm wafer.

Khả năng chống ăn mòn HCl

Cung cấp khả năng bảo vệ mạnh mẽ chống lại các hóa chất làm sạch buồng tại chỗ và các cú sốc nhiệt.

Khả năng tương thích hệ thống OEM

Được gia công chính xác bằng máy CNC để phù hợp với các thiết bị Epi đơn wafer 200mm/300mm thông dụng (Applied Materials, ASM).

Thông số kỹ thuật	Giá trị thông số kỹ thuật	Phương pháp tiêu chuẩn / Phương pháp thử nghiệm
Vật liệu phủ	CVD β-SiC (Pha lập phương)	Cấu trúc tinh thể mật độ cao
Vật liệu nền	Than chì đẳng tĩnh siêu tinh khiết	Mật độ: 1,82 - 1,88 g/cm³
Độ tinh khiết hóa học	Tổng lượng tạp chất < 5 ppm	GDMS đã được kiểm nghiệm
Độ dày lớp phủ	80 μm - 150 μm	Độ đồng nhất ≤ ±5%