Sự hình thành silicon dioxide trên bề mặt silicon được gọi là quá trình oxy hóa, và việc tạo ra silicon dioxide ổn định và bám dính mạnh đã dẫn đến sự ra đời của công nghệ phẳng mạch tích hợp silicon. Mặc dù có nhiều cách để phát triển silicon dioxide trực tiếp trên bề mặt silicon, nhưng thường được thực hiện bằng cách oxy hóa nhiệt, tức là phơi silicon trong môi trường oxy hóa ở nhiệt độ cao (oxy, nước). Các phương pháp oxy hóa nhiệt có thể kiểm soát độ dày màng và các đặc tính giao diện silicon/silicon dioxide trong quá trình chuẩn bị màng silicon dioxide. Các kỹ thuật khác để phát triển silicon dioxide là anod hóa plasma và anod hóa ướt, nhưng không có kỹ thuật nào trong số này được sử dụng rộng rãi trong các quy trình VLSI.
Silic có xu hướng tạo thành silicon dioxide ổn định. Nếu silicon mới cắt tiếp xúc với môi trường oxy hóa (như oxy, nước), nó sẽ tạo thành một lớp oxit rất mỏng (<20Å) ngay cả ở nhiệt độ phòng. Khi silicon tiếp xúc với môi trường oxy hóa ở nhiệt độ cao, một lớp oxit dày hơn sẽ được tạo ra với tốc độ nhanh hơn. Cơ chế cơ bản của sự hình thành silicon dioxide từ silicon đã được hiểu rõ. Deal và Grove đã phát triển một mô hình toán học mô tả chính xác động lực phát triển của các màng oxit dày hơn 300Å. Họ đề xuất rằng quá trình oxy hóa được thực hiện theo cách sau, nghĩa là chất oxy hóa (phân tử nước và phân tử oxy) khuếch tán qua lớp oxit hiện có đến giao diện Si/SiO2, tại đó chất oxy hóa phản ứng với silicon để tạo thành silicon dioxide. Phản ứng chính để tạo thành silicon dioxide được mô tả như sau:
Phản ứng oxy hóa xảy ra tại giao diện Si/SiO2, vì vậy khi lớp oxit phát triển, silic liên tục bị tiêu thụ và giao diện dần dần xâm chiếm silic. Theo mật độ và trọng lượng phân tử tương ứng của silic và silic dioxit, có thể thấy rằng silic tiêu thụ cho độ dày của lớp oxit cuối cùng là 44%. Theo cách này, nếu lớp oxit phát triển 10.000Å, 4400Å silic sẽ bị tiêu thụ. Mối quan hệ này rất quan trọng để tính toán chiều cao của các bậc được hình thành trêntấm siliconCác bước này là kết quả của tốc độ oxy hóa khác nhau tại các vị trí khác nhau trên bề mặt tấm silicon.
Chúng tôi cũng cung cấp các sản phẩm than chì và silicon carbide có độ tinh khiết cao, được sử dụng rộng rãi trong quá trình xử lý wafer như oxy hóa, khuếch tán và ủ.
Chào mừng mọi khách hàng từ khắp nơi trên thế giới đến thăm chúng tôi để thảo luận thêm!
https://www.vet-china.com/
Thời gian đăng: 13-11-2024